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公开(公告)号：CN119413729A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411541629.7
申请日：2024-10-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及精密光学测量仪器标定技术，公开了一种四光弹调制器型穆勒矩阵偏振系统的参数校准方法及系统，该方法包括：进行偏振实验；引入包含动态参数的检偏臂基向量和起偏臂基向量，建立光强信号与这些基向量及光强投影矩阵的计算模型；通过偏振实验及计算模型，利用非线性回归方法校准检偏臂和起偏臂基向量中的动态参数，这些动态参数包括光弹调制器的峰值延迟量、调制频率和初始相位。进一步，通过特征值校准方法获取包含系统静态参数的矩阵，直接用于测量，静态参数包括偏振元件的方位角和光弹调制器的静态延迟量。该方法引入基向量，通过非线性回归投影探测光强，实现动态参数的校准，随后利用特征值校准静态参数，操作简便，校准精度高。
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公开(公告)号：CN118624537A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410728518.0
申请日：2024-06-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明属于精密光学测量相关技术领域，其公开了一种双光弹调制器型穆勒矩阵椭偏仪的系统参数校准方法及设备，该方法包括以下步骤：S1，关闭两个光弹调制器，采集光强信息，进而通过光强拟合的方式标定检偏器相对于起偏器的方位角和系统增益系数；S2，打开第一个光弹调制器，使用第一采样率采集一组光强，并使用频域光强拟合的方法校准出第一光弹调制器的方位角和峰值延迟量，同时得到调制频率，然后使用第二采样率采集一组光强，并使用时域光强拟合的方法校准出第一光弹调制器的初相位和静态延迟量；S3，关闭第一个光弹调制器，打开第二个光弹调制器，对第二个光弹调制器同样基于光强拟合进行校准。本发明避免了使用多个锁相放大器。
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公开(公告)号：CN114608494B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202210330679.5
申请日：2022-03-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体测量技术领域，具体涉及一种纳米结构三维形貌小角X射线散射测量方法及装置，包括：对待测样品的纳米结构周期单元的三维形貌进行描述，并用以建立三维形貌的透射小角X射线散射场模型；对三维形貌进行透射小角X射线散射场测量，得到散射图谱，其中采用的定位系统能够大范围变化入射角和方位角，能够实现多角度散射图谱测量，在此基础上在参数提取中通过特定公式在图谱中直接提取三维形貌周期信息，提取方式高效、准确，上述公式是通过将不同旋转角度ω下的Δqxz用余弦函数进行拟合得到。本发明方法是一种全新的高效实现复杂IC纳米结构三维形貌快速、非破坏性、精确测量的方法。
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公开(公告)号：CN113281267A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110530232.8
申请日：2021-05-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双旋转补偿器型穆勒矩阵椭偏仪系统参数的校准方法，属于精密光学测量仪器系统校准领域，该方法包括将多个校准样件依次放置于第一旋转补偿器和第二旋转补偿器之间的校准平面，采集多个校准样件的光强信息；对所述光强信息进行傅里叶分析获得所述光强信息的傅里叶系数，结合所述傅里叶系数建立所述光强信息的矩阵形式函数；使用特征值校准法求解光强信息的矩阵形式函数，得到校准后的起偏臂的调制矩阵和检偏臂的分析矩阵，从而完成系统参数的校准。本发明提出的双旋转补偿器型穆勒矩阵椭偏仪系统参数的校准方法无需对系统进行建模，可以避免因建模偏差引入的系统误差，大幅度降低了系统校准的难度并且大大提高了系统的校准精度。
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公开(公告)号：CN110687681B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910854187.4
申请日：2019-09-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光学膜系设计领域，并涉及一种光学膜系优化设计方法及产品，其具体为首先计算在初始膜系各处插入不同材料膜层后对应的目标评价函数值，以使用循环遍历的方法在初始膜系最合适的位置插入最合适材料的薄层，再对新得的膜系厚度进行优化，然后循环进行插入优化过程，以优化获得的所需膜系。通过本发明可设计获得非偏振膜系、减反膜系和消偏振分束器，相比于目前常用的Needle或其改进方法，本发明不仅能对反射偏振特性目标，亦可对透射偏振特性目标实施优化，且在一定条件下优化速度极快。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109141259B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810885777.9
