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公开(公告)号：CN115356606B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202210929159.6
申请日：2022-08-03
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及电力技术领域，具体涉及一种隔离器件耐压测试的装置、制造方法及耐压测试的方法，所述装置包括：一对夹具、PCB板、金属和底座；所述一对夹具固定于所述底座上；每个夹具包括上夹板和下夹板，所述下夹板上设置所述PCB板，所述PCB板上设置所述金属；其中，当隔离器的两侧端子分别接触所述金属短接时，所述隔离器与所述底座之间为空气隔开。本公开提供的装置，隔离器与底座之间由空气隔开，利用空气绝缘性较好的原理，可以大大提高隔离器耐压测试的上限，防止在隔离器测试过程当中，因测试工装自身耐压不足产生闪络、火花等击穿现象，从而可以在较高的测试电压下测试隔离器，能够更加全面的评估隔离器的性能指标。
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公开(公告)号：CN117852462B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202311550020.1
申请日：2023-11-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: G06F30/367 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F111/08 , G06F111/10 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本申请公开可靠性仿真方法、可靠性仿真装置、仿真设备及非易失性计算机可读存储介质。方法包括获取电磁干扰信号的周期性干扰信号；对获取的电磁干扰信号周期性干扰信号进行高斯混合模拟，以获取高斯混合干扰信号时域函数；根据高斯混合干扰信号时域函数和预设加速因子模型，将周期性干扰信号转换为矩形脉冲信号，预设加速因子模型为正常工况下的预期失效时间和具有预设加速应力条件下的真实失效时间的比值，预设加速因子模型满足退化一致性条件；及将矩形脉冲信号作为输入边界条件，输入到预设的仿真软件仿真预设次数，以输出待仿真晶体管的退化率，退化率配置为表征待仿真晶体管的可靠性。如此，仿真结果可准确地反映待仿真晶体管的可靠性。
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公开(公告)号：CN114268310B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202111331236.X
申请日：2021-11-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 芯创智(北京)微电子有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明提供一种电平移位器和数字隔离器，该电平移位器还包括偏置电流瞬态增强单元和边沿快速响应单元；所述输入信号端连接电平移位主体单元、偏置电流瞬态增强单元和边沿快速响应单元；所述偏置电流瞬态增强单元的输出端与边沿快速响应单元的输入端连接，所述边沿快速响应单元的输出端与所述电平移位主体单元的输出端连接，所述电平移位主体单元的输出端作为所述输出信号端；所述偏置电流瞬态增强单元用于在输入信号跳变过程中为边沿快速响应单元提供瞬态增强后的偏置电流，所述边沿快速响应单元用于在所述偏置电流的作用下快速响应，以加快电平移位主体单元输出电平的转换速度。解决了传统电平移位器在输入信号电平突变时响应较慢的问题。
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公开(公告)号：CN117313625A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311605343.6
申请日：2023-11-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC: G06F30/367 , G01R31/26 , G01N33/2022 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供一种MOS器件寿命预测方法、装置和电子设备，属于半导体器件技术领域。方法包括：基于对正常环境的MOS器件进行加速退化试验的试验结果获取关键电参数退化曲线；基于关键电参数退化曲线确定MOS器件的试验寿命；对正常环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线与试验寿命，确定目标栅氧界面缺陷浓度；对电磁干扰环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线与目标栅氧界面缺陷浓度，确定电磁干扰环境下MOS器件的预测寿命。本发明解决电磁干扰下MOS器件寿命难评估的缺陷。
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公开(公告)号：CN116754920B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311053826.X
申请日：2023-08-21
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: G01R31/26 , G06N3/0442 , G06N3/048 , G06N3/084 , G06N3/096
