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公开(公告)号：CN119403128A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411417951.9
申请日：2024-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B41/35
Abstract: 半导体器件包括非易失性存储器结构。与非易失性存储器结构耦合的半导体器件中的金属化层的布局被配置为在非易失性存储器结构中实现低电迁移可能性，特别是在与汽车和/或工业等苛刻应用相关的操作温度参数下。非易失性存储器结构与第一金属化层电耦合。第一金属化层将非易失性存储器结构与第二金属化层电耦合，第二金属化层被配置为用于非易失性存储器结构的写入位线金属化层。第一金属化层将非易失性存储器结构与第二金属化层上方的第三金属化层电耦合。第三金属化层被配置为用于非易失性存储器结构的读取位线金属化层。本申请的实施例还公开了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN103811496B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310036581.X
申请日：2013-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L27/11517 , H01L29/42328 , H01L29/7881
Abstract: 本发明提供了用于具有提高编程效率的非易失性存储单元的方法和装置。公开了一种装置，包括在形成半导体衬底上方的浮置栅极的一部分上方所形成的控制栅极。控制栅极包括紧邻半导体衬底中的源极区的源极侧的侧壁间隔件和漏极侧的侧壁间隔件，浮置栅极具有紧邻源极区的未被控制栅极覆盖的上表面部分，位于源极侧的侧壁间隔件和浮置栅极紧邻源极区的上表面上方的聚合物间电介质；以及形成在源极区上方、覆盖聚合物间电介质并且紧邻控制栅极的源极侧的侧壁的擦除栅极，擦除栅极覆盖浮置栅极紧邻源极区的上表面至少一部分。提供了形成装置的方法。
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公开(公告)号：CN115528037A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210548119.7
申请日：2022-05-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11521
Abstract: 本揭露提供一种记忆体装置及其制造方法。记忆体装置包含在装置的记忆体区域及逻辑区域二者内的晶体管元件。在记忆体区域内的晶体管元件包含侧壁间隙壁，其具有在栅极结构的侧表面上的第一氧化层、在第一氧化层上的第一氮化层、在第一氮化层上的第二氧化层及在第二氧化层上的第二氮化层。在逻辑区域内的晶体管元件包含侧壁间隙壁，其具有在栅极结构的侧表面上的第一氧化层、在第一氧化层上的第一氮化层及在第一氮化层上的第二氮化层。
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公开(公告)号：CN103811496A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310036581.X
申请日：2013-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L27/11517 , H01L29/42328 , H01L29/7881
Abstract: 本发明提供了用于具有提高编程效率的非易失性存储单元的方法和装置。公开了一种装置，包括在形成半导体衬底上方的浮置栅极的一部分上方所形成的控制栅极。控制栅极包括紧邻半导体衬底中的源极区的源极侧的侧壁间隔件和漏极侧的侧壁间隔件，浮置栅极具有紧邻源极区的未被控制栅极覆盖的上表面部分，位于源极侧的侧壁间隔件和浮置栅极紧邻源极区的上表面上方的聚合物间电介质；以及形成在源极区上方、覆盖聚合物间电介质并且紧邻控制栅极的源极侧的侧壁的擦除栅极，擦除栅极覆盖浮置栅极紧邻源极区的上表面至少一部分。提供了形成装置的方法。
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