公开(公告)号：CN117852462B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202311550020.1

申请日：2023-11-20

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

Inventor： 朱亚星 ,  赵东艳 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  吴波 ,  王凯 ,  王柏清 ,  宋斌斌 ,  连亚军

IPC: G06F30/367 ,  G06F119/02 ,  G06F119/04 ,  G06F111/08 ,  G06F111/10 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08

Abstract: 本申请公开可靠性仿真方法、可靠性仿真装置、仿真设备及非易失性计算机可读存储介质。方法包括获取电磁干扰信号的周期性干扰信号；对获取的电磁干扰信号周期性干扰信号进行高斯混合模拟，以获取高斯混合干扰信号时域函数；根据高斯混合干扰信号时域函数和预设加速因子模型，将周期性干扰信号转换为矩形脉冲信号，预设加速因子模型为正常工况下的预期失效时间和具有预设加速应力条件下的真实失效时间的比值，预设加速因子模型满足退化一致性条件；及将矩形脉冲信号作为输入边界条件，输入到预设的仿真软件仿真预设次数，以输出待仿真晶体管的退化率，退化率配置为表征待仿真晶体管的可靠性。如此，仿真结果可准确地反映待仿真晶体管的可靠性。

公开(公告)号：CN117313625A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311605343.6

申请日：2023-11-29

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京航空航天大学

Inventor： 朱亚星 ,  赵东艳 ,  戴飞 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  吴波 ,  王柏清 ,  王凯 ,  宋斌斌 ,  连亚军

IPC: G06F30/367 ,  G01R31/26 ,  G01N33/2022 ,  G06F119/04

Abstract: 本发明提供一种MOS器件寿命预测方法、装置和电子设备，属于半导体器件技术领域。方法包括：基于对正常环境的MOS器件进行加速退化试验的试验结果获取关键电参数退化曲线；基于关键电参数退化曲线确定MOS器件的试验寿命；对正常环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线与试验寿命，确定目标栅氧界面缺陷浓度；对电磁干扰环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线与目标栅氧界面缺陷浓度，确定电磁干扰环境下MOS器件的预测寿命。本发明解决电磁干扰下MOS器件寿命难评估的缺陷。

公开(公告)号：CN117852462A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311550020.1

申请日：2023-11-20

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

Inventor： 朱亚星 ,  赵东艳 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  吴波 ,  王凯 ,  王柏清 ,  宋斌斌 ,  连亚军

IPC: G06F30/367 ,  G06F119/02 ,  G06F119/04 ,  G06F111/08 ,  G06F111/10 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08

Abstract: 本申请公开可靠性仿真方法、可靠性仿真装置、仿真设备及非易失性计算机可读存储介质。方法包括获取电磁干扰信号的周期性干扰信号；对获取的电磁干扰信号周期性干扰信号进行高斯混合模拟，以获取高斯混合干扰信号时域函数；根据高斯混合干扰信号时域函数和预设加速因子模型，将周期性干扰信号转换为矩形脉冲信号，预设加速因子模型为正常工况下的预期失效时间和具有预设加速应力条件下的真实失效时间的比值，预设加速因子模型满足退化一致性条件；及将矩形脉冲信号作为输入边界条件，输入到预设的仿真软件仿真预设次数，以输出待仿真晶体管的退化率，退化率配置为表征待仿真晶体管的可靠性。如此，仿真结果可准确地反应待仿真晶体管的可靠性。

公开(公告)号：CN117313625B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311605343.6

申请日：2023-11-29

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京航空航天大学

Inventor： 朱亚星 ,  赵东艳 ,  戴飞 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  吴波 ,  王柏清 ,  王凯 ,  宋斌斌 ,  连亚军

IPC: G06F30/367 ,  G01R31/26 ,  G01N33/2022 ,  G06F119/04

Abstract: 本发明提供一种MOS器件寿命预测方法、装置和电子设备，属于半导体器件技术领域。方法包括：基于对正常环境的MOS器件进行加速退化试验的试验结果获取关键电参数退化曲线；基于关键电参数退化曲线确定MOS器件的试验寿命；对正常环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线与试验寿命，确定目标栅氧界面缺陷浓度；对电磁干扰环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线与目标栅氧界面缺陷浓度，确定电磁干扰环境下MOS器件的预测寿命。本发明解决电磁干扰下MOS器件寿命难评估的缺陷。