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公开(公告)号：CN117761920A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311571482.1
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于“BP‑AHA”异质集成的多模式微环谐振调制器包括，全通型微环，以及沉积在全通型微环内部的漏极、沉积在全通型微环外部的源极；源极和漏极之间由BP‑AHA结构连接，并且在BP‑AHA结构顶部沉积栅极。本发明可以通过栅极施加电压进行电压调制，也可以通过空间激光进行调制，实现了单器件的多模式调制，有一定的应用场景。
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公开(公告)号：CN119179837A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411257983.7
申请日：2024-09-09
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G06F17/16 , G06N3/067 , G06N3/0464 , G02B6/293
Abstract: 本发明涉及光子计算网络技术领域，尤其涉及一种基于单色散介质实现不同阶数矩阵运算的系统，所述系统包括：顺次连接的多波长光源、调制处理单元、微环阵列单元、单色散介质单元和采集处理单元，利用单色散介质单元对各个加权调制光信号进行延时处理，且通过控制每个加权调制光信号的延时时长，使得在对各个延时加权调制光信号在同一时域上的光信号强度进行求和处理后便可以获得第二矩阵对第一矩阵执行卷积计算的计算结果，大大提高了矩阵乘法运算的计算效率，同时引入单色散介质取代传统光学延时线，有利于减小光计算集成系统的尺寸，并降低成本。
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公开(公告)号：CN117761920B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311571482.1
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于“BP‑AHA”异质集成的多模式微环谐振调制器包括，全通型微环，以及沉积在全通型微环内部的漏极、沉积在全通型微环外部的源极；源极和漏极之间由BP‑AHA结构连接，并且在BP‑AHA结构顶部沉积栅极。本发明可以通过栅极施加电压进行电压调制，也可以通过空间激光进行调制，实现了单器件的多模式调制，有一定的应用场景。
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公开(公告)号：CN118131394A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410279571.7
申请日：2024-03-12
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本申请涉及硅光子器件领域，公开了一种用于硅基光子卷积乘法运算的感光器件及其制备方法，所述感光器件包括一个硅基波导结构，设计用于传输光信号；至少一个锗区域，位于所述硅基波导结构的上方，并与之耦合，用于对通过所述硅基波导结构的光信号进行调制。本发明利用硅波导结构传输光信号，结合锗区域的感光效应对光信号进行高效调制，通过锗区吸收空间光，引起锗区载流子分布改变，再通过倏逝耦合影响锗区下的硅波导折射率，引起硅波导中的模式光相位和幅度的改变，从而实现空间光信息加载，实现卷积乘法运算功能，适用于高速光通信和光学信号处理领域。
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公开(公告)号：CN117784291A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311810095.9
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G02B1/00 , G01N21/3563
Abstract: 本发明提供了一种基于光子晶体的宽谱段多光谱超表面，包括阵列的多个光子晶体单元结构；每一个所述光子晶体单元结构包括3×3组光子晶体阵列，每一组光子晶体具有不同周期的光子晶体；每一组光子晶体阵列的参数如下：光子晶体的厚度为光子晶体的晶格常数的一半，光子晶体的孔穴半径为0.4μm～2.8μm，光子晶体的晶格常数为1μm～3.6μm；光子晶体阵列的相邻两行之间，对应的光子晶体之间的连线与水平线的夹角θ为30°～90°。本发明实现对不同波段光的准确识别和测量，长波红外8‑10μm激光的多光谱兼容和识别。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119575729A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411820246.3
申请日：2024-12-11
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜波导串联双微环的光频梳产生装置及方法，装置包括在铌酸锂薄膜上刻蚀的第一总线波导、第一环形波导、第二环形波导及第二总线波导；其中，第一总线波导的一端为泵浦光输入端，另一端为辅助光输入端，第一总线波导与第一环形波导相互耦合，第一环形波导和第二环形波导相互耦合，第二环形波导为孤子腔，孤子腔下方设置有温度调控装置，通过对孤子腔的温度进行调控使孤子腔的谐振峰漂移，以使泵浦光进入孤子态，且辅助光对泵浦光的孤子态进行功率补偿，产生孤子光频梳。本发明结合辅助光热调，使得微腔热效应得到补偿，提升孤子稳定性，最终从孤子腔端口输出得到性能稳定且具有高相干性和高平坦度的梳状结构光谱。
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公开(公告)号：CN117779187A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311803238.3
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: C30B25/16 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/68 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18 , G01Q60/24 , G01N23/207 , G01N23/2273 , G01N23/04 , G01N23/223
Abstract: 本发明提供了一种InAs/GaSb长波红外超晶格的制备方法包括如下方法步骤：S1、将GaSb:GaTe衬底加热到300℃除气10分钟；S2、在520℃且富Sb生长的束流下，对GaSb:GaTe衬底脱氧10分钟；S3、降低GaSb:GaTe衬底温度至440℃，在GaSb:GaTe衬底上生长500nm的GaSb缓冲层；其中，GaSb缓冲层生长过程中Sb/Ga束流比为5；S4、在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb长波红外超晶格；其中，InAs/GaSb长波红外超晶格生长过程中，生长温度保持在420℃；As/In的V/Ⅲ等效束流比为7，Sb/Ga的V/Ⅲ等效束流比为5。本发明综合多种表征技术，对InAs/GaSb长波红外超晶格全面表征，增强了对InAs/GaSb长波红外超晶格(吸收区)特性的理解，为InAs/GaSb长波红外超晶格的结构优化提供重要的信息和依据。
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公开(公告)号：CN118393662A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410282003.2
申请日：2024-03-12
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，公开了一种基于硅基锗外延的感算一体硅光神经网络系统，包括单波长可调谐激光器、高Q值硅基微环光频率梳、硅基光分束器、硅锗感算一体阵列、光电探测模块、外围信号检出模块。所述硅锗感算一体阵列，由多个硅锗感光微环排列组成，所述硅锗感光微环包括深度为110nm、宽度为450nm的add‑drop型微环、在部分微环上进行选区外延的深度为200nm的外延锗，所述高Q值硅基微环光频率梳用于分频并提供多路信号加载，所述单波长可调谐激光器用于提供稳定的初始光源、所述光电探测模块用于将光信号转换为电信号。相较于传统硅光神经网络，所提出的网络架构涉及器件少，集成度高，对于实现高集成，全过程的硅光神经网络，具有重大意义。
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公开(公告)号：CN117766632A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311807582.X
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种长波、甚长波红外探测器的侧壁胶保护刻蚀方法，包括如下方法步骤：S1、取一已形成台面硬掩膜的红外材料；S2、采用电感耦合等离子体法刻蚀红外材料，使红外材料形成台面结构；S3、采用光刻工艺，在台面结构侧壁形成光刻胶；S4、采用干法刻蚀去除台面结构上方的台面硬掩膜；S5、采用去胶工艺去除台面结构侧壁形成的光刻胶，形成带有台面结构的红外材料。本发明通过对台面侧壁旋涂光刻胶来避免去除残余硬掩膜时干法刻蚀对台面侧壁刻蚀的损伤，保护台面侧壁免受刻蚀影响，从而降低由刻蚀损伤形成的表面漏电流，最大限度降低表面漏电流，提升阻抗性能。
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