-
公开(公告)号：CN117811138A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311825785.1
申请日：2023-12-27
Applicant: 中国第一汽车股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种高压电池预充方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取低压电池的实时工况数据；基于所述实时工况数据，确定高压电池的当前安全预充电流；控制直流变换器按照所述当前安全预充电流为所述高压电池进行预充电，直至所述高压电池满足高压上电条件时，停止所述高压电池的预充电过程。采用本方法能够基于低压电池的实时工况数据，可以实时动态调控预充过程，实现低压电池的放电能力及高压预充时间的平衡，既保证低压电池的寿命也确保各种工况下高压预充成功。
-
公开(公告)号：CN119993943A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411345299.4
申请日：2024-09-25
Applicant: 中国第一汽车股份有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/367 , H01L23/488
Abstract: 本申请涉及一种功率模块，包括基板组件和芯片组，基板组件包括第一基板和第二基板，第一基板和第二基板沿高度方向间隔设置，且第一基板和第二基板通过第一电气连接件相互连接，芯片组设置在第一基板和第二基板之间，芯片组包括至少两个芯片单体和至少两个第二电气连接件，每一芯片单体均与第一基板间具有第一焊料层，每一第二电气连接件均与第二基板间具有第一焊料层；本申请的功率模块，可使芯片单体可与第一基板和第二基板连接进行双面散热，提高散热能力，且可使分别与第一基板和第二基板连接的第一直流端子和第二直流端子沿高度方向叠层设置，有效减小环流面积，同时利用互感相消的原理对寄生参数进行有效控制，提高模块可靠性。
-
公开(公告)号：CN119653831A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411595474.5
申请日：2024-11-08
Applicant: 中国第一汽车股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：基底；基底包括层叠设置的衬底和外延层；主结，位于外延层内；至少一个场限环，位于外延层内；结终端扩展区，位于外延层内；结终端扩展区和场限环具有重合区域；截止环，位于外延层内；其中，主结、场限环、截止环和结终端扩展区的远离衬底的一侧表面与外延层远离衬底的表面齐平；主结、场限环和截止环沿第一方向间隔设置，第一方向垂直于沿衬底指向主结的方向；场氧化层，至少位于外延层、结终端扩展区和截止环分别远离衬底的一侧；场板，分别位于主结和场氧化层远离衬底的一侧；其中，基底和截止环的掺杂类型相同，主结、场限环、结终端扩展区的掺杂类型相同。该半导体结构具有较高的耐压等级。
-
公开(公告)号：CN118578907A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410634820.X
申请日：2024-05-21
Applicant: 中国第一汽车股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种双向逆变器、发电机、增程器和车辆。包括：交直流转换器、电流方向转换器、第一外接绕组和第二外接绕组；交直流转换器的外接端用于连接车辆电池包；电流方向转换器的外接端用于连接外接设备；其中，外接设备为用电设备或供电设备；第一外接绕组串联于电流方向转换器的内接端的第一引脚与交直流转换器的内接端的第一引脚之间；第二外接绕组串联于电流方向转换器的内接端的第二引脚与交直流转换器的内接端的第二引脚之间。通过外接第一外接绕组和第二外接绕组，使得在交直流转换器与车辆电池包连接，且处于向车辆电池包充电的情况下，达到升压的效果。另外，通过设置电流方向转换器，使得双向逆变器能够应用于多种场景中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119384017A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411411561.0
申请日：2024-10-10
