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公开(公告)号：CN117995773A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410115969.7
申请日：2024-01-29
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 本公开实施例提供一种晶圆切割方法及晶粒，该方法包括：提供晶圆和遮挡环，晶圆的边缘区域具有预设固定区域；在晶圆的第一表面形成正性光刻胶层；将遮挡环放置于正性光刻胶层，遮挡环的位置与预设固定区域的位置相对应；对正性光刻胶层进行曝光；去除遮挡环；对曝光后的正性光刻胶层进行显影，图形化正性光刻胶层；采用等离子切割工艺对晶圆进行切割，以在晶圆上形成多个切割槽；去除正性光刻胶层，并对切割后的晶圆进行减薄和扩膜形成多个晶粒。由于遮挡环遮挡区域的正性光刻胶层未被曝光，显影后可完整的保留在晶圆的预设固定区域，可以在等离子切割过程中对预设固定区域起到保护作用而不被切割，保证了晶圆边缘区域的强度，提高晶圆切割效果。
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