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公开(公告)号：CN119800323A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510293140.0
申请日：2025-03-13
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供一种抗反射型氧化镁纳米结构的制造方法，包括以下步骤：将对应晶态的氧化镁衬底进行清洗操作；待完成对所述氧化镁衬底的清洗操作，在所述氧化镁衬底上进行基于氧化硅的沉积操作，得到氧化硅层；对所述氧化硅层进行图案化处理，得到位于所述氧化镁衬底之上的氧化硅纳米结构；在所述氧化镁衬底上进行基于对应非晶态的氧化镁的沉积操作，以形成覆盖所述氧化硅纳米结构以及所述氧化镁衬底的氧化镁层；对所述氧化镁层进行刻蚀，以露出所述氧化硅纳米结构；将所述氧化硅纳米结构进行去除，以形成氧化镁纳米结构；对所述氧化镁纳米结构进行退火操作，以将对应非晶态的氧化镁纳米结构转换为对应晶态的氧化镁纳米结构。
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公开(公告)号：CN118310671A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410741952.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种应用于高温环境下的温压原位同测方法，属于半导体技术领域，首先确定待测压敏电阻R0所在传感器的掺杂浓度。然后用高低温冲击试验箱测量与待测压敏电阻R0掺杂浓度相同的压敏电阻R1的电阻‑温度拟合曲线A。再测量待测压敏电阻R0在常温下的电阻值。接着将待测压敏电阻R0常温下的电阻值与电阻‑温度拟合曲线A进行匹配，得到已封装好的传感器的待测压敏电阻R0的电阻值与电阻‑温度拟合曲线B。最后当待测压敏电阻R0所对应的传感器在工作测压时，将测得的阻值带入传感器电阻‑温度拟合曲线B，可得此时传感器对应的工作温度。通过该方法，可以提高高温环境下压力传感器的工作性能，使温压同位检测更加精准。
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公开(公告)号：CN119955178A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510336682.1
申请日：2025-03-21
Applicant: 中北大学 , 中电科风华信息装备股份有限公司
Abstract: 本发明涉及阻燃剂领域，尤其涉及一种苯基碱金属硅倍半氧烷包覆多金属氧酸盐亚微米球、复合材料及应用，本发明以多金属氧酸盐、苯基碱金属硅倍半氧烷、反应溶剂为原料，以苯基碱金属硅倍半氧烷为核心，利用多金属氧酸盐的强电负性，通过强静电作用进行表面包覆制备亚微米球。然后将亚微米球与EP复配，得到EP/POM(Mo)@POSS(Li)复合材料。本发明制备出的复合材料包含有抑烟成炭作用的苯基碱金属硅倍半氧烷，以及有促进基体催化成炭的多金属氧酸盐，可以大幅度的减少EP复合材料在燃烧过程中的热量、烟雾和有毒气体的释放，从而对火场中人员的生命安全提供了保障。
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公开(公告)号：CN119756670A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411674146.4
申请日：2024-11-21
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及压阻式压力传感器信号调理领域，高温测试环境中，压力传感器敏感芯片的电桥输出零位和灵敏度电压都会随测试温度变化而产生漂移，影响测量精度，本发明提供一种压阻式压力传感器无源电阻网络温度补偿方法，采用低温度系数电阻网络补偿模型，根据压阻式压力传感器的常温初始零位电压的正负选取对应的补偿模型，利用补偿模型实现电桥零位温度漂移补偿和电桥灵敏度温度漂移补偿，使得压阻式压力传感器在初始压力加载下输出电压不随温度变化，压阻式压力传感器在变化压力加载下输出电压不随温度变化，本发明基于压阻式压力传感器封装后的实际测量数据，克服压阻式压力传感器封装的残余应力、电桥自身参数偏移等影响，实现高精度温度补偿。
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公开(公告)号：CN118310671B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410741952.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种应用于高温环境下的温压原位同测方法，属于半导体技术领域，首先确定待测压敏电阻R0所在传感器的掺杂浓度。然后用高低温冲击试验箱测量与待测压敏电阻R0掺杂浓度相同的压敏电阻R1的电阻‑温度拟合曲线A。再测量待测压敏电阻R0在常温下的电阻值。接着将待测压敏电阻R0常温下的电阻值与电阻‑温度拟合曲线A进行匹配，得到已封装好的传感器的待测压敏电阻R0的电阻值与电阻‑温度拟合曲线B。最后当待测压敏电阻R0所对应的传感器在工作测压时，将测得的阻值带入传感器电阻‑温度拟合曲线B，可得此时传感器对应的工作温度。通过该方法，可以提高高温环境下压力传感器的工作性能，使温压同位检测更加精准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117364082A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311224435.X
