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公开(公告)号：CN119108434A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202310683586.5
申请日：2023-06-09
Applicant: 北京超弦存储器研究院
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括：第一电极、第二电极以及金属氧化物层，所述第一电极通过所述金属氧化物层与所述第二电极连接；所述第一电极和所述第二电极中的至少一个设置有钝化层，所述金属氧化物层通过所述钝化层与所述第一电极和所述第二电极中的至少一个连接；减少电极与金属氧化物层的接触电阻。
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公开(公告)号：CN119465087A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202311007295.0
申请日：2023-08-10
Applicant: 北京超弦存储器研究院
IPC: C23C16/455 , C23C16/54 , C23C16/02 , C23C16/40 , H01L21/477 , H01L21/67
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体设备和半导体器件的制造方法。该半导体设备包括至少一个真空处理腔室和至少一个真空传输腔室，各真空处理腔室均与真空传输腔室连接；真空传输腔室用于传送晶圆。至少一个真空处理腔室包括第一真空处理腔室，第一真空处理腔室用于在真空环境下对晶圆上的半导体结构的第一结构进行退火处理；半导体结构还包括设置于第一结构一侧的氧化物半导体层。本申请实施例在制造氧化物半导体层之前，在第一真空处理腔室内对第一结构进行退火处理，能够降低第一结构的内部及表面附着的氢离子和氢氧根离子的含量，有利于提升后续制造的氧化物半导体层的稳定性。
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公开(公告)号：CN119364771A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202310914669.0
申请日：2023-07-24
Applicant: 北京超弦存储器研究院
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体器件及其制作方法、电子设备。该半导体器件包括：衬底、介质层、第一导电层、第二导电层、第一隔离层和/或第二隔离层，介质层的材料包括氧原子和第一金属原子；第一隔离层的材料包括氧原子和第二金属原子，第二金属原子与氧原子间的键能小于第一金属原子与氧原子间的键能；第二隔离层的材料包括氧原子和第三金属原子，第三金属原子与氧原子间的键能小于第一金属原子与氧原子间的键能。本申请实施例的隔离层由金属氧化物材料形成，既可以隔离导电层和介质层同时还可以为介质层提供氧，有助于降低介质层中氧空位量，从而提升半导体器件性能。
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公开(公告)号：CN119233646A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202310780904.X
申请日：2023-06-28
Applicant: 北京超弦存储器研究院
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、铁电存储器和电子设备。该半导体结构包括衬底、第一隔离层、铁电层和电极层。第一隔离层设置于衬底的一侧；铁电层设置于第一隔离层远离衬底的一侧；电极层设置于铁电层远离第一隔离层的一侧。本申请实施例中第一隔离层能够防止或消除铁电层生长时通入的氧使得衬底的一侧发生氧化产生的界面层，能够提升铁电存储器的疲劳特性和保持特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119835993A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202311310787.7
申请日：2023-10-11
Applicant: 北京超弦存储器研究院
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及其制造方法、电子设备。半导体结构的制造方法包括：提供衬底；于衬底上形成第一垂直晶体管；于第一垂直晶体管上沉积一层或多层层间绝缘介质材料层，对一层或多层层间绝缘介质材料层进行等离子体处理，以形成一层或多层层间绝缘介质层；于一层或多层层间绝缘介质层上形成第二垂直晶体管；其中，第一垂直晶体管和/或第二垂直晶体管的沟道层为金属氧化物半导体材料。采用本发明的半导体结构的制造方法能够提高器件性能。
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公开(公告)号：CN119521744A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202311014395.6
申请日：2023-08-11
Applicant: 北京超弦存储器研究院
Abstract: 本申请实施例提供了一种晶体管及其制造方法、存储器和电子设备。本申请涉及半导体技术领域。该晶体管包括栅极、铁电层和有源层。栅极设置于衬底的一侧。铁电层覆盖于栅极和衬底。有源层设置于铁电层远离衬底的一侧，有源层的材料包括金属氧化物。本申请实施例的有源层的材料采用金属氧化物，相比含硅的材料做有源层，有效改善器件退化问题。
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公开(公告)号：CN119497374A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202311041812.6
申请日：2023-08-17
Applicant: 北京超弦存储器研究院
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明涉及一种存储器及其制备方法、电子设备，存储器包括衬底；堆叠结构，位于衬底上，堆叠结构包括导电层和介质层，导电层和介质层交替堆叠设置；字线结构，贯穿导电层和介质层；半导体层，包括半导体部以及绝缘部，半导体部位于字线结构与导电层之间，绝缘部位于字线结构与介质层之间。通过于字线孔的孔壁形成半导体层，且覆盖于半导体层的位于与导电层位置的部分的保护层，在退火过程中，半导体层的位于介质层位置的部分形成绝缘层，同时，保护层使得其覆盖的半导体层的氧空位浓度保持不变，依然保留半导体的性质。
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公开(公告)号：CN119364837A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202310881965.5
申请日：2023-07-18
Applicant: 北京超弦存储器研究院
IPC: H10D64/68 , H01L21/285
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及但不限于半导体技术；半导体器件包括：设置在衬底一侧的沟道，设置在所述沟道远离所述衬底一侧的界面层，设置在所述界面层远离所述衬底一侧的第一栅介质层，所述沟道的材料包括硅锗化合物，所述界面层的材料至少包括氧化硅，所述界面层由所述沟道的表面氧化生长而成，与所述沟道连接为一体；从而保证界面层质量，降低界面态密度。
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公开(公告)号：CN119208329A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202310754432.0
申请日：2023-06-25
Applicant: 北京超弦存储器研究院
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本申请提供了一种互补场效应晶体管。该互补场效应晶体管包括在衬底一侧层叠设置的第一晶体管和第二晶体管。沿平行于衬底的第一方向，第一晶体管包括设置于两个第一层源/漏极之间的多个第一沟道，第一沟道外围设置有第一栅结构；第二晶体管包括设置于两个第二层源/漏极之间的多个第二沟道，第二沟道外围设置有第二栅结构；第一栅结构包括第一功函数层，第二栅结构包括第二功函数层；第一功函数层的材料和第二功函数层的材料均包括氧化铟锡。本申请的第一栅结构和第二栅结构的厚度更小，能够填充小尺寸的互补场效应晶体管，满足小尺寸的互补场效应晶体管的要求。
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