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公开(公告)号：CN114114721A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110797125.1
申请日：2021-07-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 河野直哉
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明涉及光调制器。光调制器具备第一台面波导以及第二台面波导。第一台面波导以及第二台面波导分别具备：设置于衬底上的p型的第一半导体层；设置于第一半导体层上的p型的第二半导体层；设置于第二半导体层上的芯层；以及设置于芯层上的n型的第三半导体层。第一半导体层具有比第二半导体层的掺杂剂浓度大的掺杂剂浓度。
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公开(公告)号：CN115509033A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210538074.5
申请日：2022-05-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光调制器。光调制器具备：具有包含第一区及第二区的主面的衬底；设置于第一区上的光调制部；以及设置于第二区上的光波导部。光调制部具备：第一台面波导；以及与第一台面波导连接的电极。第一台面波导具备：设置于衬底上的p型半导体层、设置于p型半导体层上的第一芯层、以及设置于第一芯层上的n型半导体层。光波导部具备第二台面波导。第二台面波导具备：设置于衬底上的第一包覆层；设置于第一包覆层上的第二芯层；以及设置于第二芯层上的第二包覆层。第二芯层与第一芯层光学耦合。第一包覆层包含p型掺杂剂以及质子。第二包覆层包含n型掺杂剂。
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公开(公告)号：CN111856835A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010278341.0
申请日：2020-04-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 河野直哉
Abstract: 本发明提供一种马赫－曾德调制器和光调制装置，马赫－曾德调制器具备：第一支路波导；第二支路波导；导电性区域，将所述第一支路波导及所述第二支路波导相互连接；差动传送路径，包括基准电位用的第三金属体和与所述第一支路波导及所述第二支路波导分别连接的第一金属体及第二金属体；及电容器，连接在所述导电性区域与所述第三金属体之间。
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公开(公告)号：CN110646880A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910554150.X
申请日：2019-06-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02B6/122
Abstract: 根据本发明的光斑尺寸变换器包括：支撑体，其包括主表面，主表面包括第一至第五区域；台面结构，其包括位于第一区域上的第一部分并包括位于第二至第四区域上的第二部分；以及埋入结构，其包括第一区和第二区，台面结构的第二部分的第一和第二侧表面分别埋入第一区和第二区中。台面结构的第二部分包括宽度沿着从第三区域朝向第五区域的方向逐渐减小的部分。埋入结构的第一区沿着第一侧表面延伸，并终止于第三和第四区域中的一个。埋入结构的第二区沿着第二部分的第二侧表面延伸，并布置在第五区域上。本发明还涉及制造光斑尺寸变换器的方法。
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公开(公告)号：CN119522517A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380052803.9
申请日：2023-04-25
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人京都大学
Abstract: 一种光子晶体面发光激光器，具备：有源层；光子晶体层；以及第一半导体层，所述光子晶体层具有母材、以及周期性地配置于所述母材的多个空孔，所述空孔从所述光子晶体层的一个面延伸至所述光子晶体层的相对的面，所述第一半导体层设置于所述光子晶体层的所述一个面，所述光子晶体层的＜110＞方向上的所述空孔的长度比所述光子晶体层的＜1‑10＞方向上的所述空孔的长度小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114815434A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111623701.7
申请日：2021-12-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02F1/225 , G02F1/01 , G02B6/293 , H04B10/548 , H04B10/50
Abstract: 本发明提供能够抑制光的吸收损失的增加的光调制器的制造方法、试验方法、存储介质以及光发送装置。一种光调制器的制造方法，所述光调制器具有马赫‑曾德尔调制器，所述马赫‑曾德尔调制器具有电极和支路波导，所述电极设置于所述支路波导，所述制造方法包括如下工序：准备所述马赫‑曾德尔调制器；基于所述支路波导中的光的透射率，获取施加于所述电极的电压与在所述支路波导中传播的光的相位的变化量之间的关系；基于所述关系，获取使得所述马赫‑曾德尔调制器中的光的相位的变化量的范围成为预定大小的电压；以及将所述电压存储于存储部。
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公开(公告)号：CN114815319A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111645033.8
申请日：2021-12-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02F1/01 , H04B10/548
Abstract: 提供能够抑制光的吸收损失的增加的光调制器的制造方法、试验方法、存储介质及光发送装置。一种光调制器的制造方法，所述光调制器具有马赫‑曾德尔调制器，所述马赫‑曾德尔调制器具有电极和支路波导，所述电极设置于所述支路波导，所述制造方法具有如下工序：准备所述马赫‑曾德尔调制器；基于所述支路波导中的光的透射率，获取施加于所述电极的电压与在所述支路波导中传播的光的相位的变化量之间的关系；基于所述关系，获取在对所述支路波导中传播的光进行调制时使得所述光的相位的变化量成为预定大小的电压；以及将所述电压存储于存储部。
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公开(公告)号：CN114498288A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111226961.0
申请日：2021-10-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本公开提供一种能抑制电流的泄漏的半导体光元件及其制造方法。一种半导体光元件，集成有射出光的发光区域和将所述光向所述发光区域侧反射的反射区域，所述半导体光元件具备：芯层，设于所述发光区域；以及波导层，设于所述反射区域，与所述芯层光耦合，具有比所述光的能量大的带隙，所述反射区域具有在与所述光的传播方向交叉的方向上与所述波导层重叠的第一晶闸管。
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公开(公告)号：CN110970411B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201910919132.7
申请日：2019-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L23/485 , G02F1/025
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件以及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：半导体层，其形成在基板上；第一树脂层，其形成在半导体层上；第二树脂层，其形成在第一树脂层上；第一布线层，其形成在半导体层上，并且被掩埋在第二树脂层中；第二布线层，其形成在第二树脂层和第一布线层上，并且与第一布线层电连接；以及第一无机绝缘膜，其覆盖第二树脂层和第二布线层，其中，第一布线层的面积大于第二布线层的面积。
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公开(公告)号：CN116918200A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280018249.8
申请日：2022-03-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01S5/11
Abstract: 一种光子晶体面发光激光器，其具备：发光区域，其向与面内方向交叉的方向射出光；以及电流狭窄区域，其在所述面内方向上与所述发光区域相邻，且与所述发光区域相比电流难以在所述电流狭窄区域中流动，所述发光区域以及所述电流狭窄区域具有光子晶体层，所述光子晶体层具有第一区域、以及在所述第一区域内沿所述面内方向周期性配置的第二区域，所述第二区域的折射率与所述第一区域的折射率不同，所述发光区域具有：第一半导体层，其具有第一导电型；有源层，其具有光学增益；以及第二半导体层，其具有第二导电型，所述第一半导体层、所述有源层以及所述第二半导体层在所述光的射出方向上依次层叠。
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