公开(公告)号：CN107204367A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201611121074.6

申请日：2016-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱汉钦 ,  刘圣得 ,  林于轩 ,  张耀中 ,  蔡正原

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构。半导体结构包括具有顶面的半导体衬底、位于半导体衬底上方的III‑V族化合物层和位于成III‑V族化合物层上方的第一钝化层。半导体结构还包含位于第一钝化层上方的蚀刻停止层。半导体结构还包含位于第一钝化层上方并被蚀刻停止层环绕的栅极堆叠件。本发明实施例还涉及半导体结构的制造方法。

公开(公告)号：CN107170818A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201611217952.4

申请日：2016-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘圣得 ,  周仲彦 ,  刘世昌

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/08 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/0843

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件。半导体器件包括衬底、位于衬底上方的第一III‑V化合物层、位于第一III‑V化合物层上的第一钝化层、源极区和漏极区。源极区穿过第一钝化层以电接触第一III‑V化合物层。漏极区穿过第一钝化层以电接触第一III‑V化合物层。与源极区接触的第一钝化层的侧壁包括阶梯状。

公开(公告)号：CN113314604A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110564743.1

申请日：2016-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱汉钦 ,  刘圣得 ,  林于轩 ,  张耀中 ,  蔡正原

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构。半导体结构包括具有顶面的半导体衬底、位于半导体衬底上方的III‑V族化合物层和位于成III‑V族化合物层上方的第一钝化层。半导体结构还包含位于第一钝化层上方的蚀刻停止层。半导体结构还包含位于第一钝化层上方并被蚀刻停止层环绕的栅极堆叠件。本发明实施例还涉及半导体结构的制造方法。

公开(公告)号：CN104009034B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310398148.0

申请日：2013-09-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周仲彦 ,  刘圣得 ,  杨富智 ,  刘世昌 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明涉及了包含HEMT和MISFET的半导体装置及其形成方法，其包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层被设置在第一III-V化合物层上且在组分上不同与第一III-V化合物层。第三III-V化合物层被沉积在第二III-V化合物层上且在组分上不同与第二III-V化合物层。源极部件和漏极部件被设置在第三III-V化合物层上的每个MISFET和HEMT区域中。栅电极被设置在位于源极部件和漏极部件之间的第二III-V化合物层之上。栅极电介质层被设置在MISFET区域中的栅电极之下但位于第三III-V化合物层的顶面之上。

公开(公告)号：CN104009034A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201310398148.0

申请日：2013-09-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周仲彦 ,  刘圣得 ,  杨富智 ,  刘世昌 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明涉及了包含HEMT和MISFET的半导体装置及其形成方法，其包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层被设置在第一III-V化合物层上且在组分上不同与第一III-V化合物层。第三III-V化合物层被沉积在第二III-V化合物层上且在组分上不同与第二III-V化合物层。源极部件和漏极部件被设置在第三III-V化合物层上的每个MISFET和HEMT区域中。栅电极被设置在位于源极部件和漏极部件之间的第二III-V化合物层之上。栅极电介质层被设置在MISFET区域中的栅电极之下但位于第三III-V化合物层的顶面之上。