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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116230746A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310185144.8
申请日：2023-03-01
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本申请实施例提供了一种晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，以解决目前的晶体管在小型化过程中，通过缩短沟道长度缩小晶体管的体积会导致短沟道效应，影响晶体管的性能的问题。该晶体管包括：衬底层；第一电极，所述第一电极设置于所述衬底层的一侧；第二电极，所述第二电极设置于所述第一电极远离所述衬底层的一侧；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述第一电极和所述第二电极之间；有源层，所述有源层贯穿于所述第一绝缘层，且所述有源层与所述第一电极和所述第二电极电连接。
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公开(公告)号：CN119546153A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311109031.6
申请日：2023-08-31
Applicant: 北京超弦存储器研究院
Abstract: 本申请涉及一种半导体器件及其制备方法、电子设备。所述半导体器件的制备方法包括：在堆叠结构形成通孔，通孔沿垂直于衬底的方向贯穿第二源/漏极及层间介质层，且至少延伸至第一源/漏极；至少于层间介质层暴露于通孔的侧壁，在侧壁形成与层间介质层为吸附关系的自组装单分子层，使得通孔内露出自组装单分子层未覆盖的第一源/漏极和第二源/漏极；以自组装单分子层作为掩膜，于第一源/漏极及第二源/漏极上形成接触层；去除自组装单分子层；第一源/漏极上的接触层和第二源/漏极上的接触层通过层间介质层隔离；于通孔内的侧壁形成半导体层，半导体层与第一源/漏极和第二源/漏极上的接触层连接。工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN119451150A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310941816.3
申请日：2023-07-28
Applicant: 北京超弦存储器研究院
IPC: H10D30/01 , H10D30/67 , H01L21/4763
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述制造方法包括：在衬底上形成晶体管的源电极和漏电极；对所述源电极和/或所述漏电极进行加热处理，使所述源电极和/或所述漏电极中的至少部分杂质元素通过扩散离开所述源电极和/或所述漏电极，其中，所述杂质元素包括氢元素和碳元素中的至少一种；在完成所述热处理之后，形成所述晶体管的沟道，其中，所述沟道的材料包括金属氧化物半导体材料。本申请实施例的制造方法可以有效抑制晶体管的源电极和/或漏电极中的杂质元素扩散进入金属氧化物半导体材料沟道中，进而提升制得的器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN119907251A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202311374681.3
申请日：2023-10-23
Applicant: 北京超弦存储器研究院
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术；半导体器件的制造方法包括：在衬底上依次形成第一电极、绝缘层和第二电极的堆叠结构；在所述堆叠结构上形成沿着垂直于所述衬底方向延伸的孔洞，所述孔洞将至少部分所述第一电极和所述第二电极暴露；采用原子层沉积工艺，通过氧化剂在所述孔洞的内壁上生长半导体层，所述半导体层为金属氧化物半导体层；所述半导体层分别与暴露的所述第一电极和所述第二电极接触；采用原子层沉积工艺，通过氧化剂在所述孔洞的内壁上生长半导体层，包括：在腔体中通入氧化剂和前驱体，其中，所述氧化剂为气体或等离子体；其中，所述气体或等离子体的氧化性在所述半导体层厚度增加的过程中增强；降低半导体层氧化过程中对第一电极和第二电极的氧化。
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公开(公告)号：CN119835993A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202311310787.7
申请日：2023-10-11
Applicant: 北京超弦存储器研究院
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及其制造方法、电子设备。半导体结构的制造方法包括：提供衬底；于衬底上形成第一垂直晶体管；于第一垂直晶体管上沉积一层或多层层间绝缘介质材料层，对一层或多层层间绝缘介质材料层进行等离子体处理，以形成一层或多层层间绝缘介质层；于一层或多层层间绝缘介质层上形成第二垂直晶体管；其中，第一垂直晶体管和/或第二垂直晶体管的沟道层为金属氧化物半导体材料。采用本发明的半导体结构的制造方法能够提高器件性能。
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