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公开(公告)号：CN112415787A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010810926.2
申请日：2020-08-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光调制器，其具备：波导，由半导体形成，光在该波导中传播；第一电极，设置在所述波导之上，并与所述波导电连接；以及第二电极，与所述波导分离，并与所述波导电连接，在所述光的传播方向上，所述第二电极的所述光的入射侧的端部相比所述第一电极的所述光的入射侧的端部位于靠后级的位置。
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公开(公告)号：CN110646880A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910554150.X
申请日：2019-06-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02B6/122
Abstract: 根据本发明的光斑尺寸变换器包括：支撑体，其包括主表面，主表面包括第一至第五区域；台面结构，其包括位于第一区域上的第一部分并包括位于第二至第四区域上的第二部分；以及埋入结构，其包括第一区和第二区，台面结构的第二部分的第一和第二侧表面分别埋入第一区和第二区中。台面结构的第二部分包括宽度沿着从第三区域朝向第五区域的方向逐渐减小的部分。埋入结构的第一区沿着第一侧表面延伸，并终止于第三和第四区域中的一个。埋入结构的第二区沿着第二部分的第二侧表面延伸，并布置在第五区域上。本发明还涉及制造光斑尺寸变换器的方法。
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公开(公告)号：CN110646880B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201910554150.X
申请日：2019-06-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02B6/122
Abstract: 根据本发明的光斑尺寸变换器包括：支撑体，其包括主表面，主表面包括第一至第五区域；台面结构，其包括位于第一区域上的第一部分并包括位于第二至第四区域上的第二部分；以及埋入结构，其包括第一区和第二区，台面结构的第二部分的第一和第二侧表面分别埋入第一区和第二区中。台面结构的第二部分包括宽度沿着从第三区域朝向第五区域的方向逐渐减小的部分。埋入结构的第一区沿着第一侧表面延伸，并终止于第三和第四区域中的一个。埋入结构的第二区沿着第二部分的第二侧表面延伸，并布置在第五区域上。本发明还涉及制造光斑尺寸变换器的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112241043A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010691678.4
申请日：2020-07-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种光斑尺寸转换器及其制造方法。该斑尺寸转换器包括：第一波导，该第一波导包括第一芯层，该第一波导传播光；以及，第二波导，该第二波导包括第二芯层并且被设置在第一波导上，该第二波导传播光。第一波导和第二波导在波导方向上延伸。沿着波导方向连续地设置有第一区域和第二区域。在第一区域中，第二波导在横截面中具有锥形形状，其随着远离第一波导而变得更窄。第二波导的侧表面与第二波导的底表面之间的角度为60°或更小。
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公开(公告)号：CN110970411A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910919132.7
申请日：2019-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L23/485 , G02F1/025
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件以及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：半导体层，其形成在基板上；第一树脂层，其形成在半导体层上；第二树脂层，其形成在第一树脂层上；第一布线层，其形成在半导体层上，并且被掩埋在第二树脂层中；第二布线层，其形成在第二树脂层和第一布线层上，并且与第一布线层电连接；以及第一无机绝缘膜，其覆盖第二树脂层和第二布线层，其中，第一布线层的面积大于第二布线层的面积。
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公开(公告)号：CN112241043B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202010691678.4
申请日：2020-07-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种光斑尺寸转换器及其制造方法。该斑尺寸转换器包括：第一波导，该第一波导包括第一芯层，该第一波导传播光；以及，第二波导，该第二波导包括第二芯层并且被设置在第一波导上，该第二波导传播光。第一波导和第二波导在波导方向上延伸。沿着波导方向连续地设置有第一区域和第二区域。在第一区域中，第二波导在横截面中具有锥形形状，其随着远离第一波导而变得更窄。第二波导的侧表面与第二波导的底表面之间的角度为60°或更小。
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公开(公告)号：CN110970411B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201910919132.7
申请日：2019-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L23/485 , G02F1/025
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件以及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：半导体层，其形成在基板上；第一树脂层，其形成在半导体层上；第二树脂层，其形成在第一树脂层上；第一布线层，其形成在半导体层上，并且被掩埋在第二树脂层中；第二布线层，其形成在第二树脂层和第一布线层上，并且与第一布线层电连接；以及第一无机绝缘膜，其覆盖第二树脂层和第二布线层，其中，第一布线层的面积大于第二布线层的面积。
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公开(公告)号：CN110646955A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910562142.X
申请日：2019-06-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种马赫-曾德尔调制器，其包括：第一电阻元件和第二电阻元件，其均具有第一接触区域和第二接触区域，第一电阻元件的第一接触区域和第二接触区域沿第一轴线的方向排列，第二电阻元件的第一接触区域和第二接触区域沿第二轴线的方向排列；共用导体，其将第一电阻元件和第二电阻元件的各第一接触区域彼此连接在一起；第一波导结构和第二波导结构，其均包括沿与第一轴线和第二轴线交叉的第三轴线的方向延伸的波导部分；第一信号导体，其连接至第一波导结构的波导部以及第一电阻元件的第二接触区域；以及第二信号导体，其连接至第二波导结构的波导部以及第二电阻元件的第二接触区域。
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