公开(公告)号：CN117313625A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311605343.6

申请日：2023-11-29

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京航空航天大学

发明人： 朱亚星 ,  赵东艳 ,  戴飞 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  吴波 ,  王柏清 ,  王凯 ,  宋斌斌 ,  连亚军

IPC分类号： G06F30/367 ,  G01R31/26 ,  G01N33/2022 ,  G06F119/04

摘要： 本发明提供一种MOS器件寿命预测方法、装置和电子设备，属于半导体器件技术领域。方法包括：基于对正常环境的MOS器件进行加速退化试验的试验结果获取关键电参数退化曲线；基于关键电参数退化曲线确定MOS器件的试验寿命；对正常环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线与试验寿命，确定目标栅氧界面缺陷浓度；对电磁干扰环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线与目标栅氧界面缺陷浓度，确定电磁干扰环境下MOS器件的预测寿命。本发明解决电磁干扰下MOS器件寿命难评估的缺陷。

公开(公告)号：CN117313625B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311605343.6

申请日：2023-11-29

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京航空航天大学

发明人： 朱亚星 ,  赵东艳 ,  戴飞 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  吴波 ,  王柏清 ,  王凯 ,  宋斌斌 ,  连亚军

IPC分类号： G06F30/367 ,  G01R31/26 ,  G01N33/2022 ,  G06F119/04

摘要： 本发明提供一种MOS器件寿命预测方法、装置和电子设备，属于半导体器件技术领域。方法包括：基于对正常环境的MOS器件进行加速退化试验的试验结果获取关键电参数退化曲线；基于关键电参数退化曲线确定MOS器件的试验寿命；对正常环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线与试验寿命，确定目标栅氧界面缺陷浓度；对电磁干扰环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线与目标栅氧界面缺陷浓度，确定电磁干扰环境下MOS器件的预测寿命。本发明解决电磁干扰下MOS器件寿命难评估的缺陷。

公开(公告)号：CN115881778A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202310056870.X

申请日：2023-01-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  张东 ,  安铁雷 ,  连亚军 ,  朱亚星

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；漂移延伸区，形成于漂移区的上表面，漂移延伸区包括第一延伸层和层叠设置于第一延伸层之上的第二延伸层，第一延伸层与第二延伸层具有不同的导电类型，第一延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于漂移延伸区的两侧；栅极，形成于体区上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够改善晶体管的自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。

公开(公告)号：CN115881778B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310056870.X

申请日：2023-01-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  张东 ,  安铁雷 ,  连亚军 ,  朱亚星

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；漂移延伸区，形成于漂移区的上表面，漂移延伸区包括第一延伸层和层叠设置于第一延伸层之上的第二延伸层，第一延伸层与第二延伸层具有不同的导电类型，第一延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于漂移延伸区的两侧；栅极，形成于体区上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够改善晶体管的自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。

公开(公告)号：CN115863397B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202310056857.4

申请日：2023-01-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  邵亚利 ,  安铁雷 ,  连亚军 ,  朱亚星

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；异质结延伸区，形成于漂移区的上表面，异质结延伸区包括漂移延伸层和层叠设置于漂移延伸层之上的碳化硅延伸层，漂移延伸层与碳化硅延伸层具有不同的导电类型，漂移延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于异质结延伸区的两侧；栅极，形成于体区之上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够减轻漂移区表面电子的聚集，改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。

公开(公告)号：CN117852462A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311550020.1

申请日：2023-11-20

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 朱亚星 ,  赵东艳 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  吴波 ,  王凯 ,  王柏清 ,  宋斌斌 ,  连亚军

IPC分类号： G06F30/367 ,  G06F119/02 ,  G06F119/04 ,  G06F111/08 ,  G06F111/10 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08

摘要： 本申请公开可靠性仿真方法、可靠性仿真装置、仿真设备及非易失性计算机可读存储介质。方法包括获取电磁干扰信号的周期性干扰信号；对获取的电磁干扰信号周期性干扰信号进行高斯混合模拟，以获取高斯混合干扰信号时域函数；根据高斯混合干扰信号时域函数和预设加速因子模型，将周期性干扰信号转换为矩形脉冲信号，预设加速因子模型为正常工况下的预期失效时间和具有预设加速应力条件下的真实失效时间的比值，预设加速因子模型满足退化一致性条件；及将矩形脉冲信号作为输入边界条件，输入到预设的仿真软件仿真预设次数，以输出待仿真晶体管的退化率，退化率配置为表征待仿真晶体管的可靠性。如此，仿真结果可准确地反应待仿真晶体管的可靠性。

