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公开(公告)号：CN109524318B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201810005078.0
申请日：2018-01-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本公开涉及用于烘烤模块的合格性测试方法和系统。将测试晶片放置在烘烤模块内并烘烤。通过一个或多个温度传感器，测量在烘烤期间传送到测试晶片的累积热量。将所测量的累积热量与预定义的累积热量阈值进行比较。响应于所述比较指示所测量的累积热量在预定义的累积热量阈值内，确定烘烤模块被认定为合格而用于实际的半导体制造。响应于所述比较指示所测量的累积热量在预定义的累积热量阈值之外，确定烘烤模块不被认定为合格而用于实际的半导体制造。
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公开(公告)号：CN115249738A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210610857.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供半导体结构与其形成方法。方法包括形成多个外延层的堆叠于基板上；自堆叠形成第一鳍状结构与第二鳍状结构；形成隔离结构于第一鳍状结构与第二鳍状结构之间；形成覆层于第一鳍状结构与第二鳍状结构上；顺应性沉积第一介电层于覆层上；沉积第二介电层于第一介电层上；平坦化第一介电层与第二介电层，直到露出覆层；进行蚀刻制程，以蚀刻第二介电层而形成盖凹陷；进行修整制程，以修整第一介电层而加宽盖凹陷；以及沉积盖结构于加宽的盖凹陷中。
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公开(公告)号：CN109143799B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201710451853.0
申请日：2017-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种烘烤设备及烘烤方法。烘烤设备包括一加热板。烘烤设备还包括一第一导引衬套。第一导引衬套围绕加热板设置。烘烤设备还包括一第二导引衬套。第二导引衬套位于加热板与第一导引衬套之间。一气流流道定义于第一导引衬套与第二导引衬套之间。气流流道至少部分沿朝向加热板的一延伸方向延伸。
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公开(公告)号：CN109814343A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201810393371.9
申请日：2018-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/30
Abstract: 本公开提供一种用于将显像剂分配至基板上的分配头。分配头包括一壳体，配置用以接收显像剂。分配头还包括设置于壳体上的至少一液体出口。液体出口配置用以将显像剂喷洒在基板上的一长形区域上，且液体出口配置成沿着一分配方向喷洒显像剂，其中分配方向倾斜于基板的一法线方向且垂直于长形区域的一长轴方向。
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公开(公告)号：CN109524318A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201810005078.0
申请日：2018-01-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本公开涉及用于烘烤模块的合格性测试方法和系统。将测试晶片放置在烘烤模块内并烘烤。通过一个或多个温度传感器，测量在烘烤期间传送到测试晶片的累积热量。将所测量的累积热量与预定义的累积热量阈值进行比较。响应于所述比较指示所测量的累积热量在预定义的累积热量阈值内，确定烘烤模块被认定为合格而用于实际的半导体制造。响应于所述比较指示所测量的累积热量在预定义的累积热量阈值之外，确定烘烤模块不被认定为合格而用于实际的半导体制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108957948A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710686758.9
申请日：2017-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70875 , G03F7/70991 , H01L21/67109 , G03F7/0035 , G03F7/40
Abstract: 本公开的一些实施例提供一种应用于微电子技术领域的图案的形成方法，包括：通过能量束对设置在晶圆上的光刻胶层进行曝光，使用曝光后烘烤设备对具有曝光后光刻胶层的晶圆实施曝光后烘烤，在曝光后烘烤之后，对曝光后光刻胶层进行显影，藉此形成光刻胶图案，曝光后烘烤设备包含烘烤盘，当晶圆的温度在预定温度范围时，将晶圆放置在烘烤盘上以进行曝光后烘烤。本公开的一些实施例提供的图案的形成方法可以更精准地控制晶圆的温度。
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公开(公告)号：CN114975104A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110919189.4
申请日：2021-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/8238
Abstract: 形成半导体器件的方法包括：在目标层上方沉积第一掩模；在第一掩模上方形成第一芯轴和第二芯轴；在第一芯轴上形成第一间隔件并且在第二芯轴上形成第二间隔件；以及选择性去除第二间隔件同时掩蔽第一间隔件。掩蔽第一间隔件包括用第二掩模和第二掩模上方的覆盖层覆盖第一间隔件，并且覆盖层包括碳。方法还包括图案化第一掩模以及将第一掩模的图案转移至目标层。图案化第一掩模包括用第二芯轴、第一芯轴和第一间隔件掩蔽第一掩模。
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公开(公告)号：CN108663914B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201710202963.3
申请日：2017-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/38
Abstract: 本公开实施例提供一种烘烤方法，包括将第一晶片及第二晶片分别移入第一烘烤单元及第二烘烤单元内。将第一加热板及第二加热板升温至预定温度。抬升第一支撑销及第二支撑销，以将第一晶片支撑于第一加热板上方，且将第二晶片支撑于第二加热板上方。再者，调降第一支撑销，使得第一晶片放置于第一加热板上且以预定温度烘烤第一晶片。在烘烤第一晶片的期间，第二支撑销维持抬升且将第二晶片支撑于第二加热板上方，以预先加热第二晶片。在调降第一支撑销之后，调降第二支撑销，使得第二晶片放置于第二加热板上且以预定温度烘烤第二晶片。
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公开(公告)号：CN114975589A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210314560.9
申请日：2022-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括第一通道结构，沿第一横向方向延伸；第二通道结构，沿第一横向方向延伸；其中第二通道结构与第一通道结构间隔开。半导体装置还包括：高介电常数介电结构，沿第一横向方向延伸并设置在第一通道结构及第二通道结构之间。高介电常数介电结构具有底表面，此底表面包括最底部的部分以及从最底部的部分提高的至少一个第一平台部。
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公开(公告)号：CN114927469A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210209072.1
申请日：2022-03-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括第一通道区、第二通道区以及第一绝缘鳍片，第一绝缘鳍片插入在第一通道区与第二通道区之间。第一绝缘鳍片包括下部以及上部。下部包括填充材料。上部包括：第一介电层，在下部上，第一介电层为第一介电材料；第一盖层，在第一介电层上，第一盖层为第二介电材料，第二介电材料不同于第一介电材料；以及第二介电层，在第一盖层上，第二介电层为第一介电材料。
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