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公开(公告)号：CN119805855B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510293169.9
申请日：2025-03-13
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供一种双面纳米压印结构的制备方法，其中，方法包括：形成第一光刻胶涂层，并基于第一光刻胶涂层进行图案化处理，对应第一光刻胶涂层的衬底遮挡部；对第一衬底A面进行刻蚀，形成凹槽结构，并将所述衬底遮挡部进行去除；将第一衬底、第二衬底进行衬底键合，以形成密封腔体；形成第一UV保护层，并对第二衬底B面进行结构化处理，形成第一纳米结构层；去除第一UV保护层，在第二衬底B面上形成第二UV保护层，并对第一衬底B面进行结构化处理，形成位于所述第一衬底B面上的第二纳米结构层，其中，所述第二纳米结构层包括呈现阵列排布的多个第二结构圆孔；去除第二UV保护层，得到双面纳米压印结构。本发明至少提高了制备效率和一致性。
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公开(公告)号：CN119805856A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510293667.3
申请日：2025-03-13
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供一种光纤超构透镜的制造方法及光纤超构透镜，其中，方法包括：在光纤插芯固定基座上设置透镜基底，其中，所述光纤插芯固定基座开设有光纤插芯限位孔，所述光纤插芯限位孔容置有光纤插芯，其中，光纤插芯具有光纤传输通道；沿所述光纤传输通道的延伸方向对所述光纤传输通道进行白光照射，形成在所述光纤传输通道中进行传播的白光光路，并基于所述白光光路确定在所述透镜基底进行出射的白光出射区域；基于所述白光出射区域在所述透镜基底远离所述光纤插芯固定基座的一侧形成对应相同区域的透镜纳米结构。
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公开(公告)号：CN119805678A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510293098.2
申请日：2025-03-13
Applicant: 中北大学
IPC: G02B6/38
Abstract: 本发明提供一种光纤垂直集成单元及制作方法，其中，方法包括：设置于平面芯片上的搭载有光纤插芯的光纤插芯固定基座，所述光纤插芯中穿设有光纤单体；其中，所述光纤插芯固定基座靠近所述平面芯片的第一面设置有对应第一尺寸的胶体填充槽，所述光纤插芯固定基座远离所述平面芯片的第二面设置有与所述胶体填充槽同心且连通的对应第二尺寸的光纤插芯限位孔，所述光纤插芯穿设所述光纤插芯限位孔至所述光纤插芯的端部伸入所述胶体填充槽中、并将所述光纤单体抵接于所述平面芯片，所述光纤插芯与所述胶体填充槽之间形成的间隔空间中设置有高温胶层。
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公开(公告)号：CN119797274A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510293028.7
申请日：2025-03-13
Applicant: 中北大学
IPC: B81C1/00 , B81B7/02 , G01N21/956 , G06F30/20
Abstract: 本发明提供一种n型SiC耐高温欧姆接触电极结构的制备方法，包括以下步骤：对碳化硅结构进行清洗，其中，碳化硅结构包括层叠设置的碳化硅衬底、缓冲层以及外延层；对完成清洗的碳化硅结构进行氧化，形成位于所述外延层之上的氧化硅层；基于湿法腐蚀对氧化硅层进行去除，并在完成对氧化硅层的去除后对外延层进行氢等离子体处理；对外延层远离缓冲层的一侧进行图案化处理，形成位于外延层之上的传输线模型；对传输线模型进行金属沉积，形成位于传输线模型之上的金属层，其中，金属层包括层叠设置的钛金属层、碳化钛金属层以及铂金属层；对金属层进行退火操作，以形成欧姆接触电极结构。本发明至少提高了化学及机械稳定性。
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公开(公告)号：CN119178552A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411092365.1
申请日：2024-08-09
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种电容薄膜真空计及其制备方法，属于半导体制造技术领域，所述电容薄膜真空计耐高温耐腐蚀，本发明在工艺制造阶段将室温激光键合技术和真空下高温高压条件对单晶碳化硅等材料的直接键合技术结合，完成了碳化硅等耐高温耐腐蚀的透明单晶材料三层结构的连接问题，避免了金属在单晶材料高温键合条件下的失效问题，同时，保证了真空腔的真空度、键合强度和真空计的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117219213B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311472283.5
申请日：2023-11-07
Applicant: 中北大学
IPC: G16C60/00 , G16C10/00 , G06F30/20 , G06F111/10 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种相场法定量预测含铌奥氏体不锈钢铌化物析出规律的方法，属于含铌奥氏体不锈钢材料数值模拟技术领域；解决了传统热加工及热处理工艺设计中因大批量试错实验研究而产生的高成本、低效率等问题；包括如下步骤：基于差示扫描量热法和热力学计算软件得到含铌奥氏体不锈钢中铌化物析出的温度范围；将温度范围梯度划分为多个热处理实验需要的保温温度和保温时间，采用相场法进行不同工艺下的含铌奥氏体不锈钢中铌化物的组织形貌演化计算，获得析出相尺寸及体积分数演变规律；将相场模拟尺度时间参数与实际热处理实验的真实时间进行对应转换；本发明应用于含铌奥氏(56)对比文件Wenkui Yang 等.Dislocation loopassisted precipitation of Cu-richparticles: A phase-field study.《Computational Materials Science》.2023,1-12.Markus Apel 等.Phase Field Modelingof Microstructure Formation, DSC Curves,and Thermal Expansion for Ag-Cu BrazingFillers Under Reactive Air BrazingConditions《.ADVANCED ENGINEERINGMATERIALS》.2014,1468-1474.Jurandir Marcos Sa´ de Sousa 等.Tribological performance under abrasivewear of Fe-Cr-C+Nb coating deposited byFCAW process《.Wear》.2023,1-13.
