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公开(公告)号：CN110444479B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910663242.1
申请日：2019-07-22
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/67 , H01L23/488 , C25D5/02 , C25D5/10 , C25D5/50 , C25D7/12
Abstract: 本申请公开了一种金属凸点的制造方法和芯片，该方法包括：对芯片的焊盘至少进行第一电镀处理和第二电镀处理，分别形成层叠第一电镀层和第二电镀层，且第一电镀处理和第二电镀处理的至少部分参数不同；对芯片进行退火处理。通过上述方式，本申请能够节约资源，降低风险，降低生产复杂度。
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公开(公告)号：CN111627880A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010499138.6
申请日：2020-06-04
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/00 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种半导体凸块及其制备方法、封装结构。制备方法包括：提供基底；在基底上形成凸块下金属层；对凸块下金属层进行第一次构图工艺，以在凸块下金属层上形成第一金属功能层；对凸块下金属层和第一金属功能层进行第二次构图工艺，形成覆盖第一金属功能层表面的第二金属功能层。采用两次构图工艺分别形成第一金属功能层以及覆盖在第一金属功能层上的第二金属功能层，可以避免第一金属功能层直接暴露在空气中，从而可以有效避免第一金属功能层(活性较强，如铜等)在空气中发生氧化和腐蚀等导致失效的现象发生，提高半导体凸块的制作良率，并能够有效避免应用该半导体凸块的芯片发生漏电情况，提高芯片的安全性能。
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公开(公告)号：CN110444479A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910663242.1
申请日：2019-07-22
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/67 , H01L23/488 , C25D5/02 , C25D5/10 , C25D5/50 , C25D7/12
Abstract: 本申请公开了一种金属凸点的制造方法和芯片，该方法包括：对芯片的焊盘至少进行第一电镀处理和第二电镀处理，分别形成层叠第一电镀层和第二电镀层，且第一电镀处理和第二电镀处理的至少部分参数不同；对芯片进行退火处理。通过上述方式，本申请能够节约资源，降低风险，降低生产复杂度。
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公开(公告)号：CN111485276B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202010507504.8
申请日：2020-06-05
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电镀设备，设置有电镀槽，电镀槽上设置有电连接单元，所述电连接单元包括：顶部开口的溶液槽，所述溶液槽内设置有导电件，所述导电件具有电接触部，所述电接触部低于所述开口；还包括保护液输入口和保护液流出口，所述保护液输入口用于向所述溶液槽输入保护液，所述保护液流出口用于排出所述溶液槽内的所述保护液；通过将导电件设置在溶液槽内，并通过保护液输入口输入保护液，通过循环的保护液对导电件进行保护，使导电件的电接触部始终处于清洁的状态，保证了导电件的导电效果，不会对电镀设备产生影响，从而保证了电镀设备的电镀效果，保证了电镀设备的工作效率，提高电镀质量。
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公开(公告)号：CN111485276A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010507504.8
申请日：2020-06-05
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电镀设备电连接单元及电镀设备，其中所述电连接单元包括：顶部开口的溶液槽，所述溶液槽内设置有导电件，所述导电件具有电接触部，所述电接触部低于所述开口；还包括保护液输入口和保护液流出口，所述保护液输入口用于向所述溶液槽输入保护液，所述保护液流出口用于排出所述溶液槽内的所述保护液；通过将导电件设置在溶液槽内，并通过保护液输入口输入保护液，通过循环的保护液对导电件进行保护，使导电件的电接触部始终处于清洁的状态，保证了导电件的导电效果，不会对电镀设备产生影响，从而保证了电镀设备的电镀效果，保证了电镀设备的工作效率，提高电镀质量。
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公开(公告)号：CN111501082B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010499139.0
申请日：2020-06-04
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种电镀电极保护装置、电镀系统以及半导体处理设备。所述保护装置包括保护罩以及与保护罩相连的驱动机构；在电镀电极处于非电镀状态时，驱动机构驱动保护罩移动至电镀电极上方，以及，在电镀电极处于电镀状态时，驱动机构驱动保护罩从电镀电极上方离开。本发明的电镀电极保护装置，在电镀电极处于非电镀状态时，驱动机构驱动保护罩移动至电镀电极上方，以保护电镀液等杂质落入电镀电极上，从而可以有效避免电镀电极上形成不导电的颗粒杂质(如固态盐等)，进而可以提高待电镀件(如晶圆等)的工艺制作良率，降低制作成本。在电镀电极处于电镀状态时，驱动机构驱动保护罩从电镀电极上方离开，使得电镀电极可以正常完成电镀工艺。
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公开(公告)号：CN111501082A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010499139.0
申请日：2020-06-04
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种电镀电极保护装置、电镀系统以及半导体处理设备。所述保护装置包括保护罩以及与保护罩相连的驱动机构；在电镀电极处于非电镀状态时，驱动机构驱动保护罩移动至电镀电极上方，以及，在电镀电极处于电镀状态时，驱动机构驱动保护罩从电镀电极上方离开。本发明的电镀电极保护装置，在电镀电极处于非电镀状态时，驱动机构驱动保护罩移动至电镀电极上方，以保护电镀液等杂质落入电镀电极上，从而可以有效避免电镀电极上形成不导电的颗粒杂质(如固态盐等)，进而可以提高待电镀件(如晶圆等)的工艺制作良率，降低制作成本。在电镀电极处于电镀状态时，驱动机构驱动保护罩从电镀电极上方离开，使得电镀电极可以正常完成电镀工艺。
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