公开(公告)号：CN119993943A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411345299.4

申请日：2024-09-25

Applicant: 中国第一汽车股份有限公司

Inventor： 李双媛 ,  赵慧超 ,  暴杰 ,  林翰东 ,  孙相超 ,  张文博 ,  陈志玉 ,  林晓晨 ,  张诗梦

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/367 ,  H01L23/488

Abstract: 本申请涉及一种功率模块，包括基板组件和芯片组，基板组件包括第一基板和第二基板，第一基板和第二基板沿高度方向间隔设置，且第一基板和第二基板通过第一电气连接件相互连接，芯片组设置在第一基板和第二基板之间，芯片组包括至少两个芯片单体和至少两个第二电气连接件，每一芯片单体均与第一基板间具有第一焊料层，每一第二电气连接件均与第二基板间具有第一焊料层；本申请的功率模块，可使芯片单体可与第一基板和第二基板连接进行双面散热，提高散热能力，且可使分别与第一基板和第二基板连接的第一直流端子和第二直流端子沿高度方向叠层设置，有效减小环流面积，同时利用互感相消的原理对寄生参数进行有效控制，提高模块可靠性。

公开(公告)号：CN118538762A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410508611.0

申请日：2024-04-25

Applicant: 中国第一汽车股份有限公司

Inventor： 陈志玉 ,  林翰东 ,  王德平 ,  暴杰 ,  张诗梦 ,  唐浩铭

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及一种低导通损耗IGBT结构及其制备方法，包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括多晶硅沟槽结构、发射极结构和栅极沟槽结构，其中，所述发射极结构设置于所述多晶硅沟槽结构和所述栅极沟槽结构之间，且所述多晶硅沟槽结构与所述发射极结构间隔设置；集电极结构，位于所述衬底背离所述外延层的一侧表面。通过本申请的IGBT结构能够降低IGBT芯片的导通损耗。

公开(公告)号：CN119667836A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411594945.0

申请日：2024-11-08

Applicant: 中国第一汽车股份有限公司

Inventor： 陈志玉 ,  张诗梦 ,  林翰东 ,  唐浩铭 ,  暴杰

IPC: G02B5/02 ,  G02B1/10 ,  G02B1/12 ,  G02F1/1335 ,  H10K59/80 ,  H10K59/10 ,  H10K71/00

Abstract: 本申请提供一种光学结构的制备方法、光学结构、显示面板及显示装置，涉及光学技术领域，可以实现无需采用刻蚀等工艺对光学结构层进行表面处理，制备难度小，对于制备精度的要求低，制备效率高，可以提高光学结构的制备质量的效果。该光学结构的制备方法包括，于基底的一侧设置第一光学材料层，其中，第一光学材料层包括第一子光学材料层和第二子光学材料层，第一子光学材料层位于第二子光学材料层远离基底的一侧，第一子光学材料层的热膨胀系数与第二子光学材料层的热膨胀系数不同，对第一光学材料层远离基底一侧的表面进行加热处理，得到第二光学材料层，其中，第二光学材料层远离基底一侧的表面包括凹凸表面，对基底和第二光学材料层进行剥离。

公开(公告)号：CN118943187A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410930979.6

申请日：2024-07-11

Applicant: 中国第一汽车股份有限公司

Inventor： 张诗梦 ,  暴杰 ,  林翰东 ,  陈志玉 ,  李双媛

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法和SiC MOSFET器件。半导体结构，包括：衬底，包括漂移区；所述漂移区包括阱区和JFET区，所述阱区环绕所述JFET区；所述阱区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述JFET区和所述第二掺杂区之间；栅氧层，位于所述漂移区背离所述衬底的一侧且覆盖部分所述漂移区；栅电极，位于所述栅氧层背离所述漂移区的一侧且覆盖所述栅氧层；其中，沿垂直于所述衬底的方向，被垂直投影位于所述JFET之内的部分所述栅电极所覆盖的所述栅氧层的厚度为耐雪崩厚度，其余所有所述栅氧层的厚度为标准厚度，其中，耐雪崩厚度大于标准厚度。如此，提升了SiC MOSFET器件的耐雪崩能力。

公开(公告)号：CN118504509A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410666346.9

申请日：2024-05-27

Applicant: 中国第一汽车股份有限公司

Inventor： 王德平 ,  林晓晨 ,  林翰东 ,  赵慧超 ,  暴杰 ,  张文博 ,  李双媛 ,  张诗梦

IPC: G06F30/392 ,  G06F119/08

Abstract: 本申请实施例提供一种芯片的版图设计方法及芯片。所述芯片的版图设计方法，包括：获取芯片的电流分布情况和温度分布情况，其中，所述芯片包括至少两个元胞分布区域，所述电流分布情况包括各所述元胞分布区域对应的平均电流，所述温度分布情况包括各所述元胞分布区域对应的平均温度；根据所述电流分布情况和所述温度分布情况中的至少一者，确定所述芯片内元胞的密度分布情况，其中，所述密度分度情况包括各所述元胞分布区域对应的所述元胞的分布密度；基于所述密度分布情况，确定所述元胞的排布版图。可以改善芯片的热量分布，抑制芯片的局部过热现象，降低芯片的降温难度，降低芯片的烧毁风险，提高芯片的可靠性和稳定性，延长芯片的使用寿命。