申请日：2018-08-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B11/06 , G01N21/01 , G01N21/552
Abstract: 本发明属于光学测量相关技术领域，其公开了薄吸收膜的光学常数与厚度的测量装置及方法，该测量装置包括集成于一体的椭偏参数测量模块与反射率测量模块，所述椭偏参数测量模块与所述反射率测量模块相对设置，且所述椭偏参数测量模块得到的探测光束与所述反射率测量模块得到的探测光束辐照于待测样品的相同位置，从而实现了待测样品表面同一点的椭偏参数与反射率的同时、原位及在线测量。本发明实现了薄吸收膜光学常数与厚度的有效表征，同时实现了非透明基底上薄吸收膜的光学常数与厚度的原位表征，且结构简单，易于实施。
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公开(公告)号：CN110244527B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910510463.5
申请日：2019-06-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种套刻标记形貌和测量条件优化方法，属于光刻领域。首先，根据光刻工艺确定套刻标记形貌结构和材料光学常数。其次，通过解析或数值的建模方法可计算套刻光学表征曲线。然后，根据泰勒公式得到套刻测量重复性精度和准确度的表达式。接着，选择待优化变量和合适的多目标算法，对套刻测量重复性精度和准确度进行优化，获得多个帕累托优化结果。最后，验证多个帕累托优化结果的鲁棒性，选择鲁棒性较好的结果作为最终优化结果。本发明公开的方法对eDBO方法的套刻标记形貌和测量条件同时进行了优化，最终优化结果具有重复性精度高、测量准确度高、测量鲁棒性好的特点，满足了光刻工艺中套刻误差测量的需要。
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公开(公告)号：CN109141259A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810885777.9
申请日：2018-08-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B11/06 , G01N21/01 , G01N21/552
CPC classification number: G01B11/06 , G01N21/01 , G01N21/552
Abstract: 本发明属于光学测量相关技术领域，其公开了薄吸收膜的光学常数与厚度的测量装置及方法，该测量装置包括集成于一体的椭偏参数测量模块与反射率测量模块，所述椭偏参数测量模块与所述反射率测量模块相对设置，且所述椭偏参数测量模块得到的探测光束与所述反射率测量模块得到的探测光束辐照于待测样品的相同位置，从而实现了待测样品表面同一点的椭偏参数与反射率的同时、原位及在线测量。本发明实现了薄吸收膜光学常数与厚度的有效表征，同时实现了非透明基底上薄吸收膜的光学常数与厚度的原位表征，且结构简单，易于实施。
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公开(公告)号：CN109115695A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810891464.4
申请日：2018-08-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/27
Abstract: 本发明属于各向异性体材料测量相关技术领域，其公开了一种各向异性体材料光学常数和欧拉角的提取方法，该方法包括以下步骤：(1)建立待测样品的测试系统，通过所述测试系统获得待测样品的测量穆勒矩阵光谱Mm；(2)根据4×4矩阵法建立待测样品的正向光学模型，并计算出待测样品的部分传输矩阵；(3)结合光学常数拟合初值及所述部分传输矩阵计算出待测样品的理论穆勒矩阵光谱Mc；(4)计算出理论穆勒矩阵光谱与测量光谱之间的均方根误差，并寻优光学常数以使得该均方根误差小于设定阈值，从而提取出待测样品多波长下的光学常数和欧拉角。本发明的分析过程简单，测量准确性较高，适用性较好，灵活性较高。
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公开(公告)号：CN108709514A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810216877.2
申请日：2018-03-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B11/26
Abstract: 本发明属于光电检测与测量领域，并具体公开了一种紧凑型滚转角传感器装置及测量方法，包括线偏振光产生模块、传感模块和集成检测模块，线偏振产生模块包括激光器和线偏振器，传感模块包括波片，波片与待测旋转元件相连并同步转动，集成检测模块包括圆偏振分束超透镜和光强探测器；所述方法采用所述装置进行测量，由激光器发出的准直单色光经线偏振器起偏为线偏振光，然后经波片调制为椭圆偏振光，再垂直照射至圆偏振分束超透镜，经偏振分离和会聚后，得到左旋圆偏振会聚光和右旋圆偏振会聚光，最后左旋和右旋圆偏振会聚光会聚到探测器感光面上不同的两点上，并由探测器测量其光强。本发明具有测量范围大、测量精度高、整体体积小、光路简单的优点。
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