抗蚀剂组成物及图案形成方法

    公开(公告)号:CN112782935B

    公开(公告)日:2025-05-20

    申请号:CN202011225387.2

    申请日:2020-11-05

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在以KrF准分子激光、电子束、极紫外线等高能射线作为光源的光学光刻中,展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数:MEF)、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物,其特征为含有:(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元,且更含有至少1种具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。#imgabs0#式中,W1表示碳数4~12的含有杂原子的环状2价烃基。W2表示碳数4~14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团。M+表示鎓阳离子。

    抗蚀剂组成物及图案形成方法

    公开(公告)号:CN112782935A

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202011225387.2

    申请日:2020-11-05

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在以KrF准分子激光、电子束、极紫外线等高能射线作为光源的光学光刻中,展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数:MEF)、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物,其特征为含有:(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元,且更含有至少1种具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。 式中,W1表示碳数4~12的含有杂原子的环状2价烃基。W2表示碳数4~14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团。M+表示鎓阳离子。

    抗蚀剂组成物及图案形成方法

    公开(公告)号:CN111522198B

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202010078997.8

    申请日:2020-02-03

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明提供在以KrF准分子激光、ArF准分子激光、电子束、极端紫外线等高能射线作为光源的光刻中,光透射性、酸扩散抑制能力优异,DOF、LWR、MEF等光刻性能优异的抗蚀剂组成物、及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。一种抗蚀剂组成物,包含(A)由下列式(1)表示的锍盐构成的光酸产生剂、(B)对显影液的溶解性会因酸的作用而变化的基础聚合物、及(C)有机溶剂。

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