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公开(公告)号：CN117637607A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202410099445.3
申请日：2024-01-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种超结半导体的自对准接触槽形成方法及超结半导体结构，所述方法包括：在第一内介质层、栅极层、栅极氧化层与体区对应的位置形成沟槽；在所述体区中形成源区；形成第二内介质层，所述第二内介质层覆盖所述第一内介质层上表面、所述沟槽侧壁和所述沟槽底部；去除所述第一内介质层上表面和所述沟槽底部的所述第二内介质层，保留所述沟槽侧壁的所述第二内介质层，形成接触槽。本公开的方案可以在保证接触槽位于两个源区中间位置的基础上，省去一张接触槽工艺专用的光罩，解决传统接触槽形成工艺中光刻工艺的套刻偏离的技术问题，达到节省成本和提高超结半导体制造良品率的技术效果。
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公开(公告)号：CN117317025A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311589953.1
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅MOSFET器件及制造方法、功率芯片。碳化硅MOSFET器件包括：碳化硅衬底、形成于碳化硅衬底的第一导电类型外延层和第二导电类型保护层、栅极、源极以及漏极，第二导电类型保护层包括第一保护层和第二保护层，第一保护层包括纵向延伸区和横向延伸区，第一保护层的纵向延伸区与源极相接，第一保护层的横向延伸区横向延伸至第一导电类型外延层，第二保护层与第一保护层的纵向延伸区横向相接，第二保护层通过沟道区与源极相连，在第一保护层和第二保护层的作用下使第一导电类型外延层内形成纵向耗尽和横向耗尽的漂移区。本发明可以提高器件击穿电压同时降低导通电阻，提升器件的动态可靠性。
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公开(公告)号：CN116646252A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310928114.1
申请日：2023-07-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种超级结器件的制造方法、超级结器件、芯片和电路，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：提供具有外延层的衬底，所述衬底和所述外延层具有第一导电类型，且所述衬底为重掺杂；利用深沟槽光罩在外延层内形成深沟槽填充区，所述深沟槽填充区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；其中，所述深沟槽填充区与两侧的外延层形成超级结结构；在所述深沟槽顶部形成体区刻蚀沟槽；在所述体区刻蚀沟槽内填充具有第二导电类型的填充材料，形成体区；在所述体区两侧的外延层表面形成栅氧和平面栅结构，形成所述超级结器件。通过本发明提供的方法，形成浓度均匀，并且范围精确的体区，准确控制超级结器件沟道长度和阈值电压。
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公开(公告)号：CN115267477A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210995289.X
申请日：2022-08-18
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及电路部件的测评领域，公开了一种用于对电路中的组成部件进行测评的方法和装置及电路，该方法包括：针对所述电路中六个组成部件支路中的任一所述组成部件，根据以下内容进行测评且进行测评之前所述六个组成部件支路处于正向不导通的状态：控制测评组成部件支路正向导通且持续第一预设时间，以对测评充放电模块进行充电；控制所述测评组成部件支路正向不导通且持续第二预设时间，以使得所述测评充放电模块进行放电；获取被测评的所述组成部件的测评参数；以及根据所获取的测评参数和预设测评参数，判断被测评的所述组成部件的状态，以对被测评的所述组成部件进行测评。藉此，实现了无需将组成部件拆卸下来即可对组成部件进行测评。
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公开(公告)号：CN115078955B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210994445.0
申请日：2022-08-18
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电路部件的测评领域，公开了一种用于对电路中的组成部件进行测评的方法和装置及电路，该方法包括：针对电路中的任一所述组成部件，根据以下内容进行测评且在进行测评之前四个支路处于正向不导通的状态：控制组成部件所在的支路和组成部件的对侧支路正向导通且持续第一预设时间，以对充放电模块进行充电；控制组成部件所在的支路正向不导通但组成部件的对侧支路正向导通且持续第二预设时间，以使得充放电模块进行放电；获取组成部件的测评参数；以及根据所获取的测评参数和预设测评参数，判断组成部件的状态，以对组成部件进行测评。藉此，实现了在电路的实际工况中无需将组成部件拆卸下来即可对组成部件进行测评。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115224113A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202211124222.5
