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公开(公告)号：CN117317025B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311589953.1
申请日：2023-11-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
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公开(公告)号：CN117317025A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311589953.1
申请日：2023-11-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅MOSFET器件及制造方法、功率芯片。碳化硅MOSFET器件包括：碳化硅衬底、形成于碳化硅衬底的第一导电类型外延层和第二导电类型保护层、栅极、源极以及漏极，第二导电类型保护层包括第一保护层和第二保护层，第一保护层包括纵向延伸区和横向延伸区，第一保护层的纵向延伸区与源极相接，第一保护层的横向延伸区横向延伸至第一导电类型外延层，第二保护层与第一保护层的纵向延伸区横向相接，第二保护层通过沟道区与源极相连，在第一保护层和第二保护层的作用下使第一导电类型外延层内形成纵向耗尽和横向耗尽的漂移区。本发明可以提高器件击穿电压同时降低导通电阻，提升器件的动态可靠性。
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公开(公告)号：CN118399776A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410477518.8
申请日：2024-04-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H02M7/217 , H02M1/42 , H02M3/335 , H02M7/5387 , G01R31/26
摘要： 本发明提供一种通信电源、MOS器件测评方法及系统，属于电源技术领域。通信电源包括前级电路、移相全桥电路、模式切换电路、变压器、输出电路和控制模块，前级电路与移相全桥电路连接，移相全桥电路与模式切换电路连接，模式切换电路与变压器连接，变压器与输出电路连接，模式切换电路与控制模块连接；前级电路将输入的交流电源转换为直流电源，并将直流电源输入至移相全桥电路；移相全桥电路获取PWM信号，并通过PWM信号控制移相全桥电路中MOS管的通断状态；控制模块控制模式切换电路的通断状态，以使通信电源处于不同的运行工况，避免了拆卸MOS器件。
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公开(公告)号：CN118248739A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410669075.2
申请日：2024-05-28
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种横向半导体器件及制造方法。横向半导体器件包括半导体衬底、阱区、漂移区、源区、漏区、栅极，以及位于漂移区一侧的浮空场板结构；浮空场板结构包括形成于半导体衬底上的级联的多晶硅场板，级联的多晶硅场板中相邻两级的多晶硅场板之间通过层间介质层相连，第一级多晶硅场板与栅极相连，最后一级多晶硅场板与漏极相连。本发明在漂移区侧向增加级联的多晶硅场板结构，通过级联的多晶硅场板将栅极与漏极连接起来，从而调制漂移区表面及内部的电场，使漂移区的电场峰值得到有效降低，击穿电压得到提高，同时衬底辅助耗尽效应得以减弱，漂移区离子掺杂工艺窗口得以扩展，降低了横向半导体器件的制造难度。
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公开(公告)号：CN118248739B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410669075.2
申请日：2024-05-28
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种横向半导体器件及制造方法。横向半导体器件包括半导体衬底、阱区、漂移区、源区、漏区、栅极，以及位于漂移区一侧的浮空场板结构；浮空场板结构包括形成于半导体衬底上的级联的多晶硅场板，级联的多晶硅场板中相邻两级的多晶硅场板之间通过层间介质层相连，第一级多晶硅场板与栅极相连，最后一级多晶硅场板与漏极相连。本发明在漂移区侧向增加级联的多晶硅场板结构，通过级联的多晶硅场板将栅极与漏极连接起来，从而调制漂移区表面及内部的电场，使漂移区的电场峰值得到有效降低，击穿电压得到提高，同时衬底辅助耗尽效应得以减弱，漂移区离子掺杂工艺窗口得以扩展，降低了横向半导体器件的制造难度。
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公开(公告)号：CN112710405A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011461453.6
申请日：2020-12-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01K7/16
摘要： 本发明实施例提供一种温度传感器，属于传感器技术领域。所述温度传感器包括：具有谐振腔的基板；悬臂梁，该悬臂梁位于所述谐振腔中，一端固定在所述基板上；金属层，位于所述悬臂梁的表面，温度变化时，与悬臂梁共同作用产生静态弯曲量；惠斯通电桥，包括至少一个U型可变压阻，该可变压阻位于所述悬臂梁的固定端应力最大处，用于将所述静态弯曲量转换为电信号。通过本发明提供的技术方案，能够实现对环境温度的快速高灵敏度、高精度的检测。
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公开(公告)号：CN112710405B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202011461453.6
申请日：2020-12-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01K7/16
摘要： 本发明实施例提供一种温度传感器，属于传感器技术领域。所述温度传感器包括：具有谐振腔的基板；悬臂梁，该悬臂梁位于所述谐振腔中，一端固定在所述基板上；金属层，位于所述悬臂梁的表面，温度变化时，与悬臂梁共同作用产生静态弯曲量；惠斯通电桥，包括至少一个U型可变压阻，该可变压阻位于所述悬臂梁的固定端应力最大处，用于将所述静态弯曲量转换为电信号。通过本发明提供的技术方案，能够实现对环境温度的快速高灵敏度、高精度的检测。
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公开(公告)号：CN112710706A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011443736.8
申请日：2020-12-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 本发明实施例提供一种湿度传感器，属于传感器技术领域。所述湿度传感器包括：第一电极、第二电极、湿度敏感材料层；所述湿度敏感材料层位于第一电极和第二电极之间；所述第二电极为多孔电极，开孔的形状为圆形或三角形。通过本发明提供的技术方案，能够实现对环境湿度的高灵敏度、高精度的检测，同时提高了传感器的可集成度与稳定性能。
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公开(公告)号：CN118311306A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410738418.6
申请日：2024-06-07
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要： 本公开涉及晶圆和芯片成品测试技术领域，具体涉及一种保护模块、测试装置、测试设备及测试方法。本公开提供了一种通用的高可靠测试装置，通过在测试装置中添加保护模块，进一步在保护模块中添加限流单元和连接单元，所述限流单元包括限流器件，用于防止电流突增导致所述测试装置和/或所述被测器件损坏；所述连接单元至少包括一预设阻值的电阻，通过该电阻将所述测试机的感测线与所述被测器件连接，以使所述测试机通过所述感测线感测施加到所述被测器件的电压值，利用该电阻通过提高感测线的输入阻抗保证了得到的被测器件电压的准确性，提高了测试结果的准确性。
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公开(公告)号：CN117309035A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311085428.6
申请日：2023-08-25
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明涉及变电站监测领域，公开了一种变电站场景下的多物理场复杂环境的监测采集装置，包括底座、支撑架、支撑条带、设置在支撑条带上的多个齿板、监测盒和驱动组件，监测盒具有多个监测口，监测盒中设置有位于监测口处的齿套和传动组件，齿套的外周上设置有多物理场传感器，传动组件能够传动连接齿板和齿套，驱动组件能够驱动监测盒升降移动，其中，当监测盒到达齿板时，多物理场传感器暴露，当监测盒脱离齿板时，多物理场传感器隐藏。通过上述技术方案，可以使得多物理场传感器在不同的高度位置监测环形的温湿度与电磁场，并且在不需要测量的位置将多物理场传感器隐藏在监测盒中，以保护多物理场传感，避免其受损坏，特别是避免其受到污物污染，可以提高其检测准确度。
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