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公开(公告)号：CN114291784A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110814293.7
申请日：2021-07-19
Applicant: 中北大学南通智能光机电研究院 , 中北大学
Abstract: 本发明涉及一种基于大马士革工艺的MEMS开关牺牲层的制备方法，包括步骤：S1、获取晶圆；S2、在晶圆的表面沉积牺牲层，牺牲层的材料包括半导体材料；S3、刻蚀牺牲层，在共面波导上形成通孔；S4、在通孔中电镀锚点材料，形成初始锚点；S5、对牺牲层和初始锚点进行抛光处理，形成目标锚点，目标锚点的表面与牺牲层表面平齐；S6、在牺牲层表面电镀上电极，使得上电极与目标锚点接触；S7、释放牺牲层，形成MEMS开关的悬臂梁。该制备方法将大马士革工艺引入到牺牲层的制备过程中，有效改善了MEMS牺牲层的平整度，提高了牺牲层的稳定性，降低了牺牲层的释放时间，提高了生产效率，适用于MEMS开关的量产工作。
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公开(公告)号：CN119805855B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510293169.9
申请日：2025-03-13
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供一种双面纳米压印结构的制备方法，其中，方法包括：形成第一光刻胶涂层，并基于第一光刻胶涂层进行图案化处理，对应第一光刻胶涂层的衬底遮挡部；对第一衬底A面进行刻蚀，形成凹槽结构，并将所述衬底遮挡部进行去除；将第一衬底、第二衬底进行衬底键合，以形成密封腔体；形成第一UV保护层，并对第二衬底B面进行结构化处理，形成第一纳米结构层；去除第一UV保护层，在第二衬底B面上形成第二UV保护层，并对第一衬底B面进行结构化处理，形成位于所述第一衬底B面上的第二纳米结构层，其中，所述第二纳米结构层包括呈现阵列排布的多个第二结构圆孔；去除第二UV保护层，得到双面纳米压印结构。本发明至少提高了制备效率和一致性。
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公开(公告)号：CN119797274A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510293028.7
申请日：2025-03-13
Applicant: 中北大学
IPC: B81C1/00 , B81B7/02 , G01N21/956 , G06F30/20
Abstract: 本发明提供一种n型SiC耐高温欧姆接触电极结构的制备方法，包括以下步骤：对碳化硅结构进行清洗，其中，碳化硅结构包括层叠设置的碳化硅衬底、缓冲层以及外延层；对完成清洗的碳化硅结构进行氧化，形成位于所述外延层之上的氧化硅层；基于湿法腐蚀对氧化硅层进行去除，并在完成对氧化硅层的去除后对外延层进行氢等离子体处理；对外延层远离缓冲层的一侧进行图案化处理，形成位于外延层之上的传输线模型；对传输线模型进行金属沉积，形成位于传输线模型之上的金属层，其中，金属层包括层叠设置的钛金属层、碳化钛金属层以及铂金属层；对金属层进行退火操作，以形成欧姆接触电极结构。本发明至少提高了化学及机械稳定性。
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公开(公告)号：CN119178552A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411092365.1
申请日：2024-08-09
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种电容薄膜真空计及其制备方法，属于半导体制造技术领域，所述电容薄膜真空计耐高温耐腐蚀，本发明在工艺制造阶段将室温激光键合技术和真空下高温高压条件对单晶碳化硅等材料的直接键合技术结合，完成了碳化硅等耐高温耐腐蚀的透明单晶材料三层结构的连接问题，避免了金属在单晶材料高温键合条件下的失效问题，同时，保证了真空腔的真空度、键合强度和真空计的稳定性。
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公开(公告)号：CN118676036A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411160490.1
申请日：2024-08-22
Applicant: 中北大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/308
Abstract: 本发明的目的在于提供一种硅的高均匀性湿法腐蚀装置及方法，属于半导体芯片制造技术领域，所述装置包括水浴锅，所述水浴锅内设有烧杯，所述烧杯内设有用于夹持硅片的聚四氟乙烯材料制作的夹具，所述夹具包括夹持件，所述夹持件包括通过螺栓连接的上夹持件和下夹持件，所述上夹持件的顶端设有上螺杆，所述夹持件的底部设有过滤板，下夹持件与过滤板之间通过中螺杆连接，过滤板的底部设有下螺杆。通过该装置及方法，能够提升湿法腐蚀均匀性、改善湿法腐蚀形貌，通过缓解腐蚀液流速，加速生成沉淀物和气体溢出，达到提高整片晶圆深硅腐蚀均匀性同时改善形貌的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119756670A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411674146.4
