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公开(公告)号：CN114164399B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202111314386.X
申请日：2021-11-08
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种提高一维链状晶体结构硒化锑薄膜空穴浓度的方法，其中，该方法包括：将掺杂剂和硒化锑以粉末形式充分混合，形成混合粉末，所述掺杂剂包括第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物；将所述混合粉末进行烧结再研磨，得到掺杂粉末；将所述掺杂粉末作为蒸发源，通过气相转移沉积法得到掺杂硒化锑薄膜，所述掺杂硒化锑薄膜中的锑元素被所述掺杂剂中的第Ⅳ主族元素替换。选用第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物作为掺杂剂对硒化锑进行掺杂，实验研究表明，使用该掺杂剂能够将硒化锑薄膜的空穴载流子浓度提升至1×1016cm‑3以上。
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公开(公告)号：CN114164399A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111314386.X
申请日：2021-11-08
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种提高一维链状晶体结构硒化锑薄膜空穴浓度的方法，其中，该方法包括：将掺杂剂和硒化锑以粉末形式充分混合，形成混合粉末，所述掺杂剂包括第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物；将所述混合粉末进行烧结再研磨，得到掺杂粉末；将所述掺杂粉末作为蒸发源，通过气相转移沉积法得到掺杂硒化锑薄膜，所述掺杂硒化锑薄膜中的锑元素被所述掺杂剂中的第Ⅳ主族元素替换。选用第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物作为掺杂剂对硒化锑进行掺杂，实验研究表明，使用该掺杂剂能够将硒化锑薄膜的空穴载流子浓度提升至1×1016cm‑3以上。
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公开(公告)号：CN113871508B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202110959821.8
申请日：2021-08-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种碲半导体薄膜红外探测器件，属于红外探测技术领域，能够解决当前Te短波红外探测器难以兼顾暗电流、响应度以及CMOS兼容性的技术难题。所述碲半导体薄膜红外探测器件包括：第一电极，第一电极为透明电极；电子传输层，设置在第一电极上；碲薄膜层，设置在电子传输层上；第二电极，设置在碲薄膜层上。本发明用于制作红外探测器件。
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公开(公告)号：CN115360261B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210844158.1
申请日：2022-07-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0445
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳能电池的光电转换材料的制备技术领域，公开了一种制备V字型Br梯度CsPbI3‑xBrx吸光层的方法，是利用真空热蒸发法，沉积第一层CsPbI3‑xBrx材料，随着沉积厚度的加深，x不断减小；接着，再沉积第二层CsPbI3‑xBrx材料，使得随着沉积厚度的加深，x不断增大，从而得到V字型Br梯度CsPbI3‑xBrx吸光层；该吸光层从光入射面至光出射面，Br元素在I元素与Br元素总和中的原子占比，呈先降低、后增大的V字型梯度变化趋势。本发明能够控制CsPbI3‑xBrx梯度膜的能带间隙在1.7‑1.9eV区间内变化，并形成V字型能带。
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公开(公告)号：CN117139099A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311019691.5
申请日：2023-08-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种长短唇结构气刀及利用该气刀制备钙钛矿薄膜的方法，属于太阳能电池薄膜制备领域。本发明通过设置合理的气刀长短唇差，以及在长唇顶部设置具有一定夹角的切削结构，使得气流从气刀出风口处流出后在气刀长唇顶处产生向短唇方向流动，形成具有一定角度的扩散气流，该扩散气流作用于基底上的液膜后会形成更广的强风场区域范围，液膜快速干燥后，可以得到高结晶质量的薄膜。本发明在制备薄膜时还通过调节气刀与基底液膜之间的距离以及增大扩散气流相对于基底液膜的偏转角度，进一步减小了薄膜干燥过程中弱风场的作用范围，从而获得均匀致密的钙钛矿薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116525698A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310387185.5
申请日：2023-04-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种室内光伏器件及其制备方法，属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域。本发明室内光伏器件从下至上依次为导电玻璃、电子传输层、光吸收层、空穴传输层、导电电极和金属栅电极；光吸收层为镉硫硒三元化合物薄膜。本发明中镉硫硒三元化合物薄膜结合了CdS和CdSe的性质，具有良好的电性能，通过控制S与Se的元素比例实现带隙的连续调节(1.80eV‑1.90eV)，在可见光区域具有高吸收系数，满足室内光源光谱需求，提高能量转化效率。本发明有力地推动了镉硫硒三元化合物薄膜在室内光伏领域的发展，并且在物联网领域的应用中表现出巨大的发展前景。
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公开(公告)号：CN115295667A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210842993.1
申请日：2022-07-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体薄膜退火处理技术领域，公开了一种热压后退火改善硒化镉薄膜质量的方法，该方法是以硒化镉薄膜为处理对象，在保护性气体的气氛环境下，将硒化镉薄膜直接与导热基底贴合，同时对所述硒化镉薄膜施加压力，在保持压力条件下进行加热退火；由此得到的退火后的硒化镉薄膜相较于处理前的硒化镉薄膜，晶粒尺寸更大、且薄膜孔隙率更小。本发明通过在退火过程中对薄膜进行额外加压，配合加热热火对硒化镉薄膜进行后处理，能够改善当前硒化镉薄膜多孔与高粗糙度问题。
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公开(公告)号：CN115148841A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210728287.4
申请日：2022-06-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0725 , H01L31/073 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电材料领域，公开了一种硒化镉/晶硅叠层太阳能电池及其制备方法，该叠层太阳能电池包括硒化镉太阳能电池顶电池和晶硅太阳能电池底电池，当太阳光照射至该叠层太阳能电池时，太阳光能够先后入射至顶电池和底电池；并且，该叠层太阳能电池具体为四端器件或两端器件，四端器件具有四个输出端口，顶电池和底电池能够单独工作、载流子传输互不影响；两端器件具有两个输出端口，顶电池与底电池串联连接，能够形成电通路。本发明通过使用硒化镉太阳能电池与晶硅太阳能电池形成四端或两端的叠层太阳能电池，能够有效提升太阳光的利用效率。
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公开(公告)号：CN112490298B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202011355151.0
申请日：2020-11-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硒化镉类单晶薄膜制备方法、太阳能电池制备方法及产物，属于光电材料领域，薄膜制备方法包括：(S1)将导电基底加热至第一预设温度并维持第一预设时间；(S2)以硒化镉粉末为蒸发源，将蒸发源加热至第二预设温度后，利用快速热蒸发法在导电基底上沉积得到晶体取向单一的硒化镉薄膜；在此基础上，太阳能电池制备方法包括：(T1)活化导电基底上沉积的硒化镉薄膜；(T2)在硒化镉薄膜的表面旋涂一层高分子空穴收集层；(T3)在高分子空穴收集层的表面旋涂一层Cu基空穴收集层；(T4)在Cu基空穴收集层的表面沉积顶电极。本发明制备的硒化镉薄膜可以很好地应用于制备叠层太阳能电池，并且可应用于大规模量产。
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