公开(公告)号：CN118504509A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410666346.9

申请日：2024-05-27

Applicant: 中国第一汽车股份有限公司

Inventor： 王德平 ,  林晓晨 ,  林翰东 ,  赵慧超 ,  暴杰 ,  张文博 ,  李双媛 ,  张诗梦

IPC: G06F30/392 ,  G06F119/08

Abstract: 本申请实施例提供一种芯片的版图设计方法及芯片。所述芯片的版图设计方法，包括：获取芯片的电流分布情况和温度分布情况，其中，所述芯片包括至少两个元胞分布区域，所述电流分布情况包括各所述元胞分布区域对应的平均电流，所述温度分布情况包括各所述元胞分布区域对应的平均温度；根据所述电流分布情况和所述温度分布情况中的至少一者，确定所述芯片内元胞的密度分布情况，其中，所述密度分度情况包括各所述元胞分布区域对应的所述元胞的分布密度；基于所述密度分布情况，确定所述元胞的排布版图。可以改善芯片的热量分布，抑制芯片的局部过热现象，降低芯片的降温难度，降低芯片的烧毁风险，提高芯片的可靠性和稳定性，延长芯片的使用寿命。

公开(公告)号：CN118943187A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410930979.6

申请日：2024-07-11

Applicant: 中国第一汽车股份有限公司

Inventor： 张诗梦 ,  暴杰 ,  林翰东 ,  陈志玉 ,  李双媛

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法和SiC MOSFET器件。半导体结构，包括：衬底，包括漂移区；所述漂移区包括阱区和JFET区，所述阱区环绕所述JFET区；所述阱区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述JFET区和所述第二掺杂区之间；栅氧层，位于所述漂移区背离所述衬底的一侧且覆盖部分所述漂移区；栅电极，位于所述栅氧层背离所述漂移区的一侧且覆盖所述栅氧层；其中，沿垂直于所述衬底的方向，被垂直投影位于所述JFET之内的部分所述栅电极所覆盖的所述栅氧层的厚度为耐雪崩厚度，其余所有所述栅氧层的厚度为标准厚度，其中，耐雪崩厚度大于标准厚度。如此，提升了SiC MOSFET器件的耐雪崩能力。

公开(公告)号：CN117913040A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311778136.0

申请日：2023-12-21

Applicant: 中国第一汽车股份有限公司

Inventor： 张文博 ,  林翰东 ,  宋鑫宇 ,  林晓晨 ,  李双媛

IPC: H01L23/34 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，所述外延层开设有栅极沟槽、源极沟槽以及热敏二极管沟槽；其中，所述栅极沟槽位于所述源极沟槽与所述热敏二极管沟槽之间，且所述栅极沟槽的深度均小于所述源极沟槽、所述热敏二极管沟槽的深度；栅极结构，位于所述栅极沟槽内；源极结构，位于所述源极沟槽内；热敏二极管结构，位于所述热敏二极管沟槽内；其中，所述热敏二极管结构包括PN结区。通过在半导体结构内集成热敏二极管以及相应的MOSFET功率芯片结构，可以使热敏二极管结构直接检测功率芯片内部温度，相比与在功率芯片旁设置热敏电阻，可以更精准地标定芯片温度。

公开(公告)号：CN119993943A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411345299.4

申请日：2024-09-25

Applicant: 中国第一汽车股份有限公司

Inventor： 李双媛 ,  赵慧超 ,  暴杰 ,  林翰东 ,  孙相超 ,  张文博 ,  陈志玉 ,  林晓晨 ,  张诗梦

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/367 ,  H01L23/488

Abstract: 本申请涉及一种功率模块，包括基板组件和芯片组，基板组件包括第一基板和第二基板，第一基板和第二基板沿高度方向间隔设置，且第一基板和第二基板通过第一电气连接件相互连接，芯片组设置在第一基板和第二基板之间，芯片组包括至少两个芯片单体和至少两个第二电气连接件，每一芯片单体均与第一基板间具有第一焊料层，每一第二电气连接件均与第二基板间具有第一焊料层；本申请的功率模块，可使芯片单体可与第一基板和第二基板连接进行双面散热，提高散热能力，且可使分别与第一基板和第二基板连接的第一直流端子和第二直流端子沿高度方向叠层设置，有效减小环流面积，同时利用互感相消的原理对寄生参数进行有效控制，提高模块可靠性。

公开(公告)号：CN118596370A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410535850.5

申请日：2024-04-30

Applicant: 中国第一汽车股份有限公司

Inventor： 孙相超 ,  王德平 ,  赵慧超 ,  暴杰 ,  林翰东 ,  李双媛

IPC: B28D5/00 ,  B23K26/38 ,  B23K26/046 ,  B23K26/402

Abstract: 本申请涉及一种晶锭的切片方法。该方法包括以下步骤：清洗晶锭；通过高能激光切割晶锭；将切割后的晶锭进行超声化学腐蚀，得到晶圆。通过对晶锭进行非接触式加工的激光切割，降低晶锭在切割过程中的损耗，高能量的激光能够对晶锭进行快速准确切割，通过对切割后的晶锭进行超声化学腐蚀，使得切割得到的晶圆能够高效地从晶锭上分离出来，提高晶锭的切割效率。