申请日：2023-09-21
Applicant: 中北大学
Abstract: 一种原子气室镀膜封装工艺，属于原子气室技术领域，可解决现有CPT原子钟物理系统中，衰减片、四分之一波片和MEMS气室是分立的元件，不仅给封装带来不便，而且成为制约CPT原子钟进一步小型化的主要因素的问题，本发明提供一种原子气室镀膜封装工艺，将衰减片和四分之一波片集成在MEMS气室上，减小了CPT原子钟的体积，使封装更加便捷，提高了CPT原子钟的集成度。
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公开(公告)号：CN119805855B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510293169.9
申请日：2025-03-13
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供一种双面纳米压印结构的制备方法，其中，方法包括：形成第一光刻胶涂层，并基于第一光刻胶涂层进行图案化处理，对应第一光刻胶涂层的衬底遮挡部；对第一衬底A面进行刻蚀，形成凹槽结构，并将所述衬底遮挡部进行去除；将第一衬底、第二衬底进行衬底键合，以形成密封腔体；形成第一UV保护层，并对第二衬底B面进行结构化处理，形成第一纳米结构层；去除第一UV保护层，在第二衬底B面上形成第二UV保护层，并对第一衬底B面进行结构化处理，形成位于所述第一衬底B面上的第二纳米结构层，其中，所述第二纳米结构层包括呈现阵列排布的多个第二结构圆孔；去除第二UV保护层，得到双面纳米压印结构。本发明至少提高了制备效率和一致性。
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公开(公告)号：CN119178552A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411092365.1
申请日：2024-08-09
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种电容薄膜真空计及其制备方法，属于半导体制造技术领域，所述电容薄膜真空计耐高温耐腐蚀，本发明在工艺制造阶段将室温激光键合技术和真空下高温高压条件对单晶碳化硅等材料的直接键合技术结合，完成了碳化硅等耐高温耐腐蚀的透明单晶材料三层结构的连接问题，避免了金属在单晶材料高温键合条件下的失效问题，同时，保证了真空腔的真空度、键合强度和真空计的稳定性。
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公开(公告)号：CN118676036A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411160490.1
申请日：2024-08-22
Applicant: 中北大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/308
Abstract: 本发明的目的在于提供一种硅的高均匀性湿法腐蚀装置及方法，属于半导体芯片制造技术领域，所述装置包括水浴锅，所述水浴锅内设有烧杯，所述烧杯内设有用于夹持硅片的聚四氟乙烯材料制作的夹具，所述夹具包括夹持件，所述夹持件包括通过螺栓连接的上夹持件和下夹持件，所述上夹持件的顶端设有上螺杆，所述夹持件的底部设有过滤板，下夹持件与过滤板之间通过中螺杆连接，过滤板的底部设有下螺杆。通过该装置及方法，能够提升湿法腐蚀均匀性、改善湿法腐蚀形貌，通过缓解腐蚀液流速，加速生成沉淀物和气体溢出，达到提高整片晶圆深硅腐蚀均匀性同时改善形貌的效果。
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公开(公告)号：CN119805855A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510293169.9
申请日：2025-03-13
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供一种双面纳米压印结构的制备方法，其中，方法包括：形成第一光刻胶涂层，并基于第一光刻胶涂层进行图案化处理，对应第一光刻胶涂层的衬底遮挡部；对第一衬底A面进行刻蚀，形成凹槽结构，并将所述衬底遮挡部进行去除；将第一衬底、第二衬底进行衬底键合，以形成密封腔体；形成第一UV保护层，并对第二衬底B面进行结构化处理，形成第一纳米结构层；去除第一UV保护层，在第二衬底B面上形成第二UV保护层，并对第一衬底B面进行结构化处理，形成位于所述第一衬底B面上的第二纳米结构层，其中，所述第二纳米结构层包括呈现阵列排布的多个第二结构圆孔；去除第二UV保护层，得到双面纳米压印结构。本发明至少提高了制备效率和一致性。
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