申请日：2022-09-15
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法，属于芯片领域。该横向超结器件包括：P型衬底、P柱、N柱、栅极结构、源极结构和漏极结构；栅极结构包括多晶硅栅，多晶硅栅与漏极结构之间设置有场氧化层；场氧化层上方还设置有多晶硅场板，多晶硅场板上方设置有金属场板；多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，金属场板包括多段金属微场板，多段金属微场板对应设置在多段多晶硅微场板上方，首级金属微场板通过接触孔与多晶硅栅相连，后一级金属微场板通过接触孔与前一级多晶硅微场板相连，末级金属微场板通过接触孔与漏极结构相连。横向超结器件中的电容耦合结构能减弱表面电荷对横向超结器件电场的影响。
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公开(公告)号：CN115078955A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210994445.0
申请日：2022-08-18
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电路部件的测评领域，公开了一种用于对电路中的组成部件进行测评的方法和装置及电路，该方法包括：针对电路中的任一所述组成部件，根据以下内容进行测评且在进行测评之前四个支路处于正向不导通的状态：控制组成部件所在的支路和组成部件的对侧支路正向导通且持续第一预设时间，以对充放电模块进行充电；控制组成部件所在的支路正向不导通但组成部件的对侧支路正向导通且持续第二预设时间，以使得充放电模块进行放电；获取组成部件的测评参数；以及根据所获取的测评参数和预设测评参数，判断组成部件的状态，以对组成部件进行测评。藉此，实现了在电路的实际工况中无需将组成部件拆卸下来即可对组成部件进行测评。
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公开(公告)号：CN114441923B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210367078.1
申请日：2022-04-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开一种瞬态热阻的模拟系统与方法。所述模拟系统包括：信号生成装置，用于生成一组激励信号，其中该组激励信号中的不同激励信号具有相同的占空比与不同的周期；测量电路，用于将所述不同激励信号分别施加在IGBT模块的等效热阻模型的两端，以测量所述不同激励信号下的所述等效热阻模型的最大瞬态热阻；以及转换装置，用于将所述不同激励信号下的所述等效热阻模型的最大瞬态热阻转换成所述占空比下的IGBT模块的瞬态热阻曲线。由此，本发明可搭建出一套针对IGBT模块的等效热阻仿真电路，通过改变仿真电路中的脉冲方波激励信号来快速获取IGBT模块的瞬态热阻曲线。
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公开(公告)号：CN114628247A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210515987.5
申请日：2022-05-12
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/331 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/739
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，提供一种IGBT器件的制造方法及IGBT器件。所述IGBT器件的制造方法包括：在硅衬底中形成深沟槽；在深沟槽内形成附着于深沟槽的槽壁的栅氧化层薄膜；在深沟槽内形成附着于栅氧化层薄膜的金属薄膜种子层；在具有金属薄膜种子层的深沟槽内填充金属钨形成钨栅极及钨栅极总线。本申请采用金属钨材料作为栅极材料，由于金属钨材料的电阻率比多晶硅材料的电阻率低两个数量级，利用钨栅极和钨栅极总线替代多晶硅栅极和栅极总线，显著降低IGBT器件的栅极电阻，从而降低栅极总线的电阻延迟，避免IGBT器件开关不一致的问题。
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公开(公告)号：CN114545139A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210365325.4
申请日：2022-04-07
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种测试装置及方法，该测试装置包括：至少一组测试模块，每组测试模块均设有接口，用于接入待测器件；每组测试模块之间为并联连接；设置模块，用于设置所述待测器件的工作温度及输入测试信号至所述测试模块；分析模块，用于根据所述测试模块的输出信号确定所述待测器件的性能参数。该测试装置能够有效评估器件的可靠性。
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