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公开(公告)号：CN116613081A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310709652.1
申请日：2023-06-15
Applicant: 厦门大学 , 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种改善凸块连接结构的耐湿热可靠性的方法，该方法包括以下步骤：(1)对用于半导体器件连接的凸块连接结构进行羟基化处理；(2)对凸块连接结构用有机化合物进行处理以形成自组装分子膜；(3)对凸块连接结构进行脱水处理；(4)采用反应离子刻蚀技术对自组装分子膜进行蚀刻。最终，在凸块连接结构表面，特别是底切结构处形成取向规整、排列紧密有序的自组装分子膜。本发明制备方法简单，形成的自组装分子膜具有高的稳定性和抗腐蚀性，能够有效地改善凸块在湿热环境下的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN111146122B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201911369365.0
申请日：2019-12-26
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本申请公开了一种液体收集装置、显影/刻蚀机台和显影/刻蚀方法，该液体收集装置包括：收集槽；第一环形遮挡件和第二环形遮挡件，设置于收集槽中，且第二环形遮挡件间隔套设于第一环形遮挡件的外围，以将收集槽分割为内腔室、中间腔室和外腔室；内腔室用于容纳承载平台；第一环形遮挡件和第二环形遮挡件的高度可分别调整，以使内腔室或者中间腔室中的一个收集从第一尺寸范围的处理物的外边缘流出的药液，外腔室或者中间腔室中的一个收集从第二尺寸范围的处理物的外边缘流出的药液，剩余腔室收集从第一尺寸范围或第二尺寸范围的处理物的外边缘流出的清洗液。通过上述方式，本申请能够提高液体收集装置处理不同尺寸的处理物时的通用性和适配度。
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公开(公告)号：CN111146123B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201911371431.8
申请日：2019-12-26
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 简永幸
Abstract: 本申请公开了一种液体收集装置、显影/刻蚀机台及显影/刻蚀方法，该液体收集装置包括：收集槽；环形遮挡件，设置在收集槽中以将收集槽分割成独立的内腔室和外腔室；其中，内腔室用于容纳承载平台，承载平台用于承载处理物；环形遮挡件包括环形本体以及与环形本体连接的延伸部，延伸部可收缩地设置在环形本体上，并根据承载平台上承载的不同尺寸的处理物而收缩或者展开延伸部，从而调整环形遮挡件与处理物的外边缘之间的距离，以使从处理物的外边缘流出的药液能够收集至外腔室中。通过上述方式，本申请能够提高液体收集装置处理不同尺寸的处理物时的通用性和适配度。
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公开(公告)号：CN110323145A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910551357.1
申请日：2019-06-24
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 简永幸
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本申请公开了一种晶圆及其制作方法，该制作方法包括：提供间隔设置有多个金属凸块的圆片，其中，所述间隔设置有多个金属凸块的圆片包括有设置于每个所述金属凸块和所述圆片之间的阻挡层；在所述间隔设置有多个金属凸块的圆片上涂胶，以形成至少位于所述阻挡层的外周并包封所述阻挡层的保护层。通过上述方式，本申请能够提高所制作的晶圆的可靠性。
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公开(公告)号：CN115763279A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211283264.3
申请日：2022-10-19
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 简永幸
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种金属凸点的制作方法和芯片。金属凸点的制作方法包括：提供基底；在基底上形成图形化的第一阻挡层；以图形化的第一阻挡层为掩膜在基底上形成第一金属层，以形成金属凸点；在图形化的第一阻挡层上形成图形化的第二阻挡层；以图形化的第一阻挡层和图形化的第二阻挡层为掩膜在基底上形成第二金属层，以调控金属凸点的高度。通过上述方式，本发明在对金属凸点高度进行补偿的时候能够提高补偿段金属与原始金属凸点的对位精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111599726A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010485344.1
申请日：2020-06-01
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种吊杆及晶圆处理设备，所述吊杆包括用于与吊车连接的第一杆、用于挂取产品的第二杆，和用于连接所述第一杆和所述第二杆的连接组件，所述连接组件包括分置于所述第一杆和所述第二杆的第一连接部和第二连接部，所述第一连接部和所述第二连接部分别具有面向对方的配合面；所述第一连接部和所述第二连接部配置为可拆卸连接；当晶圆处理装置在处理晶圆出现故障时，可通过所述连接组件快速拆下第二杆，从而将设置在第二杆上的晶圆及时从药液中取出，避免了晶圆在药液里浸泡过久而导致晶圆报废的现象，本发明结构简单，设计合理，具有较强的实用性。
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公开(公告)号：CN111146122A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911369365.0
申请日：2019-12-26
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本申请公开了一种液体收集装置、显影/刻蚀机台和显影/刻蚀方法，该液体收集装置包括：收集槽；第一环形遮挡件和第二环形遮挡件，设置于收集槽中，且第二环形遮挡件间隔套设于第一环形遮挡件的外围，以将收集槽分割为内腔室、中间腔室和外腔室；内腔室用于容纳承载平台；第一环形遮挡件和第二环形遮挡件的高度可分别调整，以使内腔室或者中间腔室中的一个收集从第一尺寸范围的处理物的外边缘流出的药液，外腔室或者中间腔室中的一个收集从第二尺寸范围的处理物的外边缘流出的药液，剩余腔室收集从第一尺寸范围或第二尺寸范围的处理物的外边缘流出的清洗液。通过上述方式，本申请能够提高液体收集装置处理不同尺寸的处理物时的通用性和适配度。
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公开(公告)号：CN110504193B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201910663243.6
申请日：2019-07-22
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本申请公开了一种半导体的烘烤装置及获取半导体在烤盘上的位置的方法。该烘烤装置包括：烤盘，烤盘的第一表面用于放置半导体，第一表面上设置有多个温度监测点；多个温度传感器，温度传感器对应于温度监测点设置于烤盘上，用于检测温度监测点的温度；处理器，用于接收多个温度监测点的温度，得到多个温度监测点的温度曲线，并根据多个温度曲线得到半导体和烤盘的位置关系。通过此种方式可以较为准确地判断半导体是否全部位于烤盘上，从而能够提高半导体制造的合格率。
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公开(公告)号：CN111485276B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202010507504.8
申请日：2020-06-05
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电镀设备，设置有电镀槽，电镀槽上设置有电连接单元，所述电连接单元包括：顶部开口的溶液槽，所述溶液槽内设置有导电件，所述导电件具有电接触部，所述电接触部低于所述开口；还包括保护液输入口和保护液流出口，所述保护液输入口用于向所述溶液槽输入保护液，所述保护液流出口用于排出所述溶液槽内的所述保护液；通过将导电件设置在溶液槽内，并通过保护液输入口输入保护液，通过循环的保护液对导电件进行保护，使导电件的电接触部始终处于清洁的状态，保证了导电件的导电效果，不会对电镀设备产生影响，从而保证了电镀设备的电镀效果，保证了电镀设备的工作效率，提高电镀质量。
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公开(公告)号：CN110544638B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201910668083.4
申请日：2019-07-23
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本申请公开一种芯片封装结构的制作方法、芯片封装结构及半导体器件，该方法提供的晶圆中具有用于形成硅通孔的沟槽，所述沟槽的侧壁、底壁以及晶圆面上覆盖有金属层，所述金属层上覆盖有保护层；形成覆盖于每个所述沟槽底壁和至少部分侧壁上保护层的胶块，在后续功能凸点的制程能够对沟槽内的保护层形成防护，阻止蚀刻药液渗入，所述胶块的高度平齐于或低于所述晶圆面，不会影响功能凸点的平整性。
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