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公开(公告)号：CN119677149A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411678978.3
申请日：2024-11-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种碳化硅基金属氧化物半导体场效应晶体管及方法，包括：衬底；第一n型外延层和第二n型外延层，依次层叠于衬底的第一表面，第一n型外延层和第二n型外延层中部形成有贯通的沟槽；第一p型保护层，设于沟槽中；第二p型保护层，设于第二n型外延层中沟槽两侧的第一区域，第一区域与沟槽间隔预设距离；其中，碳化硅基金属氧化物半导体场效应晶体管在施压情况下，第一n型外延层、第二n型外延层与第一p型保护层、第二p型保护层之间形成耗尽区，以阻断电压。通过引入第一p型保护层和第二P型保护层，形成双P型保护层与“柱”型屏蔽层，器件的漂移区实现了更加充分的耗尽效应，提升了耐压能力和阻断效率。
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公开(公告)号：CN115629283B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202210995869.9
申请日：2022-08-18
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及电路部件的测评领域，公开了一种用于对电路中的组成部件进行测评的方法和装置及电路，该方法包括：针对电路的第一组成部件支路或第二组成部件支路中的任一组成部件，根据以下内容进行测评且在进行测评之前第一组成部件支路和第二组成部件支路处于正向不导通的状态：控制测评组成部件支路正向导通且持续第一预设时间，以对充放电模块进行充电；控制测评组成部件支路正向不导通且持续第二预设时间，以使得充放电模块进行放电；获取被测评的组成部件的测评参数；以及根据所获取的测评参数和预设测评参数，判断被测评的组成部件的状态，以对被测评的组成部件进行测评。籍此，实现了无需拆卸组成部件即可对组成部件进行测评。
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公开(公告)号：CN115078954B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210994071.2
申请日：2022-08-18
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电路部件的测评领域，公开了一种用于对电路中的组成部件进行测评的方法和装置及电路，该方法包括：针对电路中的任一组成部件，根据以下内容进行测评且进行测评之前六个支路处于正向不导通的状态：控制被测评的组成部件所在的支路和被测评的组成部件的对侧支路正向导通且持续第一预设时间；控制被测评的组成部件所在的支路正向不导通但被测评的组成部件的对侧支路正向导通且持续第二预设时间，以使得两者进行放电；获取被测评的组成部件的测评参数；以及根据所获取的测评参数和预设测评参数，判断被测评的组成部件的状态，以对被测评的组成部件进行测评。藉此，实现了无需将组成部件拆卸下来即可对组成部件进行测评。
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公开(公告)号：CN119653782A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411678886.5
申请日：2024-11-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H10D1/66 , H10D12/00 , H10D12/01 , H10D30/01 , H10D30/60 , H10D64/27 , H10D64/68 , H10D62/10 , H10D62/83
Abstract: 本发明提供一种抗击穿碳化硅基MOS器件及其制备方法，器件包括：碳化硅外延基片；叠栅结构，包括堆叠的第一栅极氧化物层和第二栅极氧化物层，碳化硅外延基片的第一表面上堆叠有至少两个叠栅结构，第一栅极氧化物层靠近第一表面，第二栅极氧化物层远离第一表面，第一栅极氧化物1的介电常数小于第二栅极氧化物层的介电常数；其中，至少两个叠栅结构被配置为在正负栅压偏置保护栅极氧化物电场，且降低栅极FN遂穿漏电流。
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公开(公告)号：CN118588746A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410750007.9
申请日：2024-06-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及半导体结构的制造方法、半导体结构、芯片和电子设备，所述方法包括在第一导电类型的掺杂衬底上形成第一导电类型的掺杂外延层；在掺杂外延层中的沟槽外围形成第二导电类型的第一掺杂区，第二导电类型与第一导电类型相反；在沟槽中形成第二导电类型的第二掺杂区，第二掺杂区的掺杂浓度高于第一掺杂区的掺杂浓度；在第一掺杂区和第二掺杂区上方形成第二导电类型的体区；在体区中形成接触区，体区除第一和第二掺杂区正上方以外部分的掺杂浓度低于第二掺杂区的掺杂浓度，高于第一掺杂区的掺杂浓度。本公开解决了半导体结构中寄生二极管反向恢复过硬，反向峰值电流过大，导致器件可靠性大大降低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118399776A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410477518.8
