碳化硅MOSFET器件及制造方法、功率芯片

发明授权

CN117317025B 碳化硅MOSFET器件及制造方法、功率芯片有权

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专利标题： 碳化硅MOSFET器件及制造方法、功率芯片
申请号： CN202311589953.1

申请日： 2023-11-27
公开(公告)号： CN117317025B

公开(公告)日： 2024-03-08
发明人: 付振 , 陈燕宁 , 张泉 , 尹强 , 杨毓龙 , 张文敏 , 申占伟 , 岳世忠 , 朱晓钢 , 要文波 , 刘型志
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
申请人地址： 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
专利权人： 北京智芯微电子科技有限公司,中国科学院半导体研究所,国网重庆市电力公司营销服务中心,国家电网有限公司
当前专利权人： 北京智芯微电子科技有限公司,中国科学院半导体研究所,国网重庆市电力公司营销服务中心,国家电网有限公司
当前专利权人地址： 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
代理机构： 北京润平知识产权代理有限公司
代理商 郑海涛
主分类号： H01L29/78
IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L21/336

公开/授权文献

CN117317025A 碳化硅MOSFET器件及制造方法、功率芯片公开/授权日：2023-12-29

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的