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公开(公告)号：CN117276116A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310671779.9
申请日：2023-06-08
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社肆科技
Abstract: 本发明提供一种能够抑制接合强度的降低的接合装置以及接合方法。接合装置具备：照射部，其对第一部件的表面照射紫外线；以及输送部，其输送所述第一部件，所述照射部对被所述输送部保持的所述第一部件照射所述紫外线，所述输送部将照射了所述紫外线后的所述第一部件输送至第二部件的表面，使所述第一部件的所述表面与所述第二部件的表面接触，由此将所述第一部件与所述第二部件接合。
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公开(公告)号：CN112821189A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011169596.X
申请日：2020-10-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体光学元件，其能够得到良好的特性并且能够小型化。所述半导体光学元件具备：SOI基板，具有硅的波导；及增益区域，与所述SOI基板接合，由III‑V族化合物半导体形成，并具有光学增益，所述波导包括弯曲部和多个直线部，所述多个直线部经由所述弯曲部相互连接并以直线状延伸，所述增益区域位于所述多个直线部的每一个上。
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公开(公告)号：CN110970411B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201910919132.7
申请日：2019-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L23/485 , G02F1/025
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件以及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：半导体层，其形成在基板上；第一树脂层，其形成在半导体层上；第二树脂层，其形成在第一树脂层上；第一布线层，其形成在半导体层上，并且被掩埋在第二树脂层中；第二布线层，其形成在第二树脂层和第一布线层上，并且与第一布线层电连接；以及第一无机绝缘膜，其覆盖第二树脂层和第二布线层，其中，第一布线层的面积大于第二布线层的面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114859461A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210069607.X
申请日：2022-01-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02B6/10
Abstract: 本发明提供能够兼顾散热性和光封闭的半导体光元件及其制造方法。该半导体光元件具备：含有硅的衬底；以及半导体元件，其与所述衬底接合，所述半导体元件由化合物半导体形成且具有光学增益，所述衬底具有波导和第一区域，该第一区域在所述波导的延伸方向上与所述波导连接，所述第一区域具有多个凹部和多个凸部，所述凹部相比于所述衬底的与所述半导体元件接合的面而在所述衬底的厚度方向上凹陷，所述凸部相比于所述凹部的底面而在所述衬底的厚度方向上突出，所述多个凹部与所述多个凸部在与所述波导的延伸方向交叉的方向上交替排列，所述半导体元件与所述第一区域接合。
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公开(公告)号：CN119148296A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410614319.7
申请日：2024-05-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光滤波器，能够抑制耦合系数的温度依赖性。光滤波器具备：环形谐振器；光波导，与所述环形谐振器光学耦合；以及加热器，设置于所述环形谐振器，所述环形谐振器具有第一曲线部，所述光波导具有第二曲线部，所述第一曲线部和所述第二曲线部形成定向耦合器，所述加热器设置于所述定向耦合器之上。
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公开(公告)号：CN113253385A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110178391.6
申请日：2021-02-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高增益区域和波导路耦合的耦合效率的半导体光元件及其制造方法。半导体光元件的制造方法具备以下工序：在具有波导路的SOI基板上接合半导体芯片，上述半导体芯片包括依次层叠的第一包覆层、芯层及第二包覆层，且具有光学增益；在上述第二包覆层的一部分上形成第一绝缘膜；将上述第二包覆层中的从上述第一绝缘膜露出的部分蚀刻至厚度方向的中途；形成第二绝缘膜，上述第二绝缘膜从上述第二包覆层中的被上述第一绝缘膜覆盖的部分覆盖至上述第二包覆层的残存部分的一部分；及通过对上述第二包覆层中的从上述第二绝缘膜露出的部分及上述芯层进行蚀刻，形成位于上述波导路上且沿着上述波导路的延伸方向前端尖细的第一锥形部。
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公开(公告)号：CN110970411A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910919132.7
申请日：2019-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L23/485 , G02F1/025
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件以及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：半导体层，其形成在基板上；第一树脂层，其形成在半导体层上；第二树脂层，其形成在第一树脂层上；第一布线层，其形成在半导体层上，并且被掩埋在第二树脂层中；第二布线层，其形成在第二树脂层和第一布线层上，并且与第一布线层电连接；以及第一无机绝缘膜，其覆盖第二树脂层和第二布线层，其中，第一布线层的面积大于第二布线层的面积。
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公开(公告)号：CN107850732A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680043727.5
申请日：2016-07-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G02B6/12004 , G02B6/1203 , G02B6/2713 , G02B6/2813 , G02B6/4213 , G02B6/4218 , G02B6/4232 , G02B6/4286 , G02B6/4298 , H04B10/615
Abstract: 本发明披露了使用包括主要由半导体材料制成的光混合器的MMI器件的光学模块。具有矩形平面形状并且包括多模耦合器的MMI器件安装在载体上。载体设置有沿载体的顶面的整个横向宽度延伸的台阶，该台阶在形成有MMI耦合器的区域中与MMI器件之间具有间隙。
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