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公开(公告)号：CN117195595A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311463827.1
申请日：2023-11-06
Applicant: 中北大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种基于相场法的含铌奥氏体不锈钢连铸工艺集成优化方法，属于含铌奥氏体不锈钢连铸工艺技术领域；解决了采用有限元方法无法对含铌奥氏体不锈钢生产加工过程中微观组织进行模拟预测使得采用连铸工艺得到的铸坯产生裂纹导致生产效率低的问题；包括如下步骤：建立非平衡凝固相场模型；建立连续相场模型构建的初始浓度条件，依据溶质浓度、相尺寸、晶粒尺寸、晶界参数描述晶粒生长、晶界扩散、析出相演变过程，同时耦合弹性应变能，得到含铌奥氏体不锈钢组织随时间演变过程的等效应力应变分布；基于等效应力应变分布，结合损伤准则模型得到集成优化模型；本发明应用于含铌奥氏体不锈钢连铸工艺优化。
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公开(公告)号：CN116165852B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310458670.7
申请日：2023-04-26
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供了一种自适应光纤曝光系统及光纤‑平面芯片纵向异构集成方法，属于半导体器件制备的技术领域，该系统包括光源、三维微动平台、旋转式光纤夹具、光纤适配器和载物台；三维微动平台包括Y轴移动平台、X轴移动平台和旋转平台。本发明在解决了光纤与平面芯片高精度（微米级）耦合的同时，开发了自适应光纤光刻工艺及热调控过盈配合侧面键合工艺，显著提高了光纤与芯片的刚性耦合强度，规避了常用有机胶固定连接结构所带来的温度限制、化学和蠕变稳定性以及刚性匹配等问题。该方法对于光纤端面无要求，平面、凸面、斜面均可实现需求图形的定量刻蚀以实现光纤与平面芯片异构集成。
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公开(公告)号：CN116165852A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310458670.7
申请日：2023-04-26
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供了一种自适应光纤曝光系统及光纤‑平面芯片纵向异构集成方法，属于半导体器件制备的技术领域，该系统包括光源、三维微动平台、旋转式光纤夹具、光纤适配器和载物台；三维微动平台包括Y轴移动平台、X轴移动平台和旋转平台。本发明在解决了光纤与平面芯片高精度（微米级）耦合的同时，开发了自适应光纤光刻工艺及热调控过盈配合侧面键合工艺，显著提高了光纤与芯片的刚性耦合强度，规避了常用有机胶固定连接结构所带来的温度限制、化学和蠕变稳定性以及刚性匹配等问题。该方法对于光纤端面无要求，平面、凸面、斜面均可实现需求图形的定量刻蚀以实现光纤与平面芯片异构集成。
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公开(公告)号：CN111254300A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010236286.9
申请日：2020-03-30
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及一种高性能铝基复合材料构件的制备方法，其针对当前石墨烯增强铝基复合材料制备方法存在石墨烯易在铝基体中发生团聚、铝基体与石墨烯容易发生不良的界面反应等问题，采用羧基化石墨烯作为铝基复合材料的增强体，经铝合金板表面处理、表面处理后的铝合金板表面喷涂羧基化石墨烯、热压烧结、轧制、切碎成铝合金颗粒、半固态直接挤压铸造成型，制备出了高性能铝基复合材料构件。此制备方法工艺先进，数据精确翔实，制备出的铝基复合材料构件内部组织致密性好，无缩孔、缩松缺陷，晶粒细小、呈近球状，羧基化石墨烯在基体中分散均匀，界面结合良好，构件抗拉强度达385Mpa，延伸率达6.4%，硬度达113HV，是先进的高性能铝基复合材料构件的制备方法。
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