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公开(公告)号：CN108807692B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201810557570.9
申请日：2018-06-01
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种抑制钙钛矿探测器暗电流的方法，该方法是通过向钙钛矿材料中掺杂痕量的高价阳离子，该高价阳离子的价态高于钙钛矿ABX3结构中的B位元素的价态，这些高价阳离子与钙钛矿材料中所含的B位元素两者的原子比不高于10‑5：1，从而降低钙钛矿材料的载流子浓度，并降低以该钙钛矿材料作为活性材料的探测器的暗电流。本发明通过控制掺杂元素的种类，尤其通过对掺杂元素浓度的调控，向钙钛矿活性层材料中掺杂痕量的高价阳离子，能够有效解决现有技术钙钛矿探测器中存在的暗电流高和灵敏度低的问题，并解决灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾的问题，获得高性能、稳定的半导体探测器。
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公开(公告)号：CN108807692A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810557570.9
申请日：2018-06-01
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种抑制钙钛矿探测器暗电流的方法，该方法是通过向钙钛矿材料中掺杂痕量的高价阳离子，该高价阳离子的价态高于钙钛矿ABX3结构中的B位元素的价态，这些高价阳离子与钙钛矿材料中所含的B位元素两者的原子比不高于10‑5：1，从而降低钙钛矿材料的载流子浓度，并降低以该钙钛矿材料作为活性材料的探测器的暗电流。本发明通过控制掺杂元素的种类，尤其通过对掺杂元素浓度的调控，向钙钛矿活性层材料中掺杂痕量的高价阳离子，能够有效解决现有技术钙钛矿探测器中存在的暗电流高和灵敏度低的问题，并解决灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾的问题，获得高性能、稳定的半导体探测器。
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公开(公告)号：CN112552185A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011265021.8
申请日：2020-11-12
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: C07C209/68 , C07C211/27 , H01L51/42 , H01L51/46 , H01L51/48
Abstract: 本发明特别涉及苯乙胺银铟溴的制备方法和半导体辐射探测器及制备方法，属于射线成像探测器技术领域，苯乙胺银铟溴由(C6H5CH2CH2NH3)Br、AgBr、InBr3和氢溴酸溶液制得，其中，(C6H5CH2CH2NH3)Br、AgBr、InBr3的摩尔比为2∶1∶1；苯乙胺银铟溴的化学式为(C6H5CH2CH2NH3)4AgInBr8，并将该苯乙胺银铟溴作为吸光层的制备材料应用于半导体辐射探测器，苯乙胺银铟溴具有暗电流低，灵敏度高，稳定性好等优势，使得本发明实施例提供的半导体辐射探测器具备高性能、无毒、稳定等特点，解决了现有技术存在的工艺复杂、灵敏度低、环境污染和稳定性差等问题，同时也解决了灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾问题。
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公开(公告)号：CN112552185B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202011265021.8
申请日：2020-11-12
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: C07C209/68 , C07C211/27 , H01L51/42 , H01L51/46 , H01L51/48
Abstract: 本发明特别涉及苯乙胺银铟溴的制备方法和半导体辐射探测器及制备方法，属于射线成像探测器技术领域，苯乙胺银铟溴由(C6H5CH2CH2NH3)Br、AgBr、InBr3和氢溴酸溶液制得，其中，(C6H5CH2CH2NH3)Br、AgBr、InBr3的摩尔比为2∶1∶1；苯乙胺银铟溴的化学式为(C6H5CH2CH2NH3)4AgInBr8，并将该苯乙胺银铟溴作为吸光层的制备材料应用于半导体辐射探测器，苯乙胺银铟溴具有暗电流低，灵敏度高，稳定性好等优势，使得本发明实施例提供的半导体辐射探测器具备高性能、无毒、稳定等特点，解决了现有技术存在的工艺复杂、灵敏度低、环境污染和稳定性差等问题，同时也解决了灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾问题。
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公开(公告)号：CN112457843A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011328007.8
