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公开(公告)号：CN119243339A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411779806.5
申请日：2024-12-05
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及非线性光学技术领域，公开了一种非线性光学晶体及其制备方法和应用，所述非线性光学晶体的化学式为(S‑C9H14N)4Bi2Cl10。本申请的非线性光学晶体为无铅有机‑无机钙钛矿晶体，不含有毒铅，透过范围为0.33‑3.0 μm，其粉末倍频性能与0.029×AgGaS2相当，该非线性光学晶体可应用于非线性光学领域，丰富非线性光学材料研究内容。
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公开(公告)号：CN114074928B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202010803194.4
申请日：2020-08-11
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C01B21/096 , C30B29/46 , C30B7/02 , H01S3/16
Abstract: 本发明公开了一种氨基磺酸锶化合物、氨基磺酸锶非线性光学晶体及其制备方法和用途。Sr(NH2SO3)2晶体的结构属于单斜晶系，空间群为Pc，晶胞参数为#imgabs0#α＝γ＝90°，β＝107.803(9)，Z＝2；单胞体积为#imgabs1#同时其粉末倍频效应为KDP的1.2倍，且其紫外吸收边短于200nm，因而能够用于Nd:YAG(λ＝1.064μm)的2～6倍频谐波发生器。且本发明的氨基磺酸锶单晶无色透明，不潮解，化学稳定性好，能够广泛应用于各种非线性光学领域中。
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公开(公告)号：CN116377558A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310360081.5
申请日：2023-03-29
Applicant: 深圳核安电子材料科技有限公司
Abstract: 本发明涉及晶体制备技术领域，且公开了一种阵列式晶体的制备设备，包括底板，所述底板顶部左侧固定连接有操作箱，所述操作箱内部中心处开设有晶体生长区域，所述晶体生长区域左右两侧均开设有调节槽，所述调节槽内部上方与下方均滑动连接有调节板，所述调节板内部与所述调节槽内部之间共同设置有调节组件，该设备的筒体内填充的固体吸收剂在达到饱和时便于进行拆卸更换新的固体吸收剂，这样就会使得该设备在使用一段时间后对操作箱内的空气进行吸附处理的效果不会降低，从而使得该设备使用效果较好，同时该设备操作箱内部的晶体生长区域的隔板间的距离可以根据需要进行调节，这样就会使得该设备可以满足更多的使用需求且使得该设备实用性较强。
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公开(公告)号：CN114197054B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110137074.X
申请日：2021-02-01
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种多维高阶超晶格的制备领域，具体公开了一种高阶超晶格的制备方法，包括以下步骤：步骤(1)：制备垂直异质结材料；步骤(2)：在距离所述的垂直异质结合成的2小时内，向所述的垂直异质结材料的表面加入功能溶剂，即得所述的高阶超晶格；所述的功能溶剂为有机溶剂‑水的均相溶液；或者为有机溶剂‑水‑碱的均相溶液。本发明的研究首次证明了具有多种材料成分和尺寸的高阶范德华超晶格，可用于创建高度工程化的结构，从而超越了传统的晶格匹配或加工兼容性要求。
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公开(公告)号：CN110407734B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201910769118.3
申请日：2019-08-20
Applicant: 天津理工大学
IPC: C07D209/08 , C07C303/30 , C07C309/73 , C30B29/54 , C30B7/02 , C30B7/08 , G02F1/361
Abstract: 本发明属于非线性光学晶体技术领域。本发明提供了一种C26H27NO4S化合物及其制备方法，还提供了一种C26H27NO4S非线性光学晶体以及三种制备该晶体的方法。本发明提供的C26H27NO4S化合物属于2,3,3‑三甲基吲哚体系化合物，其形成的非线性光学晶体属于单斜晶系，空间群为Cc(No.9)，晶胞参数为：α＝γ＝90°，β＝103.570(2)°，Z＝4，本发明还提供了由所述C26H27NO4S非线性光学晶体制备的非线性光学器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114074928A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010803194.4
申请日：2020-08-11
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C01B21/096 , C30B29/46 , C30B7/02 , H01S3/16