申请日：2024-04-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H02M7/217 , H02M1/42 , H02M3/335 , H02M7/5387 , G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种通信电源、MOS器件测评方法及系统，属于电源技术领域。通信电源包括前级电路、移相全桥电路、模式切换电路、变压器、输出电路和控制模块，前级电路与移相全桥电路连接，移相全桥电路与模式切换电路连接，模式切换电路与变压器连接，变压器与输出电路连接，模式切换电路与控制模块连接；前级电路将输入的交流电源转换为直流电源，并将直流电源输入至移相全桥电路；移相全桥电路获取PWM信号，并通过PWM信号控制移相全桥电路中MOS管的通断状态；控制模块控制模式切换电路的通断状态，以使通信电源处于不同的运行工况，避免了拆卸MOS器件。
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公开(公告)号：CN115078954A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210994071.2
申请日：2022-08-18
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电路部件的测评领域，公开了一种用于对电路中的组成部件进行测评的方法和装置及电路，该方法包括：针对电路中的任一组成部件，根据以下内容进行测评且进行测评之前六个支路处于正向不导通的状态：控制被测评的组成部件所在的支路和被测评的组成部件的对侧支路正向导通且持续第一预设时间；控制被测评的组成部件所在的支路正向不导通但被测评的组成部件的对侧支路正向导通且持续第二预设时间，以使得两者进行放电；获取被测评的组成部件的测评参数；以及根据所获取的测评参数和预设测评参数，判断被测评的组成部件的状态，以对被测评的组成部件进行测评。藉此，实现了无需将组成部件拆卸下来即可对组成部件进行测评。
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公开(公告)号：CN119008694A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411007660.2
申请日：2024-07-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L23/31 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种宽禁带MOSFET器件及制造方法。所述宽禁带MOSFET器件包括：碳化硅衬底、碳化硅漂移区、沟道区、源区、栅极结构、漏极以及第一保护层，碳化硅漂移区形成于碳化硅衬底的表面，沟道区及源区形成于碳化硅漂移区的表面；第一保护层包括两个倾斜结构，两个倾斜结构分别位于碳化硅漂移区的两侧；所述倾斜结构包括倾斜部和水平部，倾斜部与源区和碳化硅漂移区的侧壁相接，水平部延伸至碳化硅漂移区的底部，倾斜部相较于水平部的倾斜角度为钝角。本发明的第一保护区为斜角形态，保护区的边界更平缓、圆滑，更容易实现碳化硅漂移区内的横向耗尽，不容易被击穿，可提高器件的耐压性能。
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公开(公告)号：CN115629283A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202210995869.9
申请日：2022-08-18
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及电路部件的测评领域，公开了一种用于对电路中的组成部件进行测评的方法和装置及电路，该方法包括：针对电路的第一组成部件支路或第二组成部件支路中的任一组成部件，根据以下内容进行测评且在进行测评之前第一组成部件支路和第二组成部件支路处于正向不导通的状态：控制测评组成部件支路正向导通且持续第一预设时间，以对充放电模块进行充电；控制测评组成部件支路正向不导通且持续第二预设时间，以使得充放电模块进行放电；获取被测评的组成部件的测评参数；以及根据所获取的测评参数和预设测评参数，判断被测评的组成部件的状态，以对被测评的组成部件进行测评。籍此，实现了无需拆卸组成部件即可对组成部件进行测评。
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公开(公告)号：CN117317025B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311589953.1
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
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