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体寿命测试方法、装置、存储介质及终端设备，属于半导体技术领域。方法包括：实时获取待测半导体在加速应力试验下的特征参数；在确定获取到的特征参数的退化量达到第一阈值的情况下，以当前获取到的特征参数构成的时间序列数据集为输入，经半导体寿命预测模型输出待测半导体的失效时刻。半导体寿命预测模型由与待测半导体同一类别的半导体在加速应力试验下的第一时间序列样本数据集对目标域模型训练后得到，目标域模型由对预训练的源域模型进行迁移学习后得到。本申请能够有效减少试验数据的采集量，降低了半导体器件的可靠性测试时间，提高了测试效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116805864A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310612009.7
申请日：2023-05-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明实施例提供一种低通滤波器及设备，属于滤波器技术领域。所述低通滤波器，包括：第一滤波网络，其输入端接入待处理信号，用于提供针对该待处理信号的低通截止频率和可调增益以进行信号滤波，并输出第一滤波信号；以及第二滤波网络，其输入端接入所述第一滤波信号，用于滤除该第一滤波信号中的杂波，并输出第二滤波信号。本发明实施例通过第一滤波网络进行了低通截止频率和可调增益的设计，有助于适应场景来降低滤波器功耗，通过第二滤波网络进行杂波滤除，有助于进一步降低滤波器功耗，且改善了信号的线性度。
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公开(公告)号：CN115308558B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211039166.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/26 , G06F18/214 , G06F18/241 , G06N3/0442 , G06N3/0464 , G06N3/045
Abstract: 本公开实施例公开了一种CMOS器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质。其中CMOS器件寿命预测方法包括：获取CMOS器件在加速应力试验下电参数的时间序列样本数据集，所述时间序列样本数据集包括表征所述CMOS器件寿命的电参数退化量的时间序列样本数据；基于所述时间序列样本数据集得到训练集；用所述训练集训练时序模型，获得寿命预测模型；用所述寿命预测模型预测所述CMOS器件的失效时间。上述技术方案减少了现有技术中因对CMOS器件进行完整的加速应力试验以确定其使用寿命的时间成本，提高了产品质检效率，缩短了CMOS器件的生产周期，解决了CMOS器件生产效率低的问题。
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公开(公告)号：CN112574529B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202011349297.4
申请日：2020-11-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 天津大学
Abstract: 本发明涉及高分子材料技术领域，公开了一种导热绝缘复合材料，所述复合材料包括10‑25重量份的多孔填料、30‑65重量份的聚合物、10‑25重量份的固化剂以及0‑55重量份的导热填料；其中，所述多孔填料选自泡沫陶瓷和/或泡沫镍。本发明提供的导热绝缘复合材料，引入了多孔填料，构建了网状结构，尤其是当多孔填料为泡沫陶瓷时，能够很好地利用骨架材料的增强作用，使得所述复合材料导热绝缘性能优异，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114818393B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202210740098.9
申请日：2022-06-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G06F30/20 , G01R31/26 , G06F119/04
Abstract: 本公开实施例公开了一种半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质。本公开实施例提供的半导体器件失效时刻预测方法，包括：获取所述半导体器件的静态参数的第一阶段测试数据，其中，所述测试数据为时间序列数据；基于所述第一阶段测试数据和预先构建的差分整合移动平均自回归ARIMA模型得到所述半导体器件的第二阶段预测数据；基于所述半导体器件的第二阶段预测数据确定所述半导体器件的失效时刻。本公开实施例的技术方案解决了现有的HCI测试耗时过长，无法满足工业生产过程中产品数量大、工期紧的需求的技术问题，大幅缩短了半导体器件失效时刻的获取时长，降低了测试成本，提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN115062730B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202210944464.2
申请日：2022-08-08
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G06F18/24 , G06F18/214 , G06N3/0464 , G06N3/0442 , G06V10/764 , G01R31/58 , G01R31/54
Abstract: 本公开涉及电力设备技术领域，具体涉及一种输电线检测方法、模型训练方法、装置、设备及介质，所述方法包括：获取输电线状态采集器采集的至少一组采集器状态数据，并根据至少一组采集器状态数据获取至少一组输电线状态数据；对至少一组输电线状态数据进行检测，以生成输电线状态检测结果；响应于至少两组连续的输电线状态数据的检测结果均满足状态数据超标条件，生成输电线断落故障信息。该方案可以在耗费较少资源的前提下，准确的确定两个输电线塔之间的目标输电线是否出现了断落故障，从而改善了检测效率，并提高了检测的准确率。
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