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公开(公告)号：CN117276116A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310671779.9
申请日：2023-06-08
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社肆科技
Abstract: 本发明提供一种能够抑制接合强度的降低的接合装置以及接合方法。接合装置具备：照射部，其对第一部件的表面照射紫外线；以及输送部，其输送所述第一部件，所述照射部对被所述输送部保持的所述第一部件照射所述紫外线，所述输送部将照射了所述紫外线后的所述第一部件输送至第二部件的表面，使所述第一部件的所述表面与所述第二部件的表面接触，由此将所述第一部件与所述第二部件接合。
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公开(公告)号：CN114545548A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111225246.5
申请日：2021-10-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供具有稳定的特性的衍射光栅且机械性强度较高的半导体光元件及其制造方法。所述半导体光元件具备：衬底，其具有硅的导波路；以及半导体层，其以重叠于所述导波路之上的方式接合于所述衬底，且具有由折射率互不相同的第一半导体层以及第二半导体层形成的衍射光栅，所述导波路包含：弯曲部；以及多个直线部，它们经由所述弯曲部而彼此连接并呈直线状延伸，所述第一半导体层以及所述第二半导体层由化合物半导体形成，多个所述第二半导体层埋入到所述第一半导体层中，并沿所述直线部的延伸方向排列，所述衍射光栅位于所述多个直线部之上。
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公开(公告)号：CN112821189A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011169596.X
申请日：2020-10-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体光学元件，其能够得到良好的特性并且能够小型化。所述半导体光学元件具备：SOI基板，具有硅的波导；及增益区域，与所述SOI基板接合，由III‑V族化合物半导体形成，并具有光学增益，所述波导包括弯曲部和多个直线部，所述多个直线部经由所述弯曲部相互连接并以直线状延伸，所述增益区域位于所述多个直线部的每一个上。
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公开(公告)号：CN119742658A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411052798.4
申请日：2024-08-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/30
Abstract: 本发明提供一种能够降低由p型半导体层引起的光学损失的半导体光元件。半导体光元件具备：第一n型III‑V族化合物半导体层；有源层；隧道结结构，包含p型III‑V族化合物半导体层以及第二n型III‑V族化合物半导体层；以及第三n型III‑V族化合物半导体层，第一n型III‑V族化合物半导体层、有源层、p型III‑V族化合物半导体层、第二n型III‑V族化合物半导体层以及第三n型III‑V族化合物半导体层按此顺序排列，第二n型III‑V族化合物半导体层具有比第三n型III‑V族化合物半导体层的n型掺杂剂浓度高的n型掺杂剂浓度，p型III‑V族化合物半导体层具有应变。
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公开(公告)号：CN114498288A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111226961.0
申请日：2021-10-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本公开提供一种能抑制电流的泄漏的半导体光元件及其制造方法。一种半导体光元件，集成有射出光的发光区域和将所述光向所述发光区域侧反射的反射区域，所述半导体光元件具备：芯层，设于所述发光区域；以及波导层，设于所述反射区域，与所述芯层光耦合，具有比所述光的能量大的带隙，所述反射区域具有在与所述光的传播方向交叉的方向上与所述波导层重叠的第一晶闸管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119596458A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411178873.1
申请日：2024-08-27
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人北海道大学
IPC: G02B6/13 , G02B6/122 , G02B27/00 , G02B6/126 , G02B6/27 , G02B6/136 , G02B6/12 , G06F30/20 , G06F119/18
Abstract: 本发明提供能够改善公差的光滤波器、光滤波器的制造方法、设计方法、设计装置以及计算机可读存储介质。一种光滤波器的制造方法，其中，所述光滤波器具备两个以上的波导，所述两个以上的波导具有四个以上的区间，在所述四个以上的区间传播的光的模式为两个以上，所述制造方法具有设计所述四个以上的区间的长度的工序、基于所述四个以上的区间的长度而形成所述两个以上的波导的工序，所述设计的工序包括基于所述区间的传播常数的与温度以及所述区间的宽度有关的微分而设计所述四个以上的区间的长度的工序。
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公开(公告)号：CN119535682A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411117377.5
申请日：2024-08-15
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人北海道大学
Abstract: 本发明提供一种合波分波器及其制造方法、设计装置、计算机可读存储介质以及解复用器，其能够得到所期望的特性。一种合波分波器的制造方法，其是具有衬底、以及设置在所述衬底而用于输入光的第一端口以及用于输出光的第二端口的合波分波器的制造方法，其中，所述制造方法具有以下工序：以使相邻的三个孔排列为三角格子状的方式设计所述多个孔的位置；以及在所述衬底的一个面形成所述多个孔。
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公开(公告)号：CN116918200A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280018249.8
申请日：2022-03-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01S5/11
Abstract: 一种光子晶体面发光激光器，其具备：发光区域，其向与面内方向交叉的方向射出光；以及电流狭窄区域，其在所述面内方向上与所述发光区域相邻，且与所述发光区域相比电流难以在所述电流狭窄区域中流动，所述发光区域以及所述电流狭窄区域具有光子晶体层，所述光子晶体层具有第一区域、以及在所述第一区域内沿所述面内方向周期性配置的第二区域，所述第二区域的折射率与所述第一区域的折射率不同，所述发光区域具有：第一半导体层，其具有第一导电型；有源层，其具有光学增益；以及第二半导体层，其具有第二导电型，所述第一半导体层、所述有源层以及所述第二半导体层在所述光的射出方向上依次层叠。
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公开(公告)号：CN115826142A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211121987.3
申请日：2022-09-15
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人北海道大学
IPC: G02B6/293 , H01S5/0683 , H01S5/10
Abstract: 本发明提供能够监视特性的光滤波器以及波长可变激光元件。光滤波器具备：第一环形镜；第二环形镜；第一波导，其与第一环形镜以及第二环形镜光学耦合；第二波导，其与第一环形镜以及所述第二环形镜光学耦合；第一接入波导，其与第一波导光学耦合；第二接入波导，其与第二波导光学耦合；以及输出部，第一环形镜具有第一环形波导和第一波分复用器，第二环形镜具有第二环形波导和第二波分复用器，输出部具有第三环形波导、第三波分复用器、第三波导和第四波导，第三环形波导与第二环形波导以及所述第三波分复用器光学耦合，第三波导以及第四波导与第三波分复用器光学耦合。
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公开(公告)号：CN115642469A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210825115.9
申请日：2022-07-14
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人北海道大学
Abstract: 提供滤光器、波长可变激光元件、波长可变激光模块、波长可变激光模块的控制方法及存储介质。滤光器具备第一环路镜、第二环路镜、与所述第一环路镜及所述第二环路镜光耦合的第一波导、以及第一接入波导，所述第一环路镜具有第一环形波导和第一合分波器，所述第二环路镜具有第二环形波导和第二合分波器，所述第一环形波导与所述第一合分波器光耦合，所述第二环形波导与所述第二合分波器光耦合，所述第一波导与所述第一合分波器及所述第二合分波器光耦合，所述第一接入波导与所述第一波导光耦合。
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