公开(公告)号：CN115863397A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202310056857.4

申请日：2023-01-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  邵亚利 ,  安铁雷 ,  连亚军 ,  朱亚星

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；异质结延伸区，形成于漂移区的上表面，异质结延伸区包括漂移延伸层和层叠设置于漂移延伸层之上的碳化硅延伸层，漂移延伸层与碳化硅延伸层具有不同的导电类型，漂移延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于异质结延伸区的两侧；栅极，形成于体区之上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够减轻漂移区表面电子的聚集，改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。

公开(公告)号：CN116930594A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202311178015.2

申请日：2023-09-13

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 宋斌斌 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  高杰 ,  王凯 ,  赵扬 ,  朱亚星 ,  黄保成 ,  孟庆萌 ,  常泽洲

IPC分类号： G01R19/00 ,  G06F30/38

摘要： 本发明提供一种半导体器件原位微区电流分布检测方法及系统，属于半导体器件检测领域，该方法包括：搭建NV色心检测平台；对半导体器件检测样品施加电流，使其导通；利用NV色心检测平台检测半导体器件检测样品正面的磁场强度；利用傅里叶变换、毕奥‑萨伐尔定律、电流密度连续性方程和半导体器件检测样品正面的磁场强度计算半导体器件检测样品正面的原位微区电流密度，以确定半导体器件原位微区电流分布。通过本发明提供的方法，能够探测半导体器件的磁场信号，从而反演获得半导体器件内部微区电流信息，实现半导体器件原位微区电流分布检测，获得半导体器件中载流子实际的输运过程，指导半导体器件设计。

公开(公告)号：CN118136615B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410546698.0

申请日：2024-05-06

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 王凯 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  余山 ,  邓永峰 ,  吴波 ,  宋斌斌 ,  连亚军 ,  郁文 ,  李君建 ,  张同 ,  朱亚星

IPC分类号： H01L23/64 ,  H10N97/00

摘要： 本公开涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种薄膜电阻及其制备方法、电子器件、芯片和电子设备。根据本公开实施例提供的技术方案，通过在薄膜电阻材料层下方设置包括一个或多个梳状结构层的梳状结构，可以有效地平衡电阻的生长应力，减少应力集中现象，增强薄膜电阻材料层的机械稳定性，充分提升电阻的平整度和均一性，降低材料表面缺陷；进一步地，在与衬底垂直的平面上，薄膜电阻材料层的边缘与梳状结构的边缘以及衬底的边缘对齐时，可有效避免光刻过程中由于不规则反射效应造成的电阻损伤，降低材料内部缺陷，从而综合提升温度稳定性，由此大幅度降低了电阻的温度系数，提升了电阻的精度水平，进而满足了芯片产品的应用需求。

公开(公告)号：CN118011175B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410420863.8

申请日：2024-04-09

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院

发明人： 陈燕宁 ,  刘芳 ,  宋斌斌 ,  王凯 ,  赵扬 ,  朱亚星 ,  左阿惠 ,  许玉洁 ,  孟庆萌 ,  常泽洲 ,  齐宇

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供一种晶体管器件缺陷分析方法及系统，涉及半导体器件检测领域。分析方法包括：搭建缺陷检测平台，并检测缺陷检测样品的初始瞬态电容；其中，缺陷检测样品包括在衬底上形成的多个晶体管器件，晶体管器件具有金属/氧化物/半导体层叠结构，每一晶体管器件的栅极通过梳状导电结构连接至第一引脚，缺陷检测样品的衬底连接至第二引脚；搭建电磁干扰平台，并对缺陷检测样品进行电磁干扰；检测损伤瞬态电容；基于初始瞬态电容确定初始缺陷能级和初始缺陷浓度，基于损伤瞬态电容确定损伤缺陷能级和损伤缺陷浓度；确定缺陷检测样品的电磁损伤程度。通过本发明提供的分析方法，能够探测晶体管器件的微观缺陷，准确测量晶体管器件的缺陷能级。