公开(公告)号：CN117913040A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311778136.0

申请日：2023-12-21

Applicant: 中国第一汽车股份有限公司

Inventor： 张文博 ,  林翰东 ,  宋鑫宇 ,  林晓晨 ,  李双媛

IPC: H01L23/34 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，所述外延层开设有栅极沟槽、源极沟槽以及热敏二极管沟槽；其中，所述栅极沟槽位于所述源极沟槽与所述热敏二极管沟槽之间，且所述栅极沟槽的深度均小于所述源极沟槽、所述热敏二极管沟槽的深度；栅极结构，位于所述栅极沟槽内；源极结构，位于所述源极沟槽内；热敏二极管结构，位于所述热敏二极管沟槽内；其中，所述热敏二极管结构包括PN结区。通过在半导体结构内集成热敏二极管以及相应的MOSFET功率芯片结构，可以使热敏二极管结构直接检测功率芯片内部温度，相比与在功率芯片旁设置热敏电阻，可以更精准地标定芯片温度。

公开(公告)号：CN119653831A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411595474.5

申请日：2024-11-08

Applicant: 中国第一汽车股份有限公司

Inventor： 宋鑫宇 ,  暴杰 ,  赵慧超 ,  林翰东 ,  张文博

IPC: H10D30/66 ,  H10D30/01 ,  H10D62/10 ,  H10D64/00

Abstract: 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：基底；基底包括层叠设置的衬底和外延层；主结，位于外延层内；至少一个场限环，位于外延层内；结终端扩展区，位于外延层内；结终端扩展区和场限环具有重合区域；截止环，位于外延层内；其中，主结、场限环、截止环和结终端扩展区的远离衬底的一侧表面与外延层远离衬底的表面齐平；主结、场限环和截止环沿第一方向间隔设置，第一方向垂直于沿衬底指向主结的方向；场氧化层，至少位于外延层、结终端扩展区和截止环分别远离衬底的一侧；场板，分别位于主结和场氧化层远离衬底的一侧；其中，基底和截止环的掺杂类型相同，主结、场限环、结终端扩展区的掺杂类型相同。该半导体结构具有较高的耐压等级。

公开(公告)号：CN118578907A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410634820.X

申请日：2024-05-21

Applicant: 中国第一汽车股份有限公司

Inventor： 王德平 ,  张文博 ,  林翰东 ,  赵慧超 ,  暴杰 ,  宋瑞超 ,  宋鑫宇 ,  林晓晨

IPC: B60L53/24 ,  H02J7/00 ,  H02M7/797

Abstract: 本申请涉及一种双向逆变器、发电机、增程器和车辆。包括：交直流转换器、电流方向转换器、第一外接绕组和第二外接绕组；交直流转换器的外接端用于连接车辆电池包；电流方向转换器的外接端用于连接外接设备；其中，外接设备为用电设备或供电设备；第一外接绕组串联于电流方向转换器的内接端的第一引脚与交直流转换器的内接端的第一引脚之间；第二外接绕组串联于电流方向转换器的内接端的第二引脚与交直流转换器的内接端的第二引脚之间。通过外接第一外接绕组和第二外接绕组，使得在交直流转换器与车辆电池包连接，且处于向车辆电池包充电的情况下，达到升压的效果。另外，通过设置电流方向转换器，使得双向逆变器能够应用于多种场景中。