公开(公告)号：CN119292673A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411229524.8

申请日：2024-09-03

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网宁夏电力有限公司营销服务中心(国网宁夏电力有限公司计量中心)

Inventor： 赵东艳 ,  周佳慧 ,  刘亮 ,  张茜歌 ,  甘杰 ,  孙玉峰 ,  关媛 ,  丁海丽

IPC: G06F9/38 ,  G06F21/50 ,  G06F21/62

Abstract: 本发明公开了一种分支预测攻击的防范方法、装置、芯片和介质，所述方法包括：确定目标分支指令所属程序的程序类别；若程序类别为安全受信程序，则确定分支预测器的配置情况；根据分支预测器的配置情况确定存在第一预设分支预测器和第二预设分支预测器时，利用第二预设分支预测器对目标分支指令进行预测；根据分支预测器的配置情况确定存在第一预设分支预测器时，确定第一预设分支预测器预测目标分支指令的使能状态，并根据使能状态，对目标分支指令进行处理；其中，第一预设分支预测器用于对非安全受信程序的分支指令进行预测。采用该方法能够在硬件和软件上降低分支预测的风险，保证了分支预测的安全性，降低了敏感信息泄露的概率。

公开(公告)号：CN119576220A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411518217.1

申请日：2024-10-29

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司信息通信分公司 ,  国家电网有限公司

Inventor： 周佳慧 ,  赵东艳 ,  刘亮 ,  张茜歌 ,  孙玉峰 ,  关媛 ,  赵豪 ,  赵敏

IPC: G06F3/06

Abstract: 本发明公开了一种处理器私有存储架构、访问方法和装置。该处理器私有存储架构包括：私有存储访问单元，用于在接收到目标私有存储指令时，对私有存储单元执行与目标私有存储指令对应的目标操作。该处理器架构具有仅处理器内核可以访问的私有存储单元，用于对私有存储单元进行访问的私有存储访问单元，私有存储单元和私有存储访问单元以及私有存储指令为处理器提供严格意义上的快速数据访问通路，提高处理器访存的性能和实时性。

公开(公告)号：CN118093294B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410514872.3

申请日：2024-04-26

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司信息通信分公司

Inventor： 吴坚 ,  李德建 ,  关媛 ,  李博夫 ,  李大猛 ,  杨宝斌 ,  韩顺枫

IPC: G06F11/22 ,  G06F11/26

Abstract: 本发明公开了一种芯片功耗预估方法、装置、设备、芯片及可读存储介质，所述方法包括：获取待测芯片在指定温度下的指定电流数据、温度电流关系数据、电流功耗关系数据；根据所述指定温度、所述指定电流数据，以及所述温度电流关系数据确定所述待测芯片在所述目标温度下的目标电流数据；根据所述目标电流数据和所述电流功耗关系数据对所述待测芯片进行功耗预估，确定所述待测芯片的功耗预估数据。由此基于预先建立的温度电流关系数据和电流功耗关系数据对待测芯片进行功耗预估，可以有效提高功耗数据获取的便捷性。

公开(公告)号：CN117314457A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311047667.2

申请日：2023-08-18

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 张章章 ,  李德建 ,  关媛 ,  巩宝良 ,  李博夫 ,  李大猛 ,  杨宝斌 ,  韩顺枫

IPC: G06Q30/018 ,  G06Q50/04 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明实施例提供一种压焊设备追溯方法、装置、介质及芯片产品，属于芯片封测领域。所述压焊设备追溯方法包括：获取芯片产品的压焊标记特征，该压焊标记特征是相应压焊设备在压焊工序中加工形成于所述芯片产品的引线框架内部、且用于示出该压焊设备的唯一设备编号的标记；以及基于所获取的压焊标记特征，确定加工相应芯片产品的压焊设备的设备编号，以实现压焊设备追溯。本发明实施例通过在压焊工序中形成于引线框架内部的独特的压焊标记特征，无论针对框架状态还是单颗状态的质量异常芯片产品，都能快速、准确地锁定对应生产加工的压焊设备。

公开(公告)号：CN119511153A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411438991.1

申请日：2024-10-15

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院

Inventor： 许可敬 ,  董长征 ,  李德建 ,  甘杰 ,  关媛 ,  武超 ,  张茜歌 ,  张娜

IPC: G01R31/66 ,  G01R31/40

Abstract: 本发明涉及版图设计技术领域，公开一种电源连接的检查方法与检查系统，所述方法包括：从芯片版图中提取PG网表，其中芯片版图包括时钟网络上的多个驱动单元，多个驱动单元分别分布在多个电压域中，每个电压域被设置有独立的供电网络，以及PG网表包括电压域与供电网络之间的对应关系；根据电压域与供电网络之间的参考对应关系，对PG网表进行检查；以及在PG网表与参考对应关系不匹配的情况下，提供错误提示信息，错误提示信息包括不匹配单元所在的当前电压域和参考电压域。本发明采用单独的电压域对相应的驱动单元进行供电以隔离彼此噪声的影响，并针对多个电压域内的电源连接进行定位检查，以能快速查找连接相关的错误并准确定位错误所在之处。

