公开(公告)号：CN117253907A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202210631421.9

申请日：2022-06-06

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  长鑫科技集团股份有限公司

Inventor： 尹晓明 ,  王桂磊 ,  周俊 ,  焦正赢

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H10B12/00

Abstract: 本申请实施例提供了一种晶体管及其制备方法、存储器、电子设备。晶体管包括：第一电极；第一栅极，设置于第一电极的一侧且具有第一通孔；第二电极，设置于第一栅极远离第一电极的一侧且具有第二通孔；半导体层，穿过第一通孔和第二通孔且与第一电极、第二电极接触，半导体层具有第一腔；第二栅极，设置于第一腔中。本申请实施例中通过在半导体层的内外两侧分别形成第二栅极和第一栅极，通过两个栅极分别控制半导体层的通断，可以显著提高开态电流、降低晶体管阈值电压和改善亚阈值摆幅，从而在不增加晶体管覆盖面积的情况下，提高了开关比，提升了半导体器件的电学性能。

公开(公告)号：CN116230631B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310516214.3

申请日：2023-05-09

Applicant: 北京超弦存储器研究院

Inventor： 栾庆洁 ,  项金娟 ,  袁鹏 ,  焦正赢 ,  王桂磊 ,  赵超

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本公开涉及金属互连技术领域，提供了一种金属互连结构的制备方法、金属互连结构以及半导体组件。该制备方法包括如下步骤：提供电介质层，电介质层中具有互连凹槽；在互连凹槽中制备金属互连层；以及，采用包括钴有机化合物的原料，通过原子层沉积法在金属互连层上制备钴金属层，在钴有机化合物中，钴原子与四个氮原子以单键键合，四个氮原子两两成对，每对氮原子之间以有机基团相连接。相较于传统技术，通过原子层沉积法的方式制备钴膜，能够有效提高钴膜的制备可控性以及薄膜质量。

公开(公告)号：CN119907251A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202311374681.3

申请日：2023-10-23

Applicant: 北京超弦存储器研究院

Inventor： 项金娟 ,  段新绿 ,  焦正赢 ,  王桂磊 ,  赵超

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/63 ,  H10D62/80 ,  H10D62/17

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术；半导体器件的制造方法包括：在衬底上依次形成第一电极、绝缘层和第二电极的堆叠结构；在所述堆叠结构上形成沿着垂直于所述衬底方向延伸的孔洞，所述孔洞将至少部分所述第一电极和所述第二电极暴露；采用原子层沉积工艺，通过氧化剂在所述孔洞的内壁上生长半导体层，所述半导体层为金属氧化物半导体层；所述半导体层分别与暴露的所述第一电极和所述第二电极接触；采用原子层沉积工艺，通过氧化剂在所述孔洞的内壁上生长半导体层，包括：在腔体中通入氧化剂和前驱体，其中，所述氧化剂为气体或等离子体；其中，所述气体或等离子体的氧化性在所述半导体层厚度增加的过程中增强；降低半导体层氧化过程中对第一电极和第二电极的氧化。

公开(公告)号：CN116230631A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310516214.3

申请日：2023-05-09

Applicant: 北京超弦存储器研究院

Inventor： 栾庆洁 ,  项金娟 ,  袁鹏 ,  焦正赢 ,  王桂磊 ,  赵超

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本公开涉及金属互连技术领域，提供了一种金属互连结构的制备方法、金属互连结构以及半导体组件。该制备方法包括如下步骤：提供电介质层，电介质层中具有互连凹槽；在互连凹槽中制备金属互连层；以及，采用包括钴有机化合物的原料，通过原子层沉积法在金属互连层上制备钴金属层，在钴有机化合物中，钴原子与四个氮原子以单键键合，四个氮原子两两成对，每对氮原子之间以有机基团相连接。相较于传统技术，通过原子层沉积法的方式制备钴膜，能够有效提高钴膜的制备可控性以及薄膜质量。