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公开(公告)号：CN118547367A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410618242.0
申请日：2024-05-17
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种硫卤化物晶体、制备方法及其应用，该制备方法通过获取硫卤化物晶体原料，对硫卤化物晶体原料进行烧结，让两种原料充分反应合成钙钛矿相，得到长晶原料，使得硫卤化物晶体原料进行初始成型；硫卤化物晶体原料初始成型后进行定向凝固过程，含有杂质的硫卤化物晶体原料熔液在结晶的过程中，杂质会在固体和熔液中以不同的比例重新分配，通过控制凝固过程中的温度梯度和移动界面来实现杂质的分离和排除，实现了晶体原料的重新结晶。当晶体从下往上生长时，由于分凝作用会形成组分梯度变化的晶腚，通过提纯过程将目标晶体原料提出，得到没有杂质的目标晶体原料，再次重新进行晶体生长过程，最终得到硫卤化物晶体。
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公开(公告)号：CN115261786A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210979094.6
申请日：2022-08-16
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种Micro‑CT探测器镀膜方法、一种掩膜。其中，Micro‑CT探测器镀膜方法包括：将预制电子显微镜载网掩盖在Micro‑CT探测器单晶上，由于预制电子显微镜载网暴露有Micro‑CT探测器单晶需要镀膜的目标晶面，因而可以直接对目标晶面进行真空镀膜，来制备得到Micro‑CT探测器像素化电极阵列。由于电子显微镜载网的制造成本较精细金属掩模版低，能有效降低对Micro‑CT探测器进行镀膜过程的成本。
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公开(公告)号：CN115558994B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202211121809.0
申请日：2022-09-15
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种卤化物的提纯方法，属于卤化物提纯技术领域，所述提纯方法包括：将待提纯卤化物进行定向凝固，得到高纯卤化物；其中，所述高纯卤化物的纯度≥7N；在所述定向凝固中，待提纯卤化物的恒定移动速率为3～5mm/h。该提纯方法采用定向凝固技术，控制待提纯卤化物的移动速率为3～5mm/h，因为过快的待提纯卤化物移动速度会导致杂质分凝效果变差，过慢的待提纯卤化物移动速度会降低生产效率。因此，在保证较好杂质分凝效果、顺利去除卤化物内杂质，制得纯度≥7N的高纯卤化物；同时提高生产效率，满足了大批量高纯卤化物的快速制备需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115196656B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202211031605.8
申请日：2022-08-26
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: C01D17/00
Abstract: 本发明提供了一种CsBr的提纯方法，属于CsBr提纯技术领域，所述提纯方法包括：将待提纯的CsBr进行重结晶，得到重结晶后的CsBr；将重结晶后的所述CsBr进行定向凝固，得到定向凝固后的CsBr；将定向凝固后的所述CsBr进行区域熔融，得到高纯CsBr；所述高纯CsBr的纯度≥8N。该提纯方法结合重结晶技术、定向凝固技术和区域熔融技术，通过上述三种技术协同配合，可有效除去低纯CsBr中Cs2O、CsOH等杂相污染，大幅提升CsBr纯度，制备出可用于高结晶质量单晶生长的高纯CsBr。
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公开(公告)号：CN115196656A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202211031605.8
申请日：2022-08-26
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: C01D17/00
Abstract: 本发明提供了一种CsBr的提纯方法，属于CsBr提纯技术领域，所述提纯方法包括：将待提纯的CsBr进行重结晶，得到重结晶后的CsBr；将重结晶后的所述CsBr进行定向凝固，得到定向凝固后的CsBr；将定向凝固后的所述CsBr进行区域熔融，得到高纯CsBr；所述高纯CsBr的纯度≥8N。该提纯方法结合重结晶技术、定向凝固技术和区域熔融技术，通过上述三种技术协同配合，可有效除去低纯CsBr中Cs2O、CsOH等杂相污染，大幅提升CsBr纯度，制备出可用于高结晶质量单晶生长的高纯CsBr。
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公开(公告)号：CN115558994A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211121809.0
申请日：2022-09-15
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种卤化物的提纯方法，属于卤化物提纯技术领域，所述提纯方法包括：将待提纯卤化物进行定向凝固，得到高纯卤化物；其中，所述高纯卤化物的纯度≥7N；在所述定向凝固中，待提纯卤化物的恒定移动速率为3～5mm/h。该提纯方法采用定向凝固技术，控制待提纯卤化物的移动速率为3～5mm/h，因为过快的待提纯卤化物移动速度会导致杂质分凝效果变差，过慢的待提纯卤化物移动速度会降低生产效率。因此，在保证较好杂质分凝效果、顺利去除卤化物内杂质，制得纯度≥7N的高纯卤化物；同时提高生产效率，满足了大批量高纯卤化物的快速制备需求。
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公开(公告)号：CN115347054A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211027122.0
申请日：2022-08-25
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L31/0203 , H01L31/02 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例提供了一种X射线探测器及其封装方法，其中，X射线探测器封装方法包括：在X射线吸收转化层的第一电极上引出第一导线，接着，在导电玻璃基板上涂覆可固化的导电液，并将X射线吸收转化层的第二电极与导电液接触，最后，从导电液上引出第二导线，并将预先配置的封装胶液覆盖在X射线吸收转化层上。由于封装胶液能够隔绝空气中的水蒸汽，并且只需第一导线以及第二导线从封装胶液中暴露出，就能够使得X射线吸收转化层不会接触水汽而发生潮解，相较于蒸镀存在蒸镀时长以及镀膜厚度要求，封装胶液更节约封装时间，因而能够有效提高X射线探测器的封装效率。
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公开(公告)号：CN117187957A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310690503.5
申请日：2023-06-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种A(BC)D型钙钛矿材料的制备方法，属于多晶体领域。一种A(BC)D型钙钛矿材料的制备方法，包括以下步骤：S1、将含有A源、B源、C源、D源的混合物，加热后得到固体溶液，再降温凝固后得到钙钛矿材料固体；S2、将所述钙钛矿材料固体制成粉末，加热后得到固体溶液，再降温凝固后得到钙钛矿材料固体；S3、重复步骤S2，得到所述钙钛矿材料。所述钙钛矿材料中形成BC合金，同时具有ABD3和ACD3两种物质的物理或化学性能优点。该固相反应对目标晶体的指向性明确，没有原料上的浪费，克服了传统熔融法成分偏析影响；固相直接反应生成新晶体，长晶过程中其他因素影响小，主要考虑温度影响即可。
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