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公开(公告)号：CN118329089B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410483272.5
申请日：2024-04-22
Abstract: 本发明涉及光纤传感技术领域，提供一种基于反射率差异的光纤光栅混叠信号处理方法及系统，该方法包括：在初始化阶段采集光栅阵列的透射谱和反射谱，重建光源光谱以计算各个光纤光栅的反射率，光栅阵列由多个具有不同反射率的光纤光栅串联形成；在测量过程中，当相邻两光栅混叠而无法区分时，以在反射谱未发生混叠时解调出的相邻两个光纤光栅的中心波长作为各自待重建波形的中心波长，以各自的反射率计算待重建波形的光谱强度，根据待重建波形的中心波长和光谱强度利用高斯模型重建混叠区域的重建反射谱；获取使得混叠区域的重建反射谱与混叠区域的实际反射谱之间的误差最小时的相邻两个光纤光栅的中心波长，实现混叠信号的解调处理。
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公开(公告)号：CN115939236B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202211315089.1
申请日：2022-10-26
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/101
Abstract: 本发明提供了一种中长波双色红外探测器，包括：GaSb衬底；在GaSb衬底生长的GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层生长的长波通道下接触层，其中，长波通道下接触层为100nm厚的14InAs/7GaSb超晶格，并进行Si掺杂；在长波通道下接触层生长的长波通道吸收层，其中，长波通道吸收层为1600nm厚的14InAs/7GaSb超晶格；在长波通道的吸收层生长的公共势垒层，其中，公共势垒层为100nm厚的AlGaSb；在公共势垒层生长的中波通道吸收层，其中，中波通道吸收层为2000nm厚的InAs/InAsSb超晶格；在中波通道吸收层生长的中波通道上接触层，其中，中波通道上接触层为100nm厚的InAs/InAsSb超晶格，并进行Si掺杂；在中波通道上接触层生长的顶电极层，在GaSb缓冲层生长的底电极层。本发明降低器件暗电流，提高器件探测性能，具有良好的探测效果。
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公开(公告)号：CN117747692B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311563565.6
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本发明提供了一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器，包括衬底，以及在衬底上外延生长的缓冲层；双色探测器还包括短波通道层和中波通道层，短波通道层和所述中波通道层之间外延生长中间势垒层；其中，短波通道层包括：在缓冲层上外延生长第一M型结构，以及在第一M型结构上外延生长第二M型结构，其中，第一M型结构和第二M型结构为InAs/GaSb/AlSb/GaSb结构。本发明结合了NBN型探测器与M结构探测器的优点，使得探测器具有良好的探测性能，降低器件的暗电流密度以及提高器件的量子效率。
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公开(公告)号：CN117826307A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311800323.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于超材料结构的中红外偏振转换器包括，金属衬底层、在金属衬底层上制备的二氧化硅层，以及在二氧化硅层上制备的超表面层；超表面层包括周期排布的多个超表面结构单元；每一个所述超表面结构单元包括倾斜排布的中间矩形金属块，以及在中间矩形金属块两边倾斜排布的第一矩形金属块和第二矩形金属块；第一矩形金属块、第二矩形金属块和中间矩形金属块平行。本发明可以在3‑5μm波段实现高效的偏振转换，并且可以通过调整结构的参数来灵活改变其工作波长。
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公开(公告)号：CN117760583A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311799362.7
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种自适应目标温度设置的电桥电路，包括：第一固定电阻R1、第二固定电阻R2、第三固定电阻R3、第一热敏电阻Rth1和第二热敏电阻Rth2；第一固定电阻R1和第一热敏电阻Rth1串联形成第一串联支路；第二固定电阻R2、第三固定电阻R3和第二热敏电阻Rth2串联形成第二串联支路；第一串联支路和第二串联支路并联，共用一个参考电压VREF；第一热敏电阻Rth1的分压VT，用于反演目标温度；第三固定电阻R3和第二热敏电阻Rth2的分压VA，用于设置目标温度。本发明不借助软件算法，实现对目标温度的自适应设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117191179A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311029100.2
