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公开(公告)号：CN106054529B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201610212743.4
申请日：2016-04-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 光掩模坯具有化学增幅型负型抗蚀剂膜，该化学增幅型负型抗蚀剂膜包括(A)包含特定结构的重复单元和具有氟的重复单元的聚合物，(B)适于在酸的作用下降低其在碱显影剂中的溶解性的基础树脂，(C)产酸剂，和(D)碱性化合物。该抗蚀剂膜对于抗静电膜的接受性得到改善。
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公开(公告)号：CN109324478B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN201810854838.5
申请日：2018-07-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组合物和图案形成方法。包含经由连接基键合至聚合物骨架的具有在侧链端的高度稠合的高金刚烷骨架的单元的聚合物具有适当的溶剂溶解度并且能够抑制酸扩散。包含所述聚合物和特定的光致产酸剂的抗蚀剂组合物显示出良好的DOF边限、CD均匀性和在PPD期间最小的CD改变，并且在精确微图案化方面相当有效。
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公开(公告)号：CN109426080A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810957182.X
申请日：2018-08-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/004 , C08F220/28 , C08F220/20 , C08F220/38 , C07C67/297 , C07C69/54 , C07D493/08 , C07D493/18 , C07D307/00
Abstract: 本发明为单体、聚合物、抗蚀剂组合物和图案化方法。提供了具有在酸的作用下能够极性转换的取代基的单体和聚合物。包含所述聚合物的抗蚀剂组合物以高分辨率形成不溶于碱性显影剂中并且具有高的耐蚀刻性的负型图案。
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公开(公告)号：CN112782934B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202011216447.4
申请日：2020-11-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在以ArF准分子激光等高能射线作为光源的光学光刻中，展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数：MEF)、LWR、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物，以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物，其特征为含有：(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元，且不含具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。#imgabs0#式中，W1表示碳数4～12的含有杂原子的环状2价烃基。W2表示碳数4～14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团。M+表示鎓阳离子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109426080B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201810957182.X
申请日：2018-08-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/004 , C08F220/28 , C08F220/20 , C08F220/38 , C07C67/297 , C07C69/54 , C07D493/08 , C07D493/18 , C07D307/00
Abstract: 本发明为单体、聚合物、抗蚀剂组合物和图案化方法。提供了具有在酸的作用下能够极性转换的取代基的单体和聚合物。包含所述聚合物的抗蚀剂组合物以高分辨率形成不溶于碱性显影剂中并且具有高的耐蚀刻性的负型图案。
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公开(公告)号：CN111138586A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911040009.4
申请日：2019-10-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08F220/18 , C08F220/30 , C08F220/38 , C08F212/14 , C08F222/24 , G03F7/004
Abstract: 本发明的课题是提供残存单体量少，使用于抗蚀剂组合物时，尤其会展现良好的LWR的聚合物的制造方法。一种聚合物的制造方法，是制造含有来自包含因曝光而分解并产生酸的结构的单体(A)的重复单元、来自具有酸不稳定基团的单体(B)的重复单元、及来自具有酚性羟基的单体(C)的重复单元，且聚合物中所含的单体(A)的残存量为1.0质量％以下的聚合物的制造方法，包含将含有单体(A)、单体(B)、及单体(C)的单体溶液供给到反应釜中的步骤、及在该反应釜内实施聚合反应的步骤，该反应釜内的单体溶液中的单体浓度为35质量％以上，且该单体溶液的溶剂(S)包含选自下式(S-1)及下式(S-2)所示的溶剂中的至少1种。
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公开(公告)号：CN111123651A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911044993.1
申请日：2019-10-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及基板保护膜形成用组合物和图案形成方法。包括下述组分的组合物适于形成基板与抗蚀剂膜之间的保护膜：(A)聚合物，其包含具有用酸不稳定基团保护的羧基的重复单元(a1)和具有环状酯、环状碳酸酯或环状磺酸酯结构的重复单元(a2)，(B)热致产酸剂，和(C)有机溶剂。即使使用含有金属的抗蚀剂膜，该保护膜对于防止该基板被金属污染也有效。
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公开(公告)号：CN112782935B
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202011225387.2
申请日：2020-11-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在以KrF准分子激光、电子束、极紫外线等高能射线作为光源的光学光刻中，展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数：MEF)、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物，其特征为含有：(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元，且更含有至少1种具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。#imgabs0#式中，W1表示碳数4～12的含有杂原子的环状2价烃基。W2表示碳数4～14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团。M+表示鎓阳离子。
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公开(公告)号：CN112782935A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011225387.2
申请日：2020-11-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在以KrF准分子激光、电子束、极紫外线等高能射线作为光源的光学光刻中，展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数：MEF)、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物，其特征为含有：(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元，且更含有至少1种具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。 式中，W1表示碳数4～12的含有杂原子的环状2价烃基。W2表示碳数4～14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团。M+表示鎓阳离子。
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