Abstract: 本发明公开了一种氨基磺酸锶化合物、氨基磺酸锶非线性光学晶体及其制备方法和用途。Sr(NH2SO3)2晶体的结构属于单斜晶系，空间群为Pc，晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝107.803(9)，Z＝2；单胞体积为同时其粉末倍频效应为KDP的1.2倍，且其紫外吸收边短于200nm，因而能够用于Nd:YAG(λ＝1.064μm)的2～6倍频谐波发生器。且本发明的氨基磺酸锶单晶无色透明，不潮解，化学稳定性好，能够广泛应用于各种非线性光学领域中。
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公开(公告)号：CN109972206A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910299624.0
申请日：2019-04-15
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种恒温液体烘培法制备大尺寸三维光子晶体的方法，其特征在于包括如下步骤：1)准备好粒径为微米尺寸，且粒径均匀的高分子材料胶体微球，亲水化处理后的基片，分散介质，温度为a℃的恒温液体，第一容器，以及尺寸小于第一容器且导热性良好的第二容器；2)将所述高分子材料胶体微球放入到所述分散介质中，并通过超声波震荡将所述高分子材料胶体微球在所述分散介质中进行分散，得到浓度为b％的混合溶液；3)将所述恒温液体倒入到所述第一容器内，并将所述第二容器放入到该恒温液体上漂浮，将所述基片放入到所述第二容器中，通过所述恒温液体对所述基片加热c min；4)将所述混合溶液滴加到所述基片上，待溶剂挥发后再利用所述恒温液体持续加热，得到所述高分子材料胶体微球制成的胶体三维光子晶体。本发明构思新颖、设计合理、操作简便。
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公开(公告)号：CN108754607A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810601312.6
申请日：2018-06-12
Applicant: 广东光华科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种适用于高端电子产品的电子级硫酸亚锡晶体的制备方法，该方法是先在阳极采用粗锡、阴极采用薄锡板或是隔膜电解法制备硫酸亚锡的阳极残片、电解液采用含锡和抗氧化剂的甲基磺酸溶液的电解槽中，在温度为20‑40℃、电流密度在0.5A/dm2‑5A/dm2下电解沉积阴极锡板；再将阴极锡板装入隔膜电解槽的阳极位置，阴极采用薄锡板、电解液采用质量浓度为5%‑9%的硫酸溶液，在电流密度为1.0A/dm2‑2.0A/dm2和25‑35℃下进行电解，当阳极区的亚锡离子质量浓度为5%‑9%时，将阳极区的电解液取出，真空浓缩和真空干燥后得到电子级硫酸亚锡晶体。本发明的制备方法，能耗低、电解效果高，无阳极泥产生，由该方法制得的硫酸亚锡，纯度高、外观白洁、保质期长且成本低。
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公开(公告)号：CN101423973B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200810172986.5
申请日：2008-10-21
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于研究磁场条件对配合物结晶干预的实验装置，属于单晶生长领域。研究磁场对配合物合成反应及结晶过程的干预、影响规律，进而由此提高相关目标晶体的探寻效率，是一个有意义的研究拓展方向。本案提供一种适于这一目的的实验装置。本案装置包括一个扁平盒状物，该扁平盒状物含有两个宽阔盒面，在其中的一个宽阔盒面上装设有许多的有底的凹形坑洞，凹形坑洞的内腔形状呈圆柱状，扁平盒状物上装设有进水接口以及出水接口，进水接口以及出水接口均与扁平盒状物内部联通，在凹形坑洞的底部位置装设有永久磁铁。本案装置适于磁场干预合成实验，应用该装置有助于了解和掌握相关干预、影响规律，有助于提高相关目标晶体的发现几率。
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公开(公告)号：CN100562792C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200710008940.5
申请日：2007-04-29
Applicant: 华侨大学
IPC: G02F1/361 , C07D213/89 , C30B7/02
Abstract: 本发明公开一种新型的二阶非线性激光材料4-硝基-N-氧-2-吡啶甲酸二代晶体的生长方法，其将4-硝基-N-氧-2-吡啶甲酸POA溶于醇水混合溶剂中，甲醇∶水＝1∶1，室温下蒸发至饱和，取出饱和POA溶液置于比色皿中，比色皿外侧施加36V的直流电压，蒸发，生长出籽晶，然后将籽晶转移到培养槽，同样溶剂蒸发得到柱状4-硝基-N-氧-2-吡啶甲酸二代晶体。该晶体属于正交晶系，空间群为P 212121，晶体学参数：a＝5.5509，b＝9.8139，c＝13.2554，V＝722.13，Z＝4。该晶体熔点达到162.5-163.5℃，优于POA和POM。该晶体用于将波长为1064nm的激光转换至532nm。
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