公开(公告)号：CN1630087A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410092371.3

申请日：2004-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 乔尔·P.·德索扎 ,  约翰·A.·奥托 ,  亚历山大·雷泽尼斯克 ,  凯瑟琳·L.·斯恩格

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一种利用模板叠层的局部非晶化和再结晶来形成具有不同晶向的半导体层的平坦衬底的方法。还提供了用本发明方法形成的混合取向半导体衬底结构以及与包含排列在不同表面取向上的至少二个半导体器件用来提高器件性能的各种CMOS电路集成的这种结构。

公开(公告)号：CN100533759C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200710089329.X

申请日：2007-03-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 托马斯·A.·沃尔纳 ,  托马斯·N.·亚当 ,  斯蒂芬·W.·贝戴尔 ,  乔尔·P.·德索扎 ,  凯斯莱恩·T.·舍恩伯格

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/737 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/16 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7371

Abstract: 形成异质结双极晶体管的方法及相关结构。本发明公开了一种使用多孔硅形成隔离区的方法及相关结构。本发明的一个实施例可以包括形成收集极区；在该收集极区内形成多孔硅区；在收集极区上形成晶体硅本征基极层，该本征基极层在多孔硅区的一部分上延伸，从而形成非本征基极；和在多孔硅区内形成隔离区。该方法适用于形成HBT，其具有一个结构，该结构包括延伸超出收集极区并在隔离区上延伸的晶体硅本征基极，从而形成低电阻的连续本征-非本征基极传导路径。该HBT具有更小的收集极-本征基极界面，和更大的本征基极-非本征基极界面，因此具有更高的性能。

公开(公告)号：CN100505273C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200410092371.3

申请日：2004-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 乔尔·P.·德索扎 ,  约翰·A.·奥托 ,  亚历山大·雷泽尼斯克 ,  凯瑟琳·L.·斯恩格

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一种利用模板叠层的局部非晶化和再结晶来形成具有不同晶向的半导体层的平坦衬底的方法。还提供了用本发明方法形成的混合取向半导体衬底结构以及与包含排列在不同表面取向上的至少二个半导体器件用来提高器件性能的各种CMOS电路集成的这种结构。

公开(公告)号：CN101005052A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710002380.2

申请日：2007-01-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨海宁 ,  德温德拉·K.·萨达纳 ,  布赖恩·J.·格林 ,  乔尔·P.·德索扎 ,  基思·爱德华·弗格尔

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/32 ,  H01L21/0203 ,  H01L21/76259 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体材料，它具有现有技术SOI衬底的所有优点，包括例如低的寄生电容和漏电流，而且不具有浮体效应。更特别地，本发明提供孔上半导体(SOP)材料，它包括顶半导体层和底半导体层，其中在至少一个区域中通过多孔半导体材料分隔所述半导体层。也提供包含SOP材料作为衬底的半导体结构，以及制造SOP材料的方法。该方法包括用第一半导体层形成p型区、将p型区转变成多孔半导体材料、通过退火密封多孔半导体材料的上表面，以及在多孔半导体材料的顶上形成第二半导体层。

公开(公告)号：CN101000884B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200710001824.0

申请日：2007-01-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 德温德拉·K.·萨达纳 ,  乔尔·P.·德索扎 ,  斯蒂芬·W.·贝戴尔 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  基思·爱德华·弗格尔 ,  格哈瓦姆·G.·莎赫迪 ,  托马斯·N.·亚当

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明提供了应变(张或压应变)绝缘体上半导体材料，其中使用单个半导体晶片和通过氧的离子注入的分离工艺。包括氧离子注入和退火的通过氧的离子注入的分离工艺在位于应变半导体层下面的材料中建立隐埋氧化物层。在一些实施方案中，渐变半导体缓冲层位于隐埋氧化物层下面，而在其他实施方案中，包含掺杂有B或C中至少一种的Si的掺杂半导体层位于隐埋氧化物层下面。

公开(公告)号：CN101120442A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200580022513.1

申请日：2005-05-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 托马斯·N.·亚当 ,  斯蒂芬·W.·贝戴尔 ,  乔尔·P.·德索扎 ,  基思·E.·佛格尔 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  德温德拉·K.·萨达纳 ,  加瓦姆·沙赫迪

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76259 ,  Y10S438/967

Abstract: 提供一种避免晶片键合的制造应变绝缘体上硅(SSOI)衬底的成本有效和可工艺制造的方法。该方法包括在衬底上生长各种外延半导体层，其中至少一层半导体层是在应变半导体层下方的掺杂且弛豫的半导体层；借助电解阳极化过程将掺杂且弛豫的半导体层转化成多孔半导体；以及氧化将多孔半导体转化成埋置氧化物层。所述方法提供了SSOI衬底，其包括在衬底上的弛豫的半导体层；在该弛豫的半导体层上的高质量埋置氧化物层；以及在该高质量埋置氧化物层上的应变半导体层。根据本发明，弛豫的半导体层和应变半导体层具有相同的晶体学取向。

公开(公告)号：CN101087000A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710089329.X

申请日：2007-03-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 托马斯·A.·沃尔纳 ,  托马斯·N.·亚当 ,  斯蒂芬·W.·贝戴尔 ,  乔尔·P.·德索扎 ,  凯斯莱恩·T.·舍恩伯格

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/737 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/16 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7371

Abstract: 形成异质结双极晶体管的方法及相关结构。本发明公开了一种使用多孔硅形成隔离区的方法及相关结构。本发明的一个实施例可以包括形成收集极区；在该收集极区内形成多孔硅区；在收集极区上形成晶体硅本征基极层，该本征基极层在多孔硅区的一部分上延伸，从而形成非本征基极；和在多孔硅区内形成隔离区。该方法适用于形成HBT，其具有一个结构，该结构包括延伸超出收集极区并在隔离区上延伸的晶体硅本征基极，从而形成低电阻的连续本征－非本征基极传导路径。该HBT具有更小的收集极－本征基极界面，和更大的本征基极－非本征基极界面，因此具有更高的性能。

公开(公告)号：CN101000884A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200710001824.0

申请日：2007-01-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 德温德拉·K.·萨达纳 ,  乔尔·P.·德索扎 ,  斯蒂芬·W.·贝戴尔 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  基思·爱德华·弗格尔 ,  格哈瓦姆·G.·莎赫迪 ,  托马斯·N.·亚当

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明提供了应变(张或压应变)绝缘体上半导体材料，其中使用单个半导体晶片和通过氧的离子注入的分离工艺。包括氧离子注入和退火的通过氧的离子注入的分离工艺在位于应变半导体层下面的材料中建立隐埋氧化物层。在一些实施方案中，渐变半导体缓冲层位于隐埋氧化物层下面，而在其他实施方案中，包含掺杂有B或C中至少一种的Si的掺杂半导体层位于隐埋氧化物层下面。