公开(公告)号：CN117779187A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311803238.3

申请日：2023-12-26

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 祝连庆 ,  龚蕊芯 ,  鹿利单 ,  董明利 ,  何彦霖 ,  陈伟强 ,  陈光

IPC: C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/68 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  G01Q60/24 ,  G01N23/207 ,  G01N23/2273 ,  G01N23/04 ,  G01N23/223

Abstract: 本发明提供了一种InAs/GaSb长波红外超晶格的制备方法包括如下方法步骤：S1、将GaSb:GaTe衬底加热到300℃除气10分钟；S2、在520℃且富Sb生长的束流下，对GaSb:GaTe衬底脱氧10分钟；S3、降低GaSb:GaTe衬底温度至440℃，在GaSb:GaTe衬底上生长500nm的GaSb缓冲层；其中，GaSb缓冲层生长过程中Sb/Ga束流比为5；S4、在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb长波红外超晶格；其中，InAs/GaSb长波红外超晶格生长过程中，生长温度保持在420℃；As/In的V/Ⅲ等效束流比为7，Sb/Ga的V/Ⅲ等效束流比为5。本发明综合多种表征技术，对InAs/GaSb长波红外超晶格全面表征，增强了对InAs/GaSb长波红外超晶格(吸收区)特性的理解，为InAs/GaSb长波红外超晶格的结构优化提供重要的信息和依据。

公开(公告)号：CN115910750A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211306994.0

申请日：2022-10-24

Applicant: 北京信息科技大学 ,  广州市南沙区北科光子感知技术研究院

Inventor： 祝连庆 ,  龚蕊芯 ,  柳渊 ,  鹿利单 ,  张东亮

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供了一种基于GaAs衬底生长GaSb单晶薄膜的制备方法，所述制备方法包括如下方法步骤：在半绝缘掺杂Si的GaAs衬底上生长的GaAs缓冲层；在所述GaAs缓冲层上生长GaSb低温缓冲层；在所述GaSb低温缓冲层上生长GaSb外延层；其中，所述GaSb低温缓冲层的生长厚度为10‑12nm，生长温度为300‑310℃。本发明通过在较低温度下生长较薄的GaSb低温缓冲层后，采用高温生长GaSb单晶薄膜，优化衬底生长温度、束流比、薄膜厚度的手段，采用低温高温相结合生长GaSb的方式，解决由于外延层和衬底存在较大的晶格失配导致表面相对粗糙且形成“V”形凹坑的难点。