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公开(公告)号：CN110444479B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910663242.1
申请日：2019-07-22
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/67 , H01L23/488 , C25D5/02 , C25D5/10 , C25D5/50 , C25D7/12
Abstract: 本申请公开了一种金属凸点的制造方法和芯片，该方法包括：对芯片的焊盘至少进行第一电镀处理和第二电镀处理，分别形成层叠第一电镀层和第二电镀层，且第一电镀处理和第二电镀处理的至少部分参数不同；对芯片进行退火处理。通过上述方式，本申请能够节约资源，降低风险，降低生产复杂度。
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公开(公告)号：CN113161314A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110367889.7
申请日：2021-04-06
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 孙彬
IPC: H01L23/488
Abstract: 本申请公开了一种半导体芯片以及显示面板，包括：芯片本体，包括第一表面；多个焊盘，间隔设置于第一表面，且相邻焊盘之间相互错位设置；多个凸块，间隔设置于多个焊盘背离第一表面一侧，且一个凸块与一个焊盘电气连接；其中，凸块包括同层且相互连接的第一金属块和第二金属块，第一金属块的平均宽度小于第二金属块的平均宽度，且相邻第一金属块之间相互错位设置，相邻第二金属块之间错位设置。通过这种设计方式，可以增大凸块生长在保护层的面积，提高凸块和保护层之间的结合力。
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公开(公告)号：CN111463181B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010243848.2
申请日：2020-03-31
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 孙彬
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本申请公开了一种晶圆单元凸块防脱落的方法及晶圆单元，所述晶圆单元包括晶圆，所述晶圆上形成有凸块下金属层，所述凸块下金属层上生长有凸块；所述方法包括：对所述晶圆单元加热到预定温度；并以等离子体态的氮气作为工作气体；至少使凸块下金属层的裸露边缘形成金属氮化物，通过该方法将晶圆单元的凸块下金属处理形成金属氮化物隔离层，对下金属层进行保护，防止凸块的脱落。
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公开(公告)号：CN111613557A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010486214.X
申请日：2020-06-01
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , G03F7/20 , G03F7/38
Abstract: 本申请公开了一种晶圆处理设备，包括：第一传输单元、烘烤单元和加曝单元；所述第一传输单元至少用于将晶圆由烘烤单元运输至所述加曝单元；或/和，所述第一传输单元至少用于将晶圆由所述加曝单元运输至所述烘烤单元，本申请提供的晶圆处理设备包括了烘烤和加曝两种功能，并通过第一传输单元将晶圆在烘烤单元和加曝单元之间的运输，从而实现了通过一台设备能够自动完成至少烘烤和加曝两道工序，满足对晶圆表面光刻胶的加固要求；从而避免了人工操作的风险，提升了生产效率，降低了机台成本。
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公开(公告)号：CN110488573A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910668011.X
申请日：2019-07-23
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本申请公开了一种晶圆光刻方法及晶圆光刻用光罩组件，所述晶圆光刻方法包括：在晶圆表面涂覆一层负性光刻胶；利用产品光罩的视场对至少位于所述晶圆边缘的所述负性光刻胶按预设的曝光单元区域进行逐个曝光，其中，位于所述晶圆边缘的所述曝光单元区域包括产品有效区和/或产品无效区；将空白光罩的视场的至少部分边缘对准所述产品无效区的至少部分边缘，将所述空白光罩的视场覆盖至少部分所述产品无效区，进行曝光，其中，所述空白光罩可用于至少两种规格的产品光罩；对所述晶圆表面的所述负性光刻胶进行显影。通过上述方式，本申请能够实现产品无效区被负性光刻胶完全覆盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111638625B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010509455.1
申请日：2020-06-04
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: G03F1/00
Abstract: 本公开提出一种掩膜版、制备半导体器件的方法和半导体器件，掩膜版包括掩膜基板，掩膜基板上设置有至少一个有效开窗区域以及环绕至少一个有效开窗区域设置的非开窗区域；至少一个有效开窗区域的外侧设置有至少一个无效开窗区域，无效开窗区域能够使得通过对应的有效开窗区域形成的显影区域在受热时不发生变形。本公开的掩膜版，在空旷区设计无效开窗区域，使得通过该无效开窗区域曝光显影后得到光刻胶上的显影非开窗区，将烘烤工艺的热膨胀效应转移至该显影非开窗区域，保护通过掩膜版上正常开窗区得到的光刻胶上的显影开窗区不受光阻膨胀效应影响，由于无效开窗区宽度小，曝光后的光刻胶层显影时无法显开，后续无法生产Bump，不会影响产品。
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公开(公告)号：CN111485276B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202010507504.8
申请日：2020-06-05
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电镀设备，设置有电镀槽，电镀槽上设置有电连接单元，所述电连接单元包括：顶部开口的溶液槽，所述溶液槽内设置有导电件，所述导电件具有电接触部，所述电接触部低于所述开口；还包括保护液输入口和保护液流出口，所述保护液输入口用于向所述溶液槽输入保护液，所述保护液流出口用于排出所述溶液槽内的所述保护液；通过将导电件设置在溶液槽内，并通过保护液输入口输入保护液，通过循环的保护液对导电件进行保护，使导电件的电接触部始终处于清洁的状态，保证了导电件的导电效果，不会对电镀设备产生影响，从而保证了电镀设备的电镀效果，保证了电镀设备的工作效率，提高电镀质量。
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公开(公告)号：CN111640683A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010514199.5
申请日：2020-06-08
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 孙彬
Abstract: 本申请公开了一种驱动芯片上凸块的制备方法，该方法包括：在驱动芯片的功能面上的沟槽线路区表面形成可去除的保护层，沟槽线路区周围的至少一个焊盘从保护层中露出，且保护层在功能面上的正投影大于其与功能面接触的一端在功能面上的正投影；在功能面以及保护层远离功能面一侧形成金属层，且位于功能面上的金属层与保护层的一端之间具有间隔；在每个焊盘位置处分别形成金属凸块；去除保护层以及保护层表面的金属层；去除金属凸块周围未被金属凸块覆盖的金属层。通过上述方式，本申请能够使驱动芯片功能面上沟槽线路区内无金属残留，避免因沟槽线路区与残留金属电连接导致驱动芯片短路，提高驱动芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN111485276A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010507504.8
申请日：2020-06-05
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电镀设备电连接单元及电镀设备，其中所述电连接单元包括：顶部开口的溶液槽，所述溶液槽内设置有导电件，所述导电件具有电接触部，所述电接触部低于所述开口；还包括保护液输入口和保护液流出口，所述保护液输入口用于向所述溶液槽输入保护液，所述保护液流出口用于排出所述溶液槽内的所述保护液；通过将导电件设置在溶液槽内，并通过保护液输入口输入保护液，通过循环的保护液对导电件进行保护，使导电件的电接触部始终处于清洁的状态，保证了导电件的导电效果，不会对电镀设备产生影响，从而保证了电镀设备的电镀效果，保证了电镀设备的工作效率，提高电镀质量。
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公开(公告)号：CN111463181A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010243848.2
申请日：2020-03-31
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 孙彬
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本申请公开了一种晶圆单元凸块防脱落的方法及晶圆单元，所述晶圆单元包括晶圆，所述晶圆上形成有凸块下金属层，所述凸块下金属层上生长有凸块；所述方法包括：对所述晶圆单元加热到预定温度；并以等离子体态的氮气作为工作气体；至少使凸块下金属层的裸露边缘形成金属氮化物，通过该方法将晶圆单元的凸块下金属处理形成金属氮化物隔离层，对下金属层进行保护，防止凸块的脱落。
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