公开(公告)号：CN118676036B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411160490.1

申请日：2024-08-22

Applicant: 中北大学

Inventor： 雷程 ,  梁庭 ,  李腾腾 ,  闫施锦 ,  张臻昊 ,  余建刚 ,  李丰超 ,  谭秋林

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明的目的在于提供一种硅的高均匀性湿法腐蚀装置及方法，属于半导体芯片制造技术领域，所述装置包括水浴锅，所述水浴锅内设有烧杯，所述烧杯内设有用于夹持硅片的聚四氟乙烯材料制作的夹具，所述夹具包括夹持件，所述夹持件包括通过螺栓连接的上夹持件和下夹持件，所述上夹持件的顶端设有上螺杆，所述夹持件的底部设有过滤板，下夹持件与过滤板之间通过中螺杆连接，过滤板的底部设有下螺杆。通过该装置及方法，能够提升湿法腐蚀均匀性、改善湿法腐蚀形貌，通过缓解腐蚀液流速，加速生成沉淀物和气体溢出，达到提高整片晶圆深硅腐蚀均匀性同时改善形貌的效果。

公开(公告)号：CN119178552A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411092365.1

申请日：2024-08-09

Applicant: 中北大学

Inventor： 雷程 ,  余建刚 ,  梁庭 ,  张臻昊 ,  李腾腾 ,  李丰超 ,  李鑫浦 ,  李志强

IPC: G01L21/00 ,  B81B7/02 ,  G01L9/12

Abstract: 本发明的目的在于提供一种电容薄膜真空计及其制备方法，属于半导体制造技术领域，所述电容薄膜真空计耐高温耐腐蚀，本发明在工艺制造阶段将室温激光键合技术和真空下高温高压条件对单晶碳化硅等材料的直接键合技术结合，完成了碳化硅等耐高温耐腐蚀的透明单晶材料三层结构的连接问题，避免了金属在单晶材料高温键合条件下的失效问题，同时，保证了真空腔的真空度、键合强度和真空计的稳定性。

公开(公告)号：CN118676036A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202411160490.1

申请日：2024-08-22

Applicant: 中北大学

Inventor： 雷程 ,  梁庭 ,  李腾腾 ,  闫施锦 ,  张臻昊 ,  余建刚 ,  李丰超 ,  谭秋林

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明的目的在于提供一种硅的高均匀性湿法腐蚀装置及方法，属于半导体芯片制造技术领域，所述装置包括水浴锅，所述水浴锅内设有烧杯，所述烧杯内设有用于夹持硅片的聚四氟乙烯材料制作的夹具，所述夹具包括夹持件，所述夹持件包括通过螺栓连接的上夹持件和下夹持件，所述上夹持件的顶端设有上螺杆，所述夹持件的底部设有过滤板，下夹持件与过滤板之间通过中螺杆连接，过滤板的底部设有下螺杆。通过该装置及方法，能够提升湿法腐蚀均匀性、改善湿法腐蚀形貌，通过缓解腐蚀液流速，加速生成沉淀物和气体溢出，达到提高整片晶圆深硅腐蚀均匀性同时改善形貌的效果。