申请日：2024-11-21
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及压阻式压力传感器信号调理领域，高温测试环境中，压力传感器敏感芯片的电桥输出零位和灵敏度电压都会随测试温度变化而产生漂移，影响测量精度，本发明提供一种压阻式压力传感器无源电阻网络温度补偿方法，采用低温度系数电阻网络补偿模型，根据压阻式压力传感器的常温初始零位电压的正负选取对应的补偿模型，利用补偿模型实现电桥零位温度漂移补偿和电桥灵敏度温度漂移补偿，使得压阻式压力传感器在初始压力加载下输出电压不随温度变化，压阻式压力传感器在变化压力加载下输出电压不随温度变化，本发明基于压阻式压力传感器封装后的实际测量数据，克服压阻式压力传感器封装的残余应力、电桥自身参数偏移等影响，实现高精度温度补偿。
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公开(公告)号：CN112919405A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110108281.2
申请日：2021-01-27
Applicant: 中北大学南通智能光机电研究院
Abstract: 本发明属于射频微电子机械系统封装技术领域，具体涉及一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法，包括下列步骤：提供一未释放牺牲层的RF MEMS开关晶圆，在衬底上完成信号线和悬臂梁的结构的制作；对晶圆进行第一次匀胶、光刻、显影工艺；在晶圆上沉积一层薄膜；对晶圆进行第二次匀胶、光刻工艺，并留出释放孔位置；对释放孔位置进行刻蚀工艺；进行氧气等离子体工艺；再次沉积一层薄膜。本发明通过在未释放晶圆上，通过两次匀胶、两次光刻、两次镀膜工艺实现开关的原位薄膜封装工艺，并且本发明采用氩气等离子实现释放孔的刻蚀，采用氧等离子体实现牺牲层的释放，能够保证开关的射频性能，同时提高开关的工作可靠性。本发明用于RF MEMS开关的原位薄膜封装。
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公开(公告)号：CN113381139B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202110426812.2
申请日：2021-04-20
Abstract: 本发明涉及一种K～D波段宽频射频MEMS开关，包括：衬底(1)、地线(2)、信号线(3)、上电极组件(4)、至少两个驱动电极(5)、至少两条驱动引线(6)和至少两个空气桥组件(7)，其中，所述信号线(3)为渐变型信号线，所述渐变型信号线的中间段信号线的宽度小于两端信号线的宽度。该开关由地线和信号线共同形成渐变型微波传输线结构，可以有效提高开关工作带宽，降低插入损耗，提高隔离度，使得开关在18GHz～184GHz的范围内，有着优越的射频性能，提高了开关的微波性能。
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公开(公告)号：CN114291784B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202110814293.7
申请日：2021-07-19
Abstract: 本发明涉及一种基于大马士革工艺的MEMS开关牺牲层的制备方法，包括步骤：S1、获取晶圆；S2、在晶圆的表面沉积牺牲层，牺牲层的材料包括半导体材料；S3、刻蚀牺牲层，在共面波导上形成通孔；S4、在通孔中电镀锚点材料，形成初始锚点；S5、对牺牲层和初始锚点进行抛光处理，形成目标锚点，目标锚点的表面与牺牲层表面平齐；S6、在牺牲层表面电镀上电极，使得上电极与目标锚点接触；S7、释放牺牲层，形成MEMS开关的悬臂梁。该制备方法将大马士革工艺引入到牺牲层的制备过程中，有效改善了MEMS牺牲层的平整度，提高了牺牲层的稳定性，降低了牺牲层的释放时间，提高了生产效率，适用于MEMS开关的量产工作。
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公开(公告)号：CN119805855A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510293169.9
申请日：2025-03-13
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供一种双面纳米压印结构的制备方法，其中，方法包括：形成第一光刻胶涂层，并基于第一光刻胶涂层进行图案化处理，对应第一光刻胶涂层的衬底遮挡部；对第一衬底A面进行刻蚀，形成凹槽结构，并将所述衬底遮挡部进行去除；将第一衬底、第二衬底进行衬底键合，以形成密封腔体；形成第一UV保护层，并对第二衬底B面进行结构化处理，形成第一纳米结构层；去除第一UV保护层，在第二衬底B面上形成第二UV保护层，并对第一衬底B面进行结构化处理，形成位于所述第一衬底B面上的第二纳米结构层，其中，所述第二纳米结构层包括呈现阵列排布的多个第二结构圆孔；去除第二UV保护层，得到双面纳米压印结构。本发明至少提高了制备效率和一致性。
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