公开(公告)号：CN110244527B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201910510463.5

申请日：2019-06-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 石雅婷 ,  李旷逸 ,  陈修国 ,  刘世元

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种套刻标记形貌和测量条件优化方法，属于光刻领域。首先，根据光刻工艺确定套刻标记形貌结构和材料光学常数。其次，通过解析或数值的建模方法可计算套刻光学表征曲线。然后，根据泰勒公式得到套刻测量重复性精度和准确度的表达式。接着，选择待优化变量和合适的多目标算法，对套刻测量重复性精度和准确度进行优化，获得多个帕累托优化结果。最后，验证多个帕累托优化结果的鲁棒性，选择鲁棒性较好的结果作为最终优化结果。本发明公开的方法对eDBO方法的套刻标记形貌和测量条件同时进行了优化，最终优化结果具有重复性精度高、测量准确度高、测量鲁棒性好的特点，满足了光刻工艺中套刻误差测量的需要。

公开(公告)号：CN110244527A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910510463.5

申请日：2019-06-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 石雅婷 ,  李旷逸 ,  陈修国 ,  刘世元

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种套刻标记形貌和测量条件优化方法，属于光刻领域。首先，根据光刻工艺确定套刻标记形貌结构和材料光学常数。其次，通过解析或数值的建模方法可计算套刻光学表征曲线。然后，根据泰勒公式得到套刻测量重复性精度和准确度的表达式。接着，选择待优化变量和合适的多目标算法，对套刻测量重复性精度和准确度进行优化，获得多个帕累托优化结果。最后，验证多个帕累托优化结果的鲁棒性，选择鲁棒性较好的结果作为最终优化结果。本发明公开的方法对eDBO方法的套刻标记形貌和测量条件同时进行了优化，最终优化结果具有重复性精度高、测量准确度高、测量鲁棒性好的特点，满足了光刻工艺中套刻误差测量的需要。

公开(公告)号：CN110347017B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201910581646.6

申请日：2019-06-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 石雅婷 ,  李旷逸 ,  陈修国 ,  刘世元

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20 ,  G06N3/08 ,  G06N3/04

Abstract: 本发明属于光刻领域，公开了一种基于光学衍射的套刻误差提取方法，包括：(1)确定套刻标记结构及材料光学常数；(2)建立套刻标记正向光学特性模型；(3)基于光学特性模型生成训练集；(4)确定神经网络结构；(5)神经网络训练；(6)套刻误差提取。与现有的套刻误差提取方法相比，本发明提供的方法不依赖于光学分辨率和经验线性关系，可基于一个单元实现单个方向的套刻误差测量，套刻标记面积更小，并且可从更复杂的非线性套刻光学表征量中提取套刻误差，提取过程快速、准确、鲁棒性好。

公开(公告)号：CN111458984A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010176579.2

申请日：2020-03-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘世元 ,  王鹏 ,  石雅婷 ,  李旷逸 ,  陈修国 ,  谷洪刚

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明属于光刻领域，并具体公开了一种套刻标记及测量配置的分步优化方法，包括如下步骤：S1确定待优化变量和多个优化目标，所述待优化变量包括套刻标记形貌参数和测量配置参数；S2根据一个优化目标，结合预设的套刻标记基本参数，对所确定的待优化变量进行优化，并设置终止条件，得到多组优化结果；S3设置另一个优化目标的阈值，并根据该优化目标的阈值对优化结果进行筛选，保留满足条件的优化结果；S4重复S3，直至所有优化目标都已使用，得到最终优化结果，完成套刻标记及测量配置的分步优化。本发明能提供准确度高、重复性测量精度好、鲁棒性好的套刻标记与对应的测量配置，能够满足套刻误差的测量需求。

公开(公告)号：CN111553064A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010319290.1

申请日：2020-04-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘世元 ,  李旷逸 ,  石雅婷 ,  陈修国 ,  王鹏

IPC: G06F30/20 ,  G06F16/903 ,  G06N3/00 ,  G06N3/12

Abstract: 本发明属于光学散射测量相关技术领域，其公开了一种适用于光学散射测量的特征选择方法，所述方法包括以下步骤：(1)根据半导体工艺确定待测结构的纳米结构形貌、待测关键尺寸及材料光学常数；(2)构建待测结构的纳米结构正向光学特性模型；(3)划分稀疏网格XS，并计算稀疏网格中所有离散点对应的全光学特征组合fa，继而构成稀疏光学特征库ΩS；(4)基于过滤式特征选择算法自所述全光学特征组合fa中获得候选特征组合fc；(5)基于包裹式特征选择算法，从候选特征组合fc中对库匹配方法中的评价函数所使用的特征组合进一步提炼，以得到最终的优化特征组合f＊。本发明缩短了库匹配方法中离线建库的时间，提高了参数提取准确度。

公开(公告)号：CN110347017A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910581646.6

申请日：2019-06-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 石雅婷 ,  李旷逸 ,  陈修国 ,  刘世元

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20 ,  G06N3/08 ,  G06N3/04

Abstract: 本发明属于光刻领域，公开了一种基于光学衍射的套刻误差提取方法，包括：(1)确定套刻标记结构及材料光学常数；(2)建立套刻标记正向光学特性模型；(3)基于光学特性模型生成训练集；(4)确定神经网络结构；(5)神经网络训练；(6)套刻误差提取。与现有的套刻误差提取方法相比，本发明提供的方法不依赖于光学分辨率和经验线性关系，可基于一个单元实现单个方向的套刻误差测量，套刻标记面积更小，并且可从更复杂的非线性套刻光学表征量中提取套刻误差，提取过程快速、准确、鲁棒性好。