公开(公告)号：CN116613081A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310709652.1

申请日：2023-06-15

Applicant: 厦门大学 ,  厦门通富微电子有限公司

Inventor： 钟毅 ,  刘中良 ,  陈昇晖 ,  简永幸 ,  何腾腾 ,  江彬彬

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种改善凸块连接结构的耐湿热可靠性的方法，该方法包括以下步骤：(1)对用于半导体器件连接的凸块连接结构进行羟基化处理；(2)对凸块连接结构用有机化合物进行处理以形成自组装分子膜；(3)对凸块连接结构进行脱水处理；(4)采用反应离子刻蚀技术对自组装分子膜进行蚀刻。最终，在凸块连接结构表面，特别是底切结构处形成取向规整、排列紧密有序的自组装分子膜。本发明制备方法简单，形成的自组装分子膜具有高的稳定性和抗腐蚀性，能够有效地改善凸块在湿热环境下的可靠性和稳定性。

公开(公告)号：CN117711922A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311715644.4

申请日：2023-12-14

Applicant: 厦门通富微电子有限公司

Inventor： 何腾腾

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311

Abstract: 本公开实施例提供一种等离子切割后光刻胶的去除方法及半导体器件，该方法包括：提供以光刻胶层为掩膜进行等离子切割后形成的晶圆，其中，光刻胶层的表面形成有钝化层；在预设蚀刻条件下，对钝化层依次进行多次等离子蚀刻，以将钝化层去除；通过湿法去胶法将光刻胶层去除。采用多次分段的方式对对钝化层进行等离子蚀刻，减少连续对钝化层进行等离子蚀刻时钝化层表面出现电浆累积，避免造成局部光刻胶层被击穿，保护晶圆的PI层不被破坏；减少连续对钝化层进行等离子蚀刻时钝化层表面温度的累积，消除光刻胶层皱缩，降低电浆击穿光刻胶层的现象，增加了晶圆的良率。

公开(公告)号：CN117747415A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311598088.7

申请日：2023-11-27

Applicant: 厦门通富微电子有限公司

Inventor： 何腾腾

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L21/78 ,  G03F7/20

Abstract: 本公开实施例提供一种光刻方法、形成切割道的方法及晶圆切割方法，该光刻方法包括：提供晶圆和掩膜版；在晶圆的表面形成正性光刻胶层；将掩膜版放置于正性光刻胶层之上；以掩膜版为掩膜，根据曝光策略对正性光刻胶层依次进行多次曝光，其中，多次曝光的曝光能量之和等于目标总曝光能量；对曝光后的正性光刻胶层进行显影，将掩膜版上的图形转移到正性光刻胶层上；以图形化后的正性光刻胶层为掩膜，图形化晶圆。该光刻方法可以降低单次曝光能量，在满足目标总曝光能量的情况下，降低曝光过程中高曝光能量产生的热效应累积，减少曝光机物镜因热效应累积产生的形变，从而降低曝光聚焦高度偏离值，曝光方式稳定性好，提高显影的良率，改善显影效果。

公开(公告)号：CN119143073A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411270338.9

申请日：2024-09-11

Applicant: 厦门通富微电子有限公司

Inventor： 何腾腾

IPC: B81C1/00 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D7/12 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开实施例提供一种密集线圈制备方法及密集线圈，该方法包括：提供晶圆，晶圆的功能面设置有焊盘；在晶圆的功能面上形成种子层；在种子层上形成光刻胶层，对光刻胶层进行图形化以形成开窗，开窗的顶壁横截面尺寸小于开窗的底壁横截面尺寸；采用第一电流密度在开窗内电镀形成第一金属凸块，第一金属凸块通过种子层与所述焊盘电连接；采用第二电流密度在第一金属凸块上电镀形成第二金属凸块，以形成线圈本体，其中，所第二电流密度大于第一电流密度；去除残余的光刻胶层和部分种子层。通过该密集线圈制备方法得到的密集线圈可以避免线圈脱落，可靠性高。

公开(公告)号：CN117995773A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410115969.7

申请日：2024-01-29

Applicant: 厦门通富微电子有限公司

Inventor： 何腾腾 ,  张正鸿

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开实施例提供一种晶圆切割方法及晶粒，该方法包括：提供晶圆和遮挡环，晶圆的边缘区域具有预设固定区域；在晶圆的第一表面形成正性光刻胶层；将遮挡环放置于正性光刻胶层，遮挡环的位置与预设固定区域的位置相对应；对正性光刻胶层进行曝光；去除遮挡环；对曝光后的正性光刻胶层进行显影，图形化正性光刻胶层；采用等离子切割工艺对晶圆进行切割，以在晶圆上形成多个切割槽；去除正性光刻胶层，并对切割后的晶圆进行减薄和扩膜形成多个晶粒。由于遮挡环遮挡区域的正性光刻胶层未被曝光，显影后可完整的保留在晶圆的预设固定区域，可以在等离子切割过程中对预设固定区域起到保护作用而不被切割，保证了晶圆边缘区域的强度，提高晶圆切割效果。

公开(公告)号：CN116190247A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310084911.6

申请日：2023-02-07

Applicant: 厦门通富微电子有限公司

Inventor： 何腾腾

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  C25D7/12

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体凸块的制备方法、半导体凸块及封装结构，所述方法包括：提供基板；其中，所述基板设置有钝化层，并且所述钝化层具有开口；采用第一电流密度在所述钝化层和所述开口中电镀形成中间半导体凸块；采用第二电流密度在所述中间半导体凸块上电镀形成最终的半导体凸块；其中，所述第一电流密度小于所述第二电流密度。本公开实施例采用较低的第一电流密度保证钝化层的开口侧壁金外形平滑形成中间半导体凸块，增强填充效应，避免电镀孔洞形成；采用较高的第二电流密度电镀剩余的半导体凸块，在不改变退火温度保证应力释放充分，降低凸块硬度下降幅度，满足半导体凸块硬度需求。