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公开(公告)号：CN117966248A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311837663.4
申请日：2023-12-28
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC分类号： C30B7/14
摘要： 本申请涉及一种溶液法晶体生长的方法及其装置、晶体，所述方法包括：将置于补料区的第一前驱体溶液流入缓冲区进行缓冲，以使所述第一前驱体溶液的温度得到缓冲；将置于生长区的第二前驱体溶液进行晶体生长，且同时所述缓冲区中的第一前驱体溶液不断流入所述生长区，以及同时所述生长区的第二前驱体溶液中的生长完的溶液流入回收区，以使所述生长区的第二前驱体溶液中的晶体体系处于一致稳态中，得到形貌规整的晶体。本申请内容解决了现有溶液法晶体生长而导致晶体偏析的技术问题。
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公开(公告)号：CN117926422A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410089684.0
申请日：2024-01-23
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本申请涉及一种金属卤化物单晶及其制备方法、半导体材料、快中子直接探测器，所述金属卤化物单晶的化学式为(C10H26N2)4Pb3I14，所述金属卤化物单晶的晶体结构为零维结构，由有机阳离子(C10H26N2)2+和无机结构单元[Pb3I12]6‑组成，同时含有两个游离的I‑离子；其中，三个共面连接的Pb‑I八面体组成一个孤立的零维结构单元，(C10H26N2)2+位于任意两个无机结构单元[Pb3I12]6‑形成的空隙中。该金属卤化物材料由于其较高的氢原子密度而充当快中子敏感材料，同时充当产生电信号的半导体材料，可以将入射中子的能量转换为易于测量的电脉冲信号，进而实现直接探测。
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公开(公告)号：CN117843849A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410063494.1
申请日：2024-01-16
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC分类号： C08F212/08 , C08F212/32 , C08F2/02 , C08F212/12 , G01T1/203
摘要： 本发明公开了一种有机塑料闪烁体及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：称取塑料单体、闪烁物质和引发剂置于密闭瓶中；溶解密闭瓶中的物质并混合均匀；将所述密闭瓶中物质进行缓慢变温聚合反应，聚合反应完成后得到有机塑料闪烁体。本方法采用缓慢变温聚合法避免了传统溶剂挥发法制备过程中产生大量的气泡导致闪烁体出光性差的问题，保证了塑料闪烁体的高均匀性和高透明度。此外，本方法原料成本低、操作简单且低温可控，制备的塑料闪烁体性能优异，其具有大尺寸、高透明度、高均一性、短寿命和高光产额的优势，打破了传统闪烁体所遇到的瓶颈问题，在超快辐射探测领域展现了极大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN112531116B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202011283052.6
申请日：2020-11-16
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本发明提供了一种钙钛矿超快X射线探测器，自上至下依次包括：金属电极、电子传输层；钙钛矿材料层、空穴传输层和衬底层；其中，X射线从所述探测器的一侧入射，并在钙钛矿材料层中产生电子空穴对，工作电压施加在衬底层，产生电信号，并通过所述金属电极输出，本发明提供了一种钙钛矿超快X射线探测器，X射线斜向入射到钙钛矿材料层，可以在设计钙钛矿材料层时，减小其厚度，以提高响应速度，满足对响应速度要求较高的CT应用要求，本发明提供的钙钛矿超快X射线探测器制备方法，给出了钙钛矿超快X射线探测器的制备方法，保证探测器的使用稳定性，层间形成有效接触。
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公开(公告)号：CN116249361A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211702773.5
申请日：2022-12-28
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种X射线探测器的制作方法。本发明通过采用异方性导电胶作为粘结层，将钙钛矿层与ITO玻璃基板异质集成，可以很好地避免因钙钛矿层和基底热膨胀系数不同导致的钙钛矿层脱落的问题发生。同时，采用ACA胶作为粘结层，能够提供更强的粘结力，使制作的器件具有更好的力学稳定性。