公开(公告)号：CN110571161A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910862129.6

申请日：2019-09-12

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司

Inventor： 韩顺枫 ,  唐晓柯 ,  李德建 ,  关媛 ,  李博夫

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/66 ,  G06K19/077

Abstract: 本发明公开了一种埋入式RFID标签封装方法，包括：在PCB板上制造天线，且PCB板上开设预留槽；在引线框架上贴装RFID芯片，且将RFID芯片引线键合，并塑封RFID芯片形成RFID芯片塑封体；将RFID芯片塑封体正面朝下扣进PCB板上的预留槽，并进行固定；图形化金属线路层，从而使引线框架的引脚与天线的正负极互联，进而实现RFID芯片与天线互联；以及在天线正面，PCB板表层涂覆绿油，从而得到RFID标签。借此，本发明的埋入式RFID标签封装方法，可以满足薄型化、高可靠性封装。

公开(公告)号：CN109596973A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811641591.5

申请日：2018-12-29

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

Inventor： 李秀全 ,  唐晓柯 ,  李德建 ,  关媛

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明公开了一种不同温度下芯片参数的测试方法，包括：芯片自动化测试设备向热流罩发送设置温度信号，其中，所述设置温度信号包括当前预设的温度点；接收所述热流罩发送的温度设定完成信号，其中，所述温度设定完成信号为所述热流罩接收设置温度信号后，根据所述当前预设的温度点为芯片提供环境温度并对芯片温度进行检测，当芯片温度达到所述预设的温度点时，所述热流罩向芯片自动化测试设备反馈的信号；对所述芯片进行性能测试；测试完成后，重复上述步骤，根据多个预设的温度点对所述芯片进行性能测试。本发明提供的不同温度下芯片参数的测试方法，可以减少人工的工作量，定时更换芯片即可完成所有测试，提高芯片的测试效率。

公开(公告)号：CN107449379A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710692585.1

申请日：2017-08-14

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网公司

Inventor： 蔡斌 ,  陈燕宁 ,  马强 ,  关媛 ,  李建强 ,  刘晓昱

IPC: G01B17/02

Abstract: 本发明公开了一种用于SIM卡芯片的无损测量方法，SIM卡芯片置于SIM卡模块内部，该无损测量方法包括以下步骤：S1，将SIM卡模块放置在超声扫描显微镜的试验台上；S2，将超声扫描显微镜开启正面扫描模式，直接对SIM卡模块进行检测；S3，将超声扫描显微镜开启反射扫描模式生成超声波图像和波形曲线；S4，对波形曲线进行图形分析；S5，根据公式计算出SIM卡芯片的厚度值；S6，根据步骤S5中计算得到的SIM卡芯片的厚度值与规定的厚度值范围进行比对。本发明的SIM卡芯片测量方法为无损检测手段，不会破坏芯片，不影响后续使用，且简单易操作、准确度高、可以大大节省测量时间和成本，有利于大批量、快速的样品检测。

公开(公告)号：CN119623396A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411581455.7

申请日：2024-11-07

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院

Inventor： 任永春 ,  李德建 ,  甘杰 ,  董长征 ,  关媛 ,  武超 ,  张茜歌 ,  俞华

IPC: G06F30/392

Abstract: 本发明实施例提供一种版图生成方法、装置和电子设备，属于芯片技术领域。版图生成方法包括：获取芯片中待添加MIM电容的目标版图区域；根据所述目标版图区域中目标功能区域的类型，确定目标MIM电容添加方式；基于所述目标MIM电容添加方式对所述目标版图区域添加MIM电容，以生成新版图。本发明实施例通过设置不同的版图区域对应不同的MIM电容添加方式，使得MIM电容在整个芯片的面积取得最大化，提高芯片的MIM电容利用率，大大减小Finfet工艺中的芯片动态IR‑Drop，解决现有的Finfet工艺中动态IR‑Drop仍然较大，减小动态IR‑Drop的效果不理想的缺陷。

公开(公告)号：CN117594571A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311312385.0

申请日：2023-10-11

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 冯硕 ,  李德建 ,  关媛 ,  李博夫 ,  李大猛 ,  杨宝斌

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明实施例提供一种测试键交叠结构及其制备方法，属于芯片制造技术领域。所述测试键交叠结构包括分别放置于横向划片槽和纵向划片槽内的第一测试键和第二测试键，且两者各自包括通过导线连接的测试器件和多个测试垫，多个测试垫中的至少一者被确定为共享测试垫，而第一和第二测试键各自的任意一个共享测试垫在横向和纵向划片槽的交叉区域内进行层叠以形成十字交叠测试垫，且所层叠的两个共享测试垫的尺寸和/或相对位置被调整以使得形成的十字交叠测试垫能够避开器件导线。本发明实施例利用共享测试垫组合横向和纵向的测试键，在避免测试键相互阻挡的同时，节省了划片槽空间。