公开(公告)号：CN112782934B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202011216447.4

申请日：2020-11-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 阿达铁平 ,  山下信也 ,  大桥正树 ,  藤原敬之

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在以ArF准分子激光等高能射线作为光源的光学光刻中，展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数：MEF)、LWR、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物，以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物，其特征为含有：(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元，且不含具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。#imgabs0#式中，W1表示碳数4～12的含有杂原子的环状2价烃基。W2表示碳数4～14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团。M+表示鎓阳离子。

公开(公告)号：CN112782934A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011216447.4

申请日：2020-11-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 阿达铁平 ,  山下信也 ,  大桥正树 ,  藤原敬之

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在以ArF准分子激光等高能射线作为光源的光学光刻中，展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数：MEF)、LWR、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物，以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物，其特征为含有：(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元，且不含具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。式中，W1表示碳数4～12的含有杂原子的环状2价烃基。W2表示碳数4～14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团。M+表示鎓阳离子。