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公开(公告)号：CN116024549A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310109324.8
申请日：2023-02-14
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/30 , C23C16/52 , G01T1/202 , C30B29/64 , C30B28/14 , C30B25/00 , C30B29/12
摘要： 本发明公开了一种三源共蒸制备CsPbBr3膜的方法。通过分别同时蒸发PEABr、CsBr和PbBr2原料，通过称量蒸发前后基底的质量,计算出蒸发到基底上的原料的质量，进而标定PEABr、CsBr和PbBr2的实际蒸发速率，选用合适的蒸发速率，得到致密低缺陷的CsPbBr3厚膜。本发明避免了对现有制备技术的使用，解决了现有技术中存在的技术问题。并通过三源共蒸制备低缺陷浓度的CsPbBr3膜，通过引入PEABr，利用其钝化缺陷作用，填补Br空位缺陷，并且能够形成二维RP型钙钛矿，可以有效减少缺陷浓度，显著减少暗电流浓度，并且提高CsPbBr3探测器性能，以便和后端成像面板兼容。
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公开(公告)号：CN115467025A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211119141.6
申请日：2022-09-13
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本申请提供一种快中子直接探测材料的制备方法，包括如下步骤：提供溶剂，将(3‑AMP)Br2、PbBr2、MABr加入所述溶剂形成溶液，使所述溶液中的溶质具有预定化学组成，所述预定化学组成与待制备的快中子直接探测材料的化学组成相同；对所述溶液在预定温度下和预定时间内蒸发除去溶剂，得到所述快中子直接探测材料。本申请可增加钙钛矿/有机阳离子复合探测材料的载流子传输性能。
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公开(公告)号：CN115261786A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210979094.6
申请日：2022-08-16
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本发明实施例提供了一种Micro‑CT探测器镀膜方法、一种掩膜。其中，Micro‑CT探测器镀膜方法包括：将预制电子显微镜载网掩盖在Micro‑CT探测器单晶上，由于预制电子显微镜载网暴露有Micro‑CT探测器单晶需要镀膜的目标晶面，因而可以直接对目标晶面进行真空镀膜，来制备得到Micro‑CT探测器像素化电极阵列。由于电子显微镜载网的制造成本较精细金属掩模版低，能有效降低对Micro‑CT探测器进行镀膜过程的成本。
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公开(公告)号：CN115188896A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210822755.4
申请日：2022-07-12
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种多元钙钛矿材料、厚膜的制备方法及X射线探测器，其中的多元钙钛矿材料的化学组分为ABX3；A为多元阳离子基团，B为二价金属离子，X为卤素阴离子，多元钙钛矿材料的制备方法包括：基于ABX3的化学配比获取原料；在所述原料中加入反溶剂后进行反应球磨，获得反应产物；在进行反应球磨时，控制球磨机转速为400～600rpm，球磨时间为24～36小时；对所述反应产物进行干燥处理，获得多元钙钛矿粉末；上述方法能够制备纯相的多元钙钛矿粉末，避免在制备多元钙钛矿厚膜的过程中产生分相和偏析，提高了X射线探测器的器件性能。
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公开(公告)号：CN108807692A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810557570.9
申请日：2018-06-01
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明公开了一种抑制钙钛矿探测器暗电流的方法，该方法是通过向钙钛矿材料中掺杂痕量的高价阳离子，该高价阳离子的价态高于钙钛矿ABX3结构中的B位元素的价态，这些高价阳离子与钙钛矿材料中所含的B位元素两者的原子比不高于10‑5：1，从而降低钙钛矿材料的载流子浓度，并降低以该钙钛矿材料作为活性材料的探测器的暗电流。本发明通过控制掺杂元素的种类，尤其通过对掺杂元素浓度的调控，向钙钛矿活性层材料中掺杂痕量的高价阳离子，能够有效解决现有技术钙钛矿探测器中存在的暗电流高和灵敏度低的问题，并解决灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾的问题，获得高性能、稳定的半导体探测器。
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