申请日：2020-11-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于晶体材料应用技术领域，公开了卤化物钙钛矿材料在高能射线探测中的应用及其制备方法，其中的应用是将卤化物钙钛矿材料在高能射线探测中的应用，该卤化物钙钛矿材料的化学式为PEA2PbBrxCl(4‑x)，其中，PEA代表苯乙胺，x为满足4≥x≥0的任意实数；所述高能射线的能量>1keV。本发明通过对钙钛矿材料的组成、结构进行改进，采用特定组成的卤化物钙钛矿材料PEA2PbBrxCl(4‑x)应用于高能射线探测，利用卤素钙钛矿优异的发光性质，可以将高能射线高效转化成可探测的可见光信号，同时发光寿命短，从而可用于PET和CT等高能射线成像中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106711272B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201611071705.8
申请日：2016-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01T1/24
CPC classification number: H01L31/032 , H01L31/10 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及其制备方法，涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸光层，电子选择性接触选择层，空穴选择性接触层，分别贴合在所述吸光层的两面，两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触，作为器件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度，环境友好，稳定等优点。
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公开(公告)号：CN112467035A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011310022.X
申请日：2020-11-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体光电探测器技术领域，公开了一种肖特基型钙钛矿光电探测器及其制备方法，其中肖特基型钙钛矿光电探测器包括依次相连的第一金属电极(1)、钙钛矿吸光层(2)、聚酰亚胺PI层(3)和第二金属电极(4)，其中，所述第一金属电极(1)所采用的金属材料功函数较高，所述第二金属电极(4)所采用的金属材料功函数较低。本发明通过肖特基势垒对暗电流有很好的抑制作用；同时又通过在钙钛矿表面旋涂一层聚酰亚胺(PI)薄膜，利用聚酰亚胺(PI)薄膜的对于钙钛矿表面的钝化和阻挡金属与钙钛矿的反应作用来降低钙钛矿光电探测器暗电流和离子迁移，从而有效的抑制钙钛矿光电探测器工作时的暗电流过大和暗电流漂移问题。
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公开(公告)号：CN112466987A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011206305.X
申请日：2020-11-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/115 , H01L31/117
Abstract: 本发明属于半导体辐射探测领域，公开了一种基于铯铅溴辐射探测器的溴气氛围后处理方法，该方法是将铯铅溴CsPbBr3基的固体材料放置在含有溴气的氛围下以进行后处理，如此向铯铅溴CsPbBr3中额外引入Br原子减少溴空位缺陷，从而提高基于铯铅溴辐射探测器的辐射探测性能。本发明通过对铯铅溴基材料进行溴气氛围的后处理，能够有效减少铯铅溴CsPbBr3材料的缺陷态密度、降低暗态电流、提高辐射探测器的辐射探测性能(如工作稳定性和灵敏度等)。
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公开(公告)号：CN106711272A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611071705.8
申请日：2016-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/10 , H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: H01L31/032 , H01L31/10 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及其制备方法，涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸光层，电子选择性接触选择层，空穴选择性接触层，分别贴合在所述吸光层的两面，两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触，作为器件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度，环境友好，稳定等优点。
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公开(公告)号：CN112466987B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202011206305.X
申请日：2020-11-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/115 , H01L31/117
Abstract: 本发明属于半导体辐射探测领域，公开了一种基于铯铅溴辐射探测器的溴气氛围后处理方法，该方法是将铯铅溴CsPbBr3基的固体材料放置在含有溴气的氛围下以进行后处理，如此向铯铅溴CsPbBr3中额外引入Br原子减少溴空位缺陷，从而提高基于铯铅溴辐射探测器的辐射探测性能。本发明通过对铯铅溴基材料进行溴气氛围的后处理，能够有效减少铯铅溴CsPbBr3材料的缺陷态密度、降低暗态电流、提高辐射探测器的辐射探测性能(如工作稳定性和灵敏度等)。
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