公开(公告)号：CN101120442A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200580022513.1

申请日：2005-05-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 托马斯·N.·亚当 ,  斯蒂芬·W.·贝戴尔 ,  乔尔·P.·德索扎 ,  基思·E.·佛格尔 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  德温德拉·K.·萨达纳 ,  加瓦姆·沙赫迪

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76259 ,  Y10S438/967

Abstract: 提供一种避免晶片键合的制造应变绝缘体上硅(SSOI)衬底的成本有效和可工艺制造的方法。该方法包括在衬底上生长各种外延半导体层，其中至少一层半导体层是在应变半导体层下方的掺杂且弛豫的半导体层；借助电解阳极化过程将掺杂且弛豫的半导体层转化成多孔半导体；以及氧化将多孔半导体转化成埋置氧化物层。所述方法提供了SSOI衬底，其包括在衬底上的弛豫的半导体层；在该弛豫的半导体层上的高质量埋置氧化物层；以及在该高质量埋置氧化物层上的应变半导体层。根据本发明，弛豫的半导体层和应变半导体层具有相同的晶体学取向。

公开(公告)号：CN1816910A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200480019346.0

申请日：2004-05-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 斯蒂芬·W.·贝德尔 ,  陈华杰 ,  基思·E.·佛格尔 ,  德温得拉·K.·萨达纳

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/306 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  Y10T428/12674

Abstract: 本发明提供一种制造绝缘体上SiGe衬底的方法，其中采用晶格工程学除去SiGe厚度、GE含量和应变松弛之间的相互依赖性。该方法包括：提供绝缘体上SiGe衬底材料，其包括具有选择面内晶格参数、选择厚度参数和选择Ge含量参数的SiGe合金层，其中选择面内晶格参数具有恒定值，一个或两个其它参数，即厚度或Ge含量具有可调值；和调节一个或两个其他参数为最终选择值，同时保持面内晶格参数。所述调节是利用减薄工艺或热稀释工艺来实现的，这取决于是哪些参数是固定的和可调的。

公开(公告)号：CN1799136A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480014971.6

申请日：2004-05-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 斯蒂芬·W.·贝戴尔 ,  陈华杰 ,  安东尼·G.·多美尼古奇 ,  基思·E.·佛格尔 ,  理查德·J.·墨菲 ,  德温德拉·K.·萨达纳

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/1054

Abstract: 提供了一种制造低缺陷的基本上弛豫的绝缘体上硅锗衬底材料的方法。此方法包括首先在存在于阻挡锗扩散的阻挡层(12)顶部的第一单晶硅层(14)的表面上形成含锗层(16)。然后在接近最终硅锗合金熔点且抑制堆垛层错缺陷形成同时保持锗的温度下执行加热步骤。此加热步骤使锗能够在整个第一单晶硅层和含锗层中相互扩散，从而在阻挡层顶部形成基本上弛豫的单晶硅锗层。而且，由于在接近最终硅锗合金熔点的温度下执行加热步骤，故存在于单晶硅锗层中由于弛豫而引起的缺陷被有效地从中清除。在一个实施方案中，加热步骤包括在大约1230－1320℃下执行大约2小时的氧化过程。此实施方案提供了具有最小表面凹坑和降低了的交叉影线的SGOI衬底。

公开(公告)号：CN100429760C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200480019346.0

申请日：2004-05-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 斯蒂芬·W.·贝德尔 ,  陈华杰 ,  基思·E.·佛格尔 ,  德温得拉·K.·萨达纳

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/306 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  Y10T428/12674

Abstract: 本发明提供一种制造绝缘体上SiGe衬底的方法，其中采用晶格工程学除去SiGe厚度、GE含量和应变松弛之间的相互依赖性。该方法包括：提供绝缘体上SiGe衬底材料，其包括具有选择面内晶格参数、选择厚度参数和选择Ge含量参数的SiGe合金层，其中选择面内晶格参数具有恒定值，一个或两个其它参数，即厚度或Ge含量具有可调值；和调节一个或两个其他参数为最终选择值，同时保持面内晶格参数。所述调节是利用减薄工艺或热稀释工艺来实现的，这取决于是哪些参数是固定的和可调的。