公开(公告)号：CN119623396A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411581455.7

申请日：2024-11-07

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院

Inventor： 任永春 ,  李德建 ,  甘杰 ,  董长征 ,  关媛 ,  武超 ,  张茜歌 ,  俞华

IPC: G06F30/392

Abstract: 本发明实施例提供一种版图生成方法、装置和电子设备，属于芯片技术领域。版图生成方法包括：获取芯片中待添加MIM电容的目标版图区域；根据所述目标版图区域中目标功能区域的类型，确定目标MIM电容添加方式；基于所述目标MIM电容添加方式对所述目标版图区域添加MIM电容，以生成新版图。本发明实施例通过设置不同的版图区域对应不同的MIM电容添加方式，使得MIM电容在整个芯片的面积取得最大化，提高芯片的MIM电容利用率，大大减小Finfet工艺中的芯片动态IR‑Drop，解决现有的Finfet工艺中动态IR‑Drop仍然较大，减小动态IR‑Drop的效果不理想的缺陷。