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公开(公告)号：CN116822312B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311103630.7
申请日：2023-08-30
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种高阶非结构化网格单元的后处理显示方法、系统及介质，属于电子设计自动化领域。所述方法包括：获取场物理量场信息文件；根据预设规则将场物理量场信息文件中的场物理量数据划分为不同的信息组，每个信息组包含三条场物理量数据；通过格式转化库将划分好信息组的场物理量数据转换为通用后处理显示文件；采用后处理工具打开通用后处理显示文件，实现场物理量数据后处理显示。通过上述技术方案，将场物理量场信息文件中的场物理量数据划分为三条一组，实现三角形面片化，并转换为通用后处理显示文件，以实现使用通用后处理(56)对比文件刘庆彬 等.基于ParaView的Abaqus有限元输出结果的可视化与虚拟现实《.岩土力学》.2019,第40卷(第12期),第4916-4923页.
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公开(公告)号：CN114966294A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210894078.7
申请日：2022-07-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种电力设备的可靠性试验系统及控制方法、装置和介质，属于可靠性试验技术领域。高温老化箱，设置于试验室端，用于容纳预期进行可靠性试验的第一电力设备；控制装置，设置于试验室端并与所述高温老化箱连接，用于设置在高温老化箱内对所述第一电力设备进行可靠性试验的试验环境参数，并监测第一电力设备在基于试验环境参数的可靠性试验下的运行情况；采集装置，其设置于位于现场端的第二电力设备的箱体内，用于采集第二电力设备内部的参考环境参数，并将该参考环境参数提供给控制装置以使得控制装置基于参考环境参数设置试验环境参数。本发明对于第一电力设备的试验环境参数设置更贴近实际，试验结果更准确可靠。
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公开(公告)号：CN114720739A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210561153.8
申请日：2022-05-23
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
Abstract: 本发明涉及电磁技术领域，公开一种传输线尺寸的确定方法、系统与脉冲电场发生器，所述方法包括：根据测量的脉冲电场波形的特征参数值及待测设备的尺寸，确定具有特定结构的传输线的尺寸；根据传输线的尺寸及脉冲电场波形的特征参数值，确定脉冲电场发生器的电容、电感与终端阻抗；根据脉冲电场发生器的电容、电感与终端阻抗，建立脉冲电场发生器的等效电路模型；及根据等效电路模型的输出结果与脉冲电场波形，优化传输线的尺寸。本发明可根据变电站的隔离开关等一次设备操作所产生的脉冲电场波形设计具有特定结构的传输线的尺寸，由所设计的传输线构成的脉冲电场发生器可灵活再现脉冲电场波形，并且该再现系统具有占地面积可控、成本低等优势。
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公开(公告)号：CN114441923A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210367078.1
申请日：2022-04-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开一种瞬态热阻的模拟系统与方法。所述模拟系统包括：信号生成装置，用于生成一组激励信号，其中该组激励信号中的不同激励信号具有相同的占空比与不同的周期；测量电路，用于将所述不同激励信号分别施加在IGBT模块的等效热阻模型的两端，以测量所述不同激励信号下的所述等效热阻模型的最大瞬态热阻；以及转换装置，用于将所述不同激励信号下的所述等效热阻模型的最大瞬态热阻转换成所述占空比下的IGBT模块的瞬态热阻曲线。由此，本发明可搭建出一套针对IGBT模块的等效热阻仿真电路，通过改变仿真电路中的脉冲方波激励信号来快速获取IGBT模块的瞬态热阻曲线。
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公开(公告)号：CN116754920B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311053826.X
申请日：2023-08-21
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: G01R31/26 , G06N3/0442 , G06N3/048 , G06N3/084 , G06N3/096
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体寿命测试方法、装置、存储介质及终端设备，属于半导体技术领域。方法包括：实时获取待测半导体在加速应力试验下的特征参数；在确定获取到的特征参数的退化量达到第一阈值的情况下，以当前获取到的特征参数构成的时间序列数据集为输入，经半导体寿命预测模型输出待测半导体的失效时刻。半导体寿命预测模型由与待测半导体同一类别的半导体在加速应力试验下的第一时间序列样本数据集对目标域模型训练后得到，目标域模型由对预训练的源域模型进行迁移学习后得到。本申请能够有效减少试验数据的采集量，降低了半导体器件的可靠性测试时间，提高了测试效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116743141A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310560064.6
