公开(公告)号：CN103972061B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201310162628.7

申请日：2013-05-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱汉钦 ,  江振豪 ,  陈祈铭 ,  喻中一

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/42364 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种方法包括在衬底上形成III‑V族化合物层并且将主掺杂剂注入到III‑V族化合物层以形成源极区和漏极区。方法进一步包括将V族物质注入到源极区和漏极区。一种半导体器件包括衬底和衬底上方的III‑V族化合物层。半导体器件进一步包括III‑V族层中的源极区和漏极区，其中，源极区和漏极区包括第一掺杂剂和第二掺杂剂，并且第二掺杂剂包括V族材料。本发明还提供了将掺杂剂注入到III族氮化物结构中的方法及形成的器件。

公开(公告)号：CN107204367A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201611121074.6

申请日：2016-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱汉钦 ,  刘圣得 ,  林于轩 ,  张耀中 ,  蔡正原

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构。半导体结构包括具有顶面的半导体衬底、位于半导体衬底上方的III‑V族化合物层和位于成III‑V族化合物层上方的第一钝化层。半导体结构还包含位于第一钝化层上方的蚀刻停止层。半导体结构还包含位于第一钝化层上方并被蚀刻停止层环绕的栅极堆叠件。本发明实施例还涉及半导体结构的制造方法。

公开(公告)号：CN106571297A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610702372.8

申请日：2016-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱汉钦 ,  蔡正原

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)及其形成方法。该方法包括外延生长第一III‑V族化合物层、以及在第一III‑V族化合物层上方外延生长第二III‑V族化合物层，其中，在第二III‑V族化合物层上形成第一自然氧化物层。该方法还包括利用第一气体原位处理第一自然氧化物层，从而将第一自然氧化物层转化为第一晶体氧化物层。该方法还包括在第一晶体氧化物层上方形成第一晶体界面层，以及在第一晶体界面层上方形成介电钝化层。本发明实施例涉及形成高电子迁移率晶体管及其形成方法。

公开(公告)号：CN103545348A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201210411732.0

申请日：2012-10-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈祈铭 ,  邱汉钦 ,  喻中一 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 用于硅衬底上的III族氮化物的扩散阻挡层。本发明涉及集成电路及其形成。在一些实施例中，集成电路包括扩散阻挡层。扩散阻挡层可以布置成阻止来自Si衬底的Si和O2扩散到III族氮化物层内。扩散阻挡层可以包含Al2O3。在一些实施例中，集成电路还包括设置在硅衬底和III族氮化物层之间的晶格匹配结构。

公开(公告)号：CN105742348B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201510507509.X

申请日：2015-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄敬源 ,  蔡明玮 ,  邱汉钦

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种与高电子迁移率晶体管兼容的功率横向场效应整流器(L‑FER)器件及其形成方法。在一些实施例中，该整流器器件具有电子供给层，电子供给层设置在半导体材料层上方且位于阳极终端和阴极终端之间。掺杂的III‑N半导体材料层设置在电子供给层上方。钝化层设置在电子供给层和掺杂的III‑N半导体材料层上方。栅极结构设置在掺杂的III‑N半导体材料层和钝化层上方。掺杂的III‑N半导体材料层调制整流器器件的阈值电压，而钝化层通过缓解由于高温反向偏压(HTRB)压力(stress)引起的电流劣化而改进L‑FER器件的可靠性。

公开(公告)号：CN105742348A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510507509.X

申请日：2015-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄敬源 ,  蔡明玮 ,  邱汉钦

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种与高电子迁移率晶体管兼容的功率横向场效应整流器(L-FER)器件及其形成方法。在一些实施例中，该整流器器件具有电子供给层，电子供给层设置在半导体材料层上方且位于阳极终端和阴极终端之间。掺杂的III-N半导体材料层设置在电子供给层上方。钝化层设置在电子供给层和掺杂的III-N半导体材料层上方。栅极结构设置在掺杂的III-N半导体材料层和钝化层上方。掺杂的III-N半导体材料层调制整流器器件的阈值电压，而钝化层通过缓解由于高温反向偏压(HTRB)压力(stress)引起的电流劣化而改进L-FER器件的可靠性。

公开(公告)号：CN103545348B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201210411732.0

申请日：2012-10-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈祈铭 ,  邱汉钦 ,  喻中一 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 用于硅衬底上的III族氮化物的扩散阻挡层。本发明涉及集成电路及其形成。在一些实施例中，集成电路包括扩散阻挡层。扩散阻挡层可以布置成阻止来自Si衬底的Si和O2扩散到III族氮化物层内。扩散阻挡层可以包含Al2O3。在一些实施例中，集成电路还包括设置在硅衬底和III族氮化物层之间的晶格匹配结构。

公开(公告)号：CN103915492A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310100070.X

申请日：2013-03-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱汉钦 ,  陈祈铭 ,  喻中一 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/02241 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32133 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/7786

Abstract: 一种半导体结构包括第一III-V族化合物层。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上并且在组成上与第一III-V族化合物层不同。介电钝化层设置在第二III-V族化合物层上。源极部件和漏极部件设置在第二III-V族化合物层上，并且延伸穿过介电钝化层。栅电极在源极部件和漏极部件之间设置在第二III-V族化合物层的上方。栅电极具有外表面。含氧区在栅电极下方至少嵌入的第二III-V族化合物层中。栅极介电层具有第一部分和第二部分。第一部分位于栅电极下方且位于含氧区上。第二部分位于栅电极的外表面的一部分上。本发明还涉及高电子迁移率晶体管及其形成方法。

公开(公告)号：CN103579327A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210436886.5

申请日：2012-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江振豪 ,  邱汉钦 ,  刘柏均 ,  陈祈铭 ,  喻中一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7784 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明公开了高电子迁移率晶体管及其形成方法，其中该高电子迁移率晶体管(HEMT)包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并在组成上不同于第一III-V化合物层。源极部件和漏极部件与第二III-V化合物层接触。n型掺杂区在第二III-V化合物层中位于每个源极部件和漏极部件的下方。p型掺杂区在第一III-V化合物层中位于每个n型掺杂区的下方。栅电极设置在源极部件和漏极部件之间第二III-V化合物层的一部分的上方。

公开(公告)号：CN111883588A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010743083.9

申请日：2015-04-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱汉钦 ,  陈祈铭 ,  蔡正原 ,  姚福伟

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明的一些实施例涉及包括布置在半导体衬底上方的异质结结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)。异质结结构包括用作e-HEMT的沟道区的由第一III-氮化物材料制成的二元III/V半导体层以及用作阻挡层的布置在二元III/V半导体层上方并且由第二III-氮化物材料制成的三元III/V半导体层。源极区和漏极区布置在三元III/V半导体层上方并且彼此横向间隔开。栅极结构布置在异质结结构上方并且布置在源极区和漏极区之间。栅极结构由第三III-氮化物材料制成。第一钝化层设置在栅极结构的侧壁周围并且由第四III-氮化物材料制成。本发明的实施例还涉及用于HEMT器件的侧壁钝化。