公开(公告)号：CN113284893A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110087771.9

申请日：2021-01-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭俊铭 ,  陈欣志 ,  许哲源 ,  刘国庆 ,  蔡函育 ,  林宥霆 ,  张壬泓

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 根据一些实施例，一种半导体装置包括半导体衬底、至少一个半导体鳍及栅极堆叠。半导体鳍设置在半导体衬底上。半导体鳍包括第一部分、第二部分及位于第一部分与第二部分之间的第一颈部部分。第一部分的宽度随着第一部分变得更靠近第一颈部部分而减小，且第二部分的宽度随着第二部分变得更靠近半导体衬底的底表面而增大。栅极堆叠部分地覆盖半导体鳍。

公开(公告)号：CN114927469A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210209072.1

申请日：2022-03-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张壬泓 ,  柳依秀 ,  林宥霆 ,  张志仲 ,  赵高毅 ,  郭俊铭 ,  彭远清 ,  林颂恩 ,  赵家峥 ,  柯忠廷

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括第一通道区、第二通道区以及第一绝缘鳍片，第一绝缘鳍片插入在第一通道区与第二通道区之间。第一绝缘鳍片包括下部以及上部。下部包括填充材料。上部包括：第一介电层，在下部上，第一介电层为第一介电材料；第一盖层，在第一介电层上，第一盖层为第二介电材料，第二介电材料不同于第一介电材料；以及第二介电层，在第一盖层上，第二介电层为第一介电材料。

公开(公告)号：CN115249738A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210610857.X

申请日：2022-05-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张壬泓 ,  柳依秀 ,  林宥霆 ,  张志仲 ,  赵高毅 ,  郭俊铭 ,  彭远清 ,  林颂恩 ,  柯忠廷 ,  赵家峥

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供半导体结构与其形成方法。方法包括形成多个外延层的堆叠于基板上；自堆叠形成第一鳍状结构与第二鳍状结构；形成隔离结构于第一鳍状结构与第二鳍状结构之间；形成覆层于第一鳍状结构与第二鳍状结构上；顺应性沉积第一介电层于覆层上；沉积第二介电层于第一介电层上；平坦化第一介电层与第二介电层，直到露出覆层；进行蚀刻制程，以蚀刻第二介电层而形成盖凹陷；进行修整制程，以修整第一介电层而加宽盖凹陷；以及沉积盖结构于加宽的盖凹陷中。

公开(公告)号：CN115440793A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210792061.0

申请日：2022-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张志仲 ,  林颂恩 ,  柯忠廷 ,  林宥霆 ,  柳依秀 ,  张壬泓 ,  梁栢玮 ,  郭俊铭 ,  卢永诚 ,  徐志安 ,  彭远清

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，包括一对鳍部结构，位于一半导体基底上，每个都包括一垂直堆叠的多个通道层；一介电鳍部，平行于鳍部结构延伸且位于鳍部结构之间；以及一栅极结构，位于鳍部结构上并垂直于鳍部结构延伸，栅极结构与多个通道层啮合。介电鳍部包括一鳍部底部及位于鳍部底部的一鳍部顶部。鳍部底部具有一上表面，延伸至最上层的通道层的一下表面之上。鳍部顶部包括一核心及一外壳，核心具有一第一介电材料，外壳环绕核心并具有不同于第一介电材料的一第二介电材料。