申请日：2023-05-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国网山西省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明涉及电子信息领域，公开了一种IGBT的控制装置和控制方法、芯片及电路，该控制装置包括：电压采样模块，用于采集所述IGBT的集电极电压；电流采样模块，用于采集所述IGBT的输出电流；以及控制模块，用于：比较输入控制信号和预设控制信号阈值；以及基于比较结果，根据所述电流采样模块采集的所述输出电流或所述电压采集模块采集的所述集电极电压和所述输入控制信号确定输入至所述IGBT的栅极的输入电压。藉此，实现了对IGBT的栅极进行控制。
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公开(公告)号：CN115308558B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211039166.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/26 , G06F18/214 , G06F18/241 , G06N3/0442 , G06N3/0464 , G06N3/045
Abstract: 本公开实施例公开了一种CMOS器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质。其中CMOS器件寿命预测方法包括：获取CMOS器件在加速应力试验下电参数的时间序列样本数据集，所述时间序列样本数据集包括表征所述CMOS器件寿命的电参数退化量的时间序列样本数据；基于所述时间序列样本数据集得到训练集；用所述训练集训练时序模型，获得寿命预测模型；用所述寿命预测模型预测所述CMOS器件的失效时间。上述技术方案减少了现有技术中因对CMOS器件进行完整的加速应力试验以确定其使用寿命的时间成本，提高了产品质检效率，缩短了CMOS器件的生产周期，解决了CMOS器件生产效率低的问题。
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公开(公告)号：CN114818393B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202210740098.9
申请日：2022-06-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G06F30/20 , G01R31/26 , G06F119/04
Abstract: 本公开实施例公开了一种半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质。本公开实施例提供的半导体器件失效时刻预测方法，包括：获取所述半导体器件的静态参数的第一阶段测试数据，其中，所述测试数据为时间序列数据；基于所述第一阶段测试数据和预先构建的差分整合移动平均自回归ARIMA模型得到所述半导体器件的第二阶段预测数据；基于所述半导体器件的第二阶段预测数据确定所述半导体器件的失效时刻。本公开实施例的技术方案解决了现有的HCI测试耗时过长，无法满足工业生产过程中产品数量大、工期紧的需求的技术问题，大幅缩短了半导体器件失效时刻的获取时长，降低了测试成本，提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN117650779B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202311220532.1
申请日：2023-09-20
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H03K19/08 , H03K19/094 , H03K19/173 , H03K19/003
Abstract: 本发明涉及集成电路领域，提供一种IGBT保护电路及芯片。IGBT保护电路包括开关管、第一驱动管及第二驱动管，第一驱动管的栅极连接第一输入信号，第二驱动管的栅极连接第二输入信号，第一驱动管的漏极与第二驱动管的漏极相连作为驱动信号输出点，用于输出驱动信号；开关管的栅极连接使能信号，开关管的漏极与第二驱动管的栅极相连，开关管的源极与驱动信号输出点相连，通过开关管在驱动信号输出点与第二驱动管的栅极之间形成通路。本发明利用开关管在驱动信号输出点与第二驱动管的栅极之间形成通路，该通路能够主动为第二驱动管的栅极充电，开启第二驱动管，防止IGBT误导通，提高响应速度；通过使能信号控制开关管的关断，节省功耗。
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公开(公告)号：CN117498854A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311220391.3
申请日：2023-09-20
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H03K19/08 , H03K19/094 , H03K19/173 , H03K19/003
Abstract: 本发明涉及集成电路领域，提供一种IGBT驱动电路及芯片。所述IGBT驱动电路包括死区产生模块、电平位移模块、延时电路模块、第一驱动管以及第二驱动管。死区产生模块用于基于输入信号生成非交叠的第一控制信号和第二控制信号；电平位移模块用于对第一控制信号进行电平位移处理生成高压域控制信号；延时电路模块用于对第二控制信号进行延时处理生成与所述高压域控制信号的延时相匹配的低压域控制信号；第一驱动管与第二驱动管在高压域控制信号以及低压域控制信号的作用下生成轨到轨输出的驱动信号。本发明可实现不同电压域的匹配，提高响应速度，且可实现良好的延时匹配特性，避免第一驱动管与第二驱动管直通，节省功耗。
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