Applicant: 中国第一汽车股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种元胞结构及其制备方法、金属氧化物半导体场效应晶体管。元胞结构包括：电流扩展层；两个阱区，沿第一方向，每个阱区位于电流扩展层远离外延层的一侧，沿第二方向，两个阱区被电流扩展层隔开；两个第一注入区，沿第一方向，每个第一注入区位于对应的阱区远离电流扩展层的一侧，沿第二方向，两个第一注入区被电流扩展层隔开；沟槽，包括槽底和相对的两个侧壁，槽底位于两个阱区内和两个阱区之间的电流扩展层内，每个侧壁位于对应的部分阱区内和对应的第一注入区内；栅氧化层位于沟槽内；栅极位于沟槽内的栅氧化层，栅极还被栅氧化层覆盖；该元胞结构将阱区扩大到栅极拐角处，从而减小了沟槽底角的栅氧化层的电场聚集。
-
公开(公告)号：CN118504509A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410666346.9
申请日：2024-05-27
Applicant: 中国第一汽车股份有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F119/08
Abstract: 本申请实施例提供一种芯片的版图设计方法及芯片。所述芯片的版图设计方法，包括：获取芯片的电流分布情况和温度分布情况，其中，所述芯片包括至少两个元胞分布区域，所述电流分布情况包括各所述元胞分布区域对应的平均电流，所述温度分布情况包括各所述元胞分布区域对应的平均温度；根据所述电流分布情况和所述温度分布情况中的至少一者，确定所述芯片内元胞的密度分布情况，其中，所述密度分度情况包括各所述元胞分布区域对应的所述元胞的分布密度；基于所述密度分布情况，确定所述元胞的排布版图。可以改善芯片的热量分布，抑制芯片的局部过热现象，降低芯片的降温难度，降低芯片的烧毁风险，提高芯片的可靠性和稳定性，延长芯片的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN116388589A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310481439.X
申请日：2023-04-28
Applicant: 中国第一汽车股份有限公司
Abstract: 本发明公开了功率单元，属于车辆驱动技术领域。功率单元包括：功率模块，包括第一端子及第二端子，所述第一端子与所述第二端子间隔设置；电容器，包括第三端子、绝缘层及第四端子，所述第三端子与所述第四端子上下间隔设置，所述绝缘层设置于所述第三端子与所述第四端子之间，所述第一端子与所述第三端子焊接，所述第二端子与所述第四端子焊接，且所述第三端子和/或所述第四端子具有弯曲部，所述弯曲部与焊接位置间隔设置。本发明的功率单元的寄生电感较小，且焊接次数较少以及成本较低。
-
公开(公告)号：CN117913040A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311778136.0
申请日：2023-12-21
Applicant: 中国第一汽车股份有限公司
IPC: H01L23/34 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，所述外延层开设有栅极沟槽、源极沟槽以及热敏二极管沟槽；其中，所述栅极沟槽位于所述源极沟槽与所述热敏二极管沟槽之间，且所述栅极沟槽的深度均小于所述源极沟槽、所述热敏二极管沟槽的深度；栅极结构，位于所述栅极沟槽内；源极结构，位于所述源极沟槽内；热敏二极管结构，位于所述热敏二极管沟槽内；其中，所述热敏二极管结构包括PN结区。通过在半导体结构内集成热敏二极管以及相应的MOSFET功率芯片结构，可以使热敏二极管结构直接检测功率芯片内部温度，相比与在功率芯片旁设置热敏电阻，可以更精准地标定芯片温度。
-
公开(公告)号：CN116742976A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310481495.3
申请日：2023-04-28
Applicant: 中国第一汽车股份有限公司
Abstract: 本发明公开了层叠端子的功率单元及车辆，属于车辆技术领域。层叠端子的功率单元包括：功率模块，包括第一端子、第一绝缘层及第二端子，第一端子与第二端子上下层设且间隔设置，第一绝缘层设置于第一端子与第二端子间；电容器，包括第三端子、第二绝缘层及第四端子，第三端子与第四端子上下层设且间隔设置，第二绝缘层设置于第三端子与第四端子间，在靠近电容器的方向上，第三端子与第四端子之间的间距逐渐减小，且第三端子与第四端子之间未设置有第二绝缘层的部分形成间隙空间，第一端子和第二端子限位于间隙空间内。本发明的层叠端子的功率单元的寄生电感较小，以能够增大功率模块的最大可工作电压。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.036 seconds)