申请日：2023-08-15
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01H9/00
Abstract: 本发明提供了一种采用双四芯FBG的三轴振动传感器，包括金属外壳，在金属外壳内具有沿水平方向设置的水平四芯光纤，以及沿竖直方向设置的竖直四芯光纤；水平四芯光纤上设置第一质量块和第一金属插芯，第一金属插芯与所述第一质量块之间的间隙与水平四芯光纤的光栅栅区的长度相同；竖直四芯光纤上设置第二质量块和第二金属插芯，第二金属插芯与第二质量块之间的间隙与竖直四芯光纤的光栅栅区的长度相同；水平四芯光纤，用于测量x方向和y方向的振动；竖直四芯光纤，用于测量x方向和z方向的振动。本发明传感器具有尺寸小，可以实现多个方向上的振动监测的优点，可适用于航天环境的微振动检测，可广泛应用于光纤传感器领域。
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公开(公告)号：CN117191176A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311025311.9
申请日：2023-08-15
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01H9/00
Abstract: 本发明提供了一种高灵敏度的微型FBG三轴振动传感器，包括外壳，外壳内部设置第一弹性元件、第二弹性元件和第三弹性元件，第一弹性元件、第二弹性元件和第三弹性元件沿三轴方向两两垂直布置；外壳具有向外壳内部延伸的第一凸块、第二凸块和第三凸块，第一弹性元件和第一凸块之间形成第一间隙、第二弹性元件和第二凸块之间形成第二间隙、第三弹性元件和第三凸块之间形成第三间隙；第一光纤沿x轴方向延伸，并且第一光纤的光栅置于第一间隙内；第二光纤沿y轴方向延伸，并且第二光纤的光栅置于第二间隙内；第三光纤沿z轴方向延伸，并且第三光纤的光栅置于第三间隙内。本发明传感器体积小、重量轻，适用安装于航天环境的微振动检测。
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公开(公告)号：CN116736447A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310760672.1
申请日：2023-06-27
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种光波导器件及硅光调制器，属于光波导领域，光波导器件包括总线波导、矩形波导及微环；矩形波导固定在总线波导上；矩形波导用于在总线波导中产生相位差；微环与矩形波导相对应，且微环与总线波导之间具有设定的耦合间隙；总线波导上对应微环及矩形波导的区域为耦合区域；输入光场从总线波导的输入端口输入，经耦合区域时耦合入微环谐振腔进行谐振，再从总线波导的输出端口输出。硅光调制器在光波导器件的基础上增加了金属电极、直流电源及光谱仪，金属电极设置在光波导器件的微环上；直流电源用于改变金属电极的电压值，以调制光强。本发明能够使每个共振波长都具有非对称性，提高了光波导器件的性能。
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公开(公告)号：CN116699877A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310699135.0
申请日：2023-06-13
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种低电压高速信号驱动的可调光衰减器，包括：绝缘体上硅基层，所述绝缘体上硅基层包括顶部硅层和氧化物掩埋层，其中，在所述顶部硅层形成光波导，以及在所述顶部硅层位于所述光波导两侧，并沿所述光波导延伸的方向，串联阵列20个PN二极管。本发明用于光子芯片中高速信号的加载，调节光子计算芯片中光强大小，减少驱动所需功耗，实现光芯片中低电压高速信号的加载。
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公开(公告)号：CN116401917A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310319083.X
申请日：2023-03-29
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: G06F30/23 , G16C60/00 , G06F113/26 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种基于逆有限元的复合材料板热变形重构方法包括：S1、将复合材料板划分为多个三角形状的离散单元，每个离散单元上表面的中心处粘贴FBG传感器三向应变花，S2、构造多个三角形状的离散单元的形函数；S3、测量每个离散单元的实测应变信息；S4、计算每个离散单元的理论应变信息；S5、通过每个离散单元的实测应变信息与每个离散单元的理论应变信息建立实测应变与理论应变的最小二乘误差函数；S6、计算每个离散单元的节点自由度；S7、多个三角形状的离散单元的节点自由度叠加；S8、重构复合材料板热变形。本发明不需要对复合材料薄板的材料属性、模态进行事先分析，只需要通过构造相应的逆向单元并结合应变信息